读取电压调整方法、存储装置及存储器控制电路单元与流程

本发明涉及一种存储器控制技术，尤其涉及一种读取电压调整方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。背景技术：：：1、智能手机与笔记本计算机等可携式电子装置在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对存储媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器模块(rewritable non-volatile memory module)(例如，快闪存储器)具有数据非易失性、省电、体积小，以及无机械结构等特性，所以非常适合内建于上述所举例的各种可携式电子装置中。2、在一个存储单元可以存储多个比特的存储器存储装置中，多个预设的读取电压电平会被用来读取属于不同状态(state)的存储单元所存储的数据。但是，在存储器存储装置使用一段时间后，随着存储单元的磨损，这些预设的读取电压电平相对于存储单元的临界电压分布可能会发生严重偏移，甚至偏移到会被误判为是用来读取相邻状态的读取电压电平。此时，使用传统的读取电压调整机制可能无法正确地校正读取电压电平，进而导致存储器存储装置的使用寿命缩短。技术实现思路1、本发明提供一种读取电压调整方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元，可提高读取电压电平的校正效率。2、本发明的范例实施例提供一种读取电压调整方法，其用于可复写式非易失性存储器模块。所述可复写式非易失性存储器模块包括多个存储单元。所述读取电压调整方法包括：发送写入指令序列，其中所述写入指令序列指示程序化所述多个存储单元中的多个第一存储单元；发送第一读取指令序列，其中所述第一读取指令序列指示使用第一读取电压电平读取经程序化的所述多个第一存储单元，以获得第一计数信息；取得对应于所述第一读取电压电平的第一补偿信息，且所述第一补偿信息反映将所述多个第一存储单元平均程序化至多个状态的误差；以及根据所述第一计数信息、所述第一补偿信息及对应于所述第一读取电压电平的预设计数信息，调整所述第一读取电压电平。3、在本发明的范例实施例中，所述第一计数信息反映经程序化的所述多个第一存储单元中可被所述第一读取电压电平导通的存储单元的总数。4、在本发明的范例实施例中，所述预设计数信息反映经程序化的所述多个第一存储单元中属于至少一预设状态的存储单元的预设数目。5、在本发明的范例实施例中，所述第一补偿信息反映经程序化的所述多个第一存储单元中属于所述至少一预设状态的所述存储单元的所述预设数目与一实际数目之间的差值。6、在本发明的范例实施例中，所述的读取电压调整方法还包括：对所述多个第一存储单元的临界电压分布进行扫描，以获得所述第一补偿信息。7、在本发明的范例实施例中，根据所述第一计数信息、所述第一补偿信息及对应于所述第一读取电压电平的所述预设计数信息，调整所述第一读取电压电平的步骤包括：根据所述第一补偿信息修正所述预设计数信息；获得所述第一计数信息与修正后的所述预设计数信息之间的差值；以及根据所述差值调整所述第一读取电压电平。8、在本发明的范例实施例中，所述的读取电压调整方法还包括：将所述第一补偿信息记录于一管理表格；以及响应于所述多个第一存储单元的程序化，更新所述第一补偿信息。9、本发明的范例实施例另提供一种存储器存储装置，其包括连接接口单元、可复写式非易失性存储器模块及存储器控制电路单元。所述连接接口单元用以连接至主机系统。所述可复写式非易失性存储器模块包括多个存储单元。所述存储器控制电路单元连接至所述连接接口单元与所述可复写式非易失性存储器模块。所述存储器控制电路单元用以：发送写入指令序列，其中所述写入指令序列指示程序化所述多个存储单元中的多个第一存储单元；发送第一读取指令序列，其中所述第一读取指令序列指示使用第一读取电压电平读取经程序化的所述多个第一存储单元，以获得第一计数信息；取得对应于所述第一读取电压电平的第一补偿信息，且所述第一补偿信息反映将所述多个第一存储单元平均程序化至多个状态的误差；以及根据所述第一计数信息、所述第一补偿信息及对应于所述第一读取电压电平的预设计数信息，调整所述第一读取电压电平。10、在本发明的范例实施例中，所述存储器控制电路单元更用以：对所述多个第一存储单元的临界电压分布进行扫描，以获得所述第一补偿信息。11、在本发明的范例实施例中，所述存储器控制电路单元根据所述第一计数信息、所述第一补偿信息及对应于所述第一读取电压电平的所述预设计数信息，调整所述第一读取电压电平的操作包括：根据所述第一补偿信息修正所述预设计数信息；获得所述第一计数信息与修正后的所述预设计数信息之间的差值；以及根据所述差值调整所述第一读取电压电平。12、在本发明的范例实施例中，所述存储器控制电路单元更用以：将所述第一补偿信息记录于一管理表格；以及响应于所述多个第一存储单元的程序化，更新所述第一补偿信息。13、本发明的范例实施例另提供一种存储器控制电路单元，其用于控制可复写式非易失性存储器模块。所述存储器控制电路单元包括主机接口、存储器接口及存储器管理电路。所述主机接口用以连接至主机系统。所述存储器接口用以连接至可复写式非易失性存储器模块。所述可复写式非易失性存储器模块包括多个存储单元。所述存储器管理电路连接至所述主机接口与所述存储器接口。所述存储器管理电路用以：发送写入指令序列，其中所述写入指令序列指示程序化所述多个存储单元中的多个第一存储单元；发送第一读取指令序列，其中所述第一读取指令序列指示使用第一读取电压电平读取经程序化的所述多个第一存储单元，以获得第一计数信息；取得对应于所述第一读取电压电平的第一补偿信息，且所述第一补偿信息反映将所述多个第一存储单元平均程序化至多个状态的误差；以及根据所述第一计数信息、所述第一补偿信息及对应于所述第一读取电压电平的预设计数信息，调整所述第一读取电压电平。14、在本发明的范例实施例中，所述存储器管理电路更用以：对所述多个第一存储单元的临界电压分布进行扫描，以获得所述第一补偿信息。15、在本发明的范例实施例中，所述存储器管理电路根据所述第一计数信息、所述第一补偿信息及对应于所述第一读取电压电平的所述预设计数信息，调整所述第一读取电压电平的操作包括：根据所述第一补偿信息修正所述预设计数信息；获得所述第一计数信息与修正后的所述预设计数信息之间的差值；以及根据所述差值调整所述第一读取电压电平。16、在本发明的范例实施例中，所述存储器管理电路更用以：将所述第一补偿信息记录于一管理表格；以及响应于所述多个第一存储单元的程序化，更新所述第一补偿信息。17、基于上述，在程序化可复写式非易失性存储器模块中的多个第一存储单元后，经程序化的第一存储单元可使用第一读取电压电平来读取，以获得第一计数信息。同时，对应于第一读取电压电平的第一补偿信息可被取得。特别是，所述补偿信息可反映将第一存储单元平均程序化至多个状态的误差。尔后，第一读取电压电平可根据第一计数信息、第一补偿信息及对应于第一读取电压电平的预设计数信息而被调整。由此，可提高读取电压电平的校正效率。当前第1页12当前第1页12