非易失性存储器装置和非易失性存储器系统的制作方法

公开的一个或多个示例实施例涉及非易失性存储器装置和包括该非易失性存储器装置的系统。

背景技术：

1、存在对能够将高容量数据存储在需要数据存储的非易失性存储器系统中的非易失性存储器装置的持续需求。非易失性存储器装置的密度需要被增加，以在增加数据存储容量的同时满足消费者要求的高性能和低价格。二维(2d)或平面非易失性存储器装置的集成度主要由单位存储器单元占据的面积确定，这使得集成度受到微图案化技术(micropatterning technology)水平的显著影响。然而，微图案化需要非常昂贵的装置，这使得2d半导体装置具有增加的集成度，但是具有有限的生产潜力。因此，提供包括三维地布置的存储器单元的三维非易失性存储器装置的方案已经被提出。

技术实现思路

1、提供通过有效地利用空间而以最终减小的芯片尺寸生产的非易失性存储器装置以及包括该非易失性存储器装置的系统。

2、提供通过建立作为延伸区域中的形成物的延伸区域沟道结构并且形成板共源极线接触件和输入/输出金属接触件而具有改善的工艺效率的制造非易失性存储器装置的方法。

3、附加的方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地根据该描述将是清楚的，或者可通过呈现的实施例的实践而得知。

4、根据示例实施例的一个方面，一种非易失性存储器装置可包括：多条金属线，沿第一方向堆叠；多个单元结构，与位线连接，所述多个单元结构沿第一方向延伸并且穿过所述多条金属线；多个延伸区域，在所述多条金属线中；板共源极线接触件，与共源极线连接，沿第一方向延伸，并且形成在所述多个延伸区域中的没有形成有所述多个单元结构的至少两个中；以及输入/输出金属接触件，与外部连接垫连接，沿第一方向延伸，并且形成有所述多个延伸区域中的没有形成有板共源极线接触件的至少两个。

5、根据示例实施例的一个方面，一种非易失性存储器装置可包括：多条金属线，沿第一方向延伸，并且沿与第一方向交叉的第二方向堆叠；多个单元结构，穿过所述多条金属线，并且沿第二方向延伸；多个延伸区域；板共源极线接触件，在第一方向上与所述多个单元结构间隔开，沿第二方向延伸，形成在所述多个延伸区域中的没有形成有所述多个单元结构的至少两个中，并且与共源极线连接；以及输入/输出金属接触件，在第一方向上与板共源极线接触件间隔开，沿第二方向延伸，形成在所述多个延伸区域中的没有形成有板共源极线接触件的至少两个中，并且与外部连接垫连接。

6、根据示例实施例的一个方面，一种非易失性存储器系统可包括：非易失性存储器装置，被配置为存储数据，并且包括外部连接垫；以及控制器，被配置为通过外部连接垫控制非易失性存储器装置。非易失性存储器装置可包括：多条金属线，沿第一方向延伸，并且沿与第一方向交叉的第二方向堆叠；多个单元结构，穿过所述多条金属线，并且沿第二方向延伸；多个延伸区域；板共源极线接触件，在第一方向上与所述多个单元结构间隔开，沿第二方向延伸，形成在所述多个延伸区域中的没有形成有所述多个单元结构的至少两个中，并且与共源极线连接；以及输入/输出金属接触件，在第一方向上与板共源极线接触件间隔开，沿第二方向延伸，并且形成在所述多个延伸区域中的没有形成有板共源极线接触件的至少两个中，并且与外部连接垫连接。

技术特征：

1.一种非易失性存储器装置，包括：

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，板共源极线接触件通过第一接触表面与共源极线接触，并且

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，板共源极线接触件具有在第一方向上测量的第一长度，并且

4.根据权利要求1至3中任一项所述的非易失性存储器装置，其中，板共源极线接触件和输入/输出金属接触件同时形成。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的非易失性存储器装置，其中，板共源极线接触件包括内表面，内表面包括绝缘材料。

6.根据权利要求5所述的非易失性存储器装置，其中，板共源极线接触件的绝缘材料围绕导电材料。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的非易失性存储器装置，其中，输入/输出金属接触件各自包括内表面，内表面包括绝缘材料。

8.根据权利要求7所述的非易失性存储器装置，其中，输入/输出金属接触件的绝缘材料围绕导电材料。

9.一种非易失性存储器装置，包括：

10.根据权利要求9所述的非易失性存储器装置，其中，板共源极线接触件通过第一接触表面与共源极线接触，并且

11.根据权利要求9所述的非易失性存储器装置，其中，板共源极线接触件具有在第二方向上测量的第一长度，并且

12.根据权利要求9至11中任一项所述的非易失性存储器装置，其中，板共源极线接触件和输入/输出金属接触件同时形成。

13.根据权利要求9至11中任一项所述的非易失性存储器装置，其中，板共源极线接触件包括内表面，内表面包括绝缘材料。

14.根据权利要求13所述的非易失性存储器装置，其中，板共源极线接触件的绝缘材料围绕导电材料。

15.根据权利要求9至11中任一项所述的非易失性存储器装置，其中，输入/输出金属接触件各自包括内表面，内表面包括绝缘材料。

16.根据权利要求15所述的非易失性存储器装置，其中，输入/输出金属接触件的绝缘材料围绕导电材料。

17.一种非易失性存储器系统，包括：

18.根据权利要求17所述的非易失性存储器系统，其中，板共源极线接触件和输入/输出金属接触件各自包括内表面，内表面包括绝缘材料，并且板共源极线接触件和输入/输出金属接触件各自包括导电材料。

19.根据权利要求17所述的非易失性存储器系统，其中，板共源极线接触件和输入/输出金属接触件同时形成。

20.根据权利要求17至19中任一项所述的非易失性存储器系统，其中，板共源极线接触件通过第一接触表面与共源极线接触，并且

技术总结提供非易失性存储器装置和非易失性存储器系统。所述非易失性存储器装置包括：多条金属线，沿第一方向延伸，并且沿与第一方向交叉的第二方向堆叠；多个单元结构，穿过所述多条金属线，并且沿第二方向延伸；多个延伸区域；板共源极线接触件，与共源极线连接，沿第二方向延伸，并且形成在所述多个延伸区域中的没有形成有所述多个单元结构的至少两个中；以及输入/输出金属接触件，与外部连接垫连接，沿第二方向延伸，并且形成在所述多个延伸区域中的没有形成有板共源极线接触件的至少两个中。技术研发人员：成政泰,张允瑄,崔茂林受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/1/16