栅极结构和包括该栅极结构的半导体装置的制作方法

实施例涉及栅极结构和包括该栅极结构的半导体装置。

背景技术：

1、dram装置可以包括栅极结构。

技术实现思路

1、实施例可以通过提供一种栅极结构来实现，该栅极结构包括：第一导电图案，包括第一金属或第一金属化合物并且掺杂有第二金属或硅；第二导电图案，在第一导电图案上，第二导电图案包括第三金属；以及栅极绝缘图案，覆盖第一导电图案的下表面和侧壁以及第二导电图案的侧壁；其中，第二金属的功函数小于第一金属的功函数并且小于第一金属化合物的功函数。

2、实施例可以通过提供一种栅极结构来实现，该栅极结构包括：第一导电图案，包括第一金属化合物并且掺杂有第一金属或硅；第二导电图案，在第一导电图案上，第二导电图案包括第二金属；以及第三导电图案，在第二导电图案上，第三导电图案掺杂有第四金属并且包括第三金属或第二金属化合物，其中，第一金属的功函数小于第一金属化合物的功函数。

3、实施例可以通过提供一种半导体装置来实现，该半导体装置包括：基底；有源图案，在基底上；隔离图案，覆盖有源图案的侧壁；栅极结构，在基本平行于基底的上表面的第一方向上延伸穿过有源图案的上部和隔离图案的上部；位线结构，在有源图案的中部上，位线结构在基本平行于基底的上表面的第二方向上延伸；接触插塞结构，接触有源图案的每个相对端部；以及电容器结构，在接触插塞结构上；其中，栅极结构包括：第一导电图案，包括第一金属化合物，第一导电图案掺杂有第一金属或硅；第二导电图案，在第一导电图案上，第二导电图案包括第二金属；第三导电图案，在第二导电图案上；栅极掩模，在第三导电图案上；以及栅极绝缘图案，覆盖第一导电图案的下表面和侧壁、第二导电图案的侧壁、以及第三导电图案的侧壁，并且第一金属的功函数小于第一金属化合物的功函数。

技术特征：

1.一种栅极结构，所述栅极结构包括：

2.根据权利要求1所述的栅极结构，其中，所述第一金属包括钽。

3.根据权利要求1所述的栅极结构，其中，所述第一金属化合物包括la2o3、sc2o3、al2o3、mgo、hfo2、y2o3、lan、tan、tin、tisin、tialn、aln或tialc。

4.根据权利要求1所述的栅极结构，其中：

5.根据权利要求1所述的栅极结构，其中，所述第三金属包括钼、钌、铜、铱或铑。

6.根据权利要求1所述的栅极结构，所述栅极结构还包括：

7.根据权利要求6所述的栅极结构，所述栅极结构还包括：

8.根据权利要求6所述的栅极结构，所述栅极结构还包括：

9.一种栅极结构，所述栅极结构包括：

10.根据权利要求9所述的栅极结构，其中：

11.根据权利要求9所述的栅极结构，其中，所述第一金属化合物包括la2o3、sc2o3、al2o3、mgo、hfo2、y2o3、lan、tan、tin、tisin、tialn、aln或tialc。

12.根据权利要求9所述的栅极结构，其中，所述第二金属包括钼、钌、铜、铱或铑。

13.根据权利要求9所述的栅极结构，其中：

14.根据权利要求9所述的栅极结构，其中：

15.根据权利要求9所述的栅极结构，其中，所述第四金属包括镧钪、铪或钽。

16.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

17.根据权利要求16所述的半导体装置，其中：

18.根据权利要求16所述的半导体装置，其中，所述第二金属包括钼、钌、铜、铱或铑。

19.根据权利要求16所述的半导体装置，其中，所述第三导电图案包括掺杂有杂质的多晶硅。

20.根据权利要求16所述的半导体装置，其中，所述第三导电图案掺杂有第四金属并且包括第三金属或第二金属化合物。

技术总结提供了栅极结构和包括该栅极结构的半导体装置。该栅极结构包括：第一导电图案，包括第一金属或第一金属化合物并且掺杂有第二金属或硅；第二导电图案，在第一导电图案上，第二导电图案包括第三金属；以及栅极绝缘图案，覆盖第一导电图案的下表面和侧壁以及第二导电图案的侧壁；其中，第二金属的功函数小于第一金属的功函数并且小于第一金属化合物的功函数。技术研发人员：卢孝贞,柳成男,李炳训,李将银,丁乙芝受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/7/29