芯片测试方法和装置与流程

本申请涉及测试，特别是涉及一种芯片测试方法和装置。

背景技术：

1、半导体芯片自刷新模式(self refresh，简称sr)主要用于休眠模式低功耗状态下的数据保存。进入sr前，将cke(clock enable)置于无效状态，进入sr后，不再依靠系统时钟工作，而是根据内部的时钟进行刷新操作，此时除了cke之外的所有外部信号都是无效的，只有重新使cke有效才能退出自刷新模式并进入正常操作状态。

2、请参阅图1，在sr期间，会按照预先设置的刷新频率对存储单元进行刷新操作，即图1中srefen所对应的时序，此时行锤刷新模式(row hammer refresh，rhr)关闭。在sr退出之前，即图1中srx(self refresh exit，自刷新退出模式)之前，会读取当前芯片温度以更新rhr刷新的频率，即图1中stealslotinit所对应的时序。退出sr后，输出启动信号至rhr锁存器以重新开启rhr。如果目标行地址是被修补过的行地址，地址匹配将发生在行锤刷新模式开启命令rhron之后，而非行锤刷新模式锁存rhrlatch之后，此异步信号之间的差值可能会导致修补行地址的逻辑地址与物理地址的匹配信号存在差异，造成两种地址的数据混乱，从而导致此地址的读命令数据错误。

3、如何对半导体芯片的可靠性进行有效测试，以筛选出存在上述读取错误的芯片，成为急需解决的问题。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种芯片测试方法和装置，用于对半导体芯片的可靠性进行有效测试，以筛选出存在读命令数据错误的芯片。

2、第一方面，本申请提供了一种芯片测试方法。所述方法包括：

3、配置刷新参数；

4、进入自刷新模式，基于所述刷新参数执行自刷新操作，自刷新操作完成后退出自刷新模式；其中，所述自刷新操作包括向存储阵列发送刷新命令和行锤刷新命令，所述刷新命令和所述行锤刷新命令的操作次数之和为n+1，所述自刷新操作在第n+1次向所述存储阵列发送的命令为所述行锤刷新命令，n为大于1的正整数；

5、读取所述存储阵列中的数据，当所述数据读取错误时，则确定存在异步信号差值。

6、在其中一个实施例中，在所述配置刷新参数之后，还包括：

7、对所述存储阵列的行地址进行激活，在确定激活的所述行地址为冗余行后，记录所述冗余行地址。

8、在其中一个实施例中，在所述配置刷新参数之后，还包括：

9、对所述存储阵列进行读写测试，在所述存储阵列测试结果正常的情况下，进入自刷新模式。

10、在其中一个实施例中，在所述配置刷新参数之前，还包括：

11、配置测试参数，所述测试参数包括测试温度和测试电压；

12、确定测试温度，以在不同的测试电压下对所述存储阵列进行测试。

13、在其中一个实施例中，所述测试温度的设定范围为90℃～125℃。

14、在其中一个实施例中，所述配置刷新参数，包括：

15、根据所述测试温度确定所述刷新命令的命令间隔时间，其中，所述命令间隔时间关联于所述刷新命令的刷新周期；

16、根据自刷新震荡频率和自刷新平均计数，确定所述刷新命令的数量；

17、调整所述刷新命令的次数，确定所述刷新命令的次数与所述行锤刷新命令的次数的第一比值；其中，所述第一比值满足n：1；

18、根据所述命令间隔时间、所述数量和所述第一比值，确定所述刷新模式的持续时间。

19、在其中一个实施例中，所述根据自刷新震荡频率和自刷新平均计数，确定所述刷新命令的数量，包括：

20、设定所述自刷新震荡频率和所述自刷新平均计数的数值；

21、计算所述自刷新震荡频率和所述自刷新平均计数的比值，得到所述刷新命令的数量。

22、在其中一个实施例中，所述自刷新震荡频率和所述自刷新平均计数的数值变化趋势相反，增加所述自刷新震荡频率的数值，调低所述自刷新平均计数的数值。

23、在其中一个实施例中，所述根据所述命令间隔时间、所述数量和所述第一比值，确定所述刷新模式的持续时间，包括：

24、计算所述命令间隔时间和所述数量的第二比值；

25、计算所述第二比值和n+1的乘积，得到所述刷新模式的持续时间。

26、第二方面，本申请还提供了一种芯片测试装置。所述装置包括：

27、配置模块，用于配置刷新参数；

28、刷新模块，用于进入自刷新模式，基于所述刷新参数执行自刷新操作，自刷新操作完成后退出自刷新模式；其中，所述自刷新操作包括向存储阵列发送刷新命令和行锤刷新命令，所述刷新命令和所述行锤刷新命令的操作次数之和为n+1，所述自刷新操作在第n+1次向所述存储阵列发送的命令为所述行锤刷新命令，n为大于1的正整数；

29、检测模块，用于读取所述存储阵列中的数据，当所述数据读取错误时，则确定存在异步信号差值。

30、上述芯片测试方法和装置，至少具有以下优点：

31、本申请基于配置的刷新参数执行自刷新操作，并在退出自刷新操作后读取存储阵列的数据，以确定是否存储异步信号差值，其中刷新参数满足：在自刷新模式下，刷新命令和行锤刷新命令的操作次数之和为n+1，自刷新操作在第n+1次向存储阵列发送的命令为行锤刷新命令，n为大于1的正整数。本申请配准的刷新参数，不仅可以检测到自刷新模式中存在的数据错误风险，降低了芯片产品的不良率；还可以大幅度降低测试时间，提高测试效率，节约了测试成本。

技术特征：

1.一种芯片测试方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述配置刷新参数之后，还包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述配置刷新参数之后，还包括：

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述配置刷新参数之前，还包括：

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述配置刷新参数，包括：

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述根据自刷新震荡频率和自刷新平均计数，确定所述刷新命令的数量，包括：

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：所述自刷新震荡频率和所述自刷新平均计数的数值变化趋势相反，增加所述自刷新震荡频率的数值，调低所述自刷新平均计数的数值。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述根据所述命令间隔时间、所述数量和所述第一比值，确定所述刷新模式的持续时间，包括：

10.一种芯片测试装置，其特征在于，所述装置包括：

技术总结本申请涉及一种芯片测试方法和装置。所述方法包括：配置刷新参数；进入自刷新模式，基于所述刷新参数执行自刷新操作，自刷新操作完成后退出自刷新模式；其中，所述自刷新操作包括向存储阵列发送刷新命令和行锤刷新命令，所述刷新命令和所述行锤刷新命令的操作次数之和为N+1，所述自刷新操作在第N+1次向所述存储阵列发送的命令为所述行锤刷新命令，N为大于1的正整数；读取所述存储阵列中的数据，当所述数据读取错误时，则确定存在异步信号差值。本申请配准的刷新参数，不仅可以检测到自刷新模式中存在的数据错误风险，降低了芯片产品的不良率；还可以大幅度降低测试时间，提高测试效率，节约了测试成本。技术研发人员：刘凡受保护的技术使用者：长鑫科技集团股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15