通过存储器装置中的电荷共享的字线升压的制作方法

本文中所公开的至少一些实施例大体涉及存储器系统，并且更确切地说，涉及但不限于使用存取线(例如，字线)之间的电荷共享以当存取存储器单元时升高一或多个存取线的电压的存储器装置。

背景技术：

1、存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等的各种电子装置中。通过编程存储器装置的不同状态来存储信息。举例来说，二进制装置具有通常由逻辑“1”或逻辑“0”标示的两种状态。在其它系统中，可存储多于两种状态。为了存取所存储信息，电子装置的组件可以读取或感测存储器装置中的所存储状态。为了存储信息，电子装置的组件可以在存储器装置中写入状态或对状态进行编程。

2、存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻式ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)等。存储器装置可为易失性或非易失性的。非易失性存储器单元可维持其所存储的逻辑状态很长一段时间，即使无外部电源存在也是这样。除非通过外部电源周期性地刷新，否则易失性存储器单元可能随时间推移而丢失其所存储状态。

3、存储装置为存储器装置的实例。典型计算机存储装置具有从主机计算机接收数据存取请求且执行经过编程的计算任务以实施所述请求的控制器，其方式可特定针对于在存储装置中配置的媒体和结构。在一个实例中，存储器控制器管理存储在存储器中的数据且与计算机装置通信。在一些实例中，存储器控制器在固态硬盘中使用，以供移动装置或膝上型计算机或数码相机中使用的媒体使用。

4、固件可用于操作特定存储装置的存储器控制器。在一个实例中，当计算机系统或装置从存储器装置读取数据或将数据写入到存储器装置时，其与存储器控制器通信。

5、存储器装置通常将数据存储在存储器单元中。在一些状况下，存储器单元展现可来源于各种因素的非均一、可变电特性，所述因素包含统计过程变化、循环事件(例如，存储器单元上的读取或写入操作)或漂移(例如，硫族化物合金的电阻变化)等等。

6、在一个实例中，读取数据集(例如，码字或页)是通过确定存储数据集的存储器单元的读取电压(例如，阈值电压的经估计中值)来实行。在一些状况下，存储器装置可包含布置成例如交叉点架构的3d架构的pcm单元阵列，以存储数据集。交叉点架构中的pcm单元可表示与第一组阈值电压相关联的第一逻辑状态(例如，逻辑1、set状态)，或与第二组阈值电压相关联的第二逻辑状态(例如，逻辑0、reset状态)。在一些状况下，数据可使用编码(例如，纠错编码(ecc))来存储以从存储于存储器单元中的数据中的错误来恢复数据。

7、对于电阻可变存储器单元(例如，pcm单元)，可设置多个状态(例如，电阻状态)中的一个。举例来说，单层级单元(slc)可编程为两个状态(例如，逻辑1或0)中的一个，这可取决于单元编程为高于还是低于特定水平的电阻。作为额外实例，各种电阻可变存储器单元可编程成对应于多个数据状态的多个不同状态中的一个，例如，10、01、00、11、111、101、100、1010、1111、0101、0001等。此类单元可被称为多状态单元、多数字单元和/或多层级单元(mlc)。

8、可通过响应于所施加的询问电压而感测通过电阻可变存储器单元的电流来确定(例如，读取)所述单元的状态。基于单元的电阻而变化的所感测电流可指示单元的状态(例如，由单元存储的二进制数据)。已编程的电阻可变存储器单元的电阻可随时间推移而漂移(例如，偏移)。电阻漂移可导致错误地感测电阻可变存储器单元(例如，确定单元处于其已编程为的状态以外的状态中，以及其它问题)。

9、pcm单元例如可编程成复位状态(非晶状态)或置位状态(结晶状态)。复位脉冲(例如，用于将单元编程成复位状态的脉冲)可包含在相对较短时间段内施加到单元的相对较高电流脉冲，使得单元的相变材料熔融且快速冷却，从而产生相对较少量的结晶。相反，置位脉冲(例如，用于将单元编程成置位状态的脉冲)可包含在相对较长时间间隔内以较慢快淬速度施加到单元的相对较低电流脉冲，其导致相变材料的结晶增加。

10、编程信号可施加到选定存储器单元以将所述单元编程成目标状态。读取信号可施加到选定存储器单元以读取所述单元(例如，确定所述单元的状态)。编程信号和读取信号可为例如电流和/或电压脉冲。

技术实现思路

1、本申请提供一种设备，其包括：至少一个存储器阵列，其具有至少一个第一平铺块和至少一个第二平铺块，第一和第二平铺块中的每一个包含存储器单元；存取线，其经配置以选择第一和第二平铺块中的存储器单元的至少一部分；及至少一个控制器，其经配置以对选定存储器单元进行编程，其中：通过将第一电压施加到第一存取线来对第一平铺块中的存储器单元进行编程；通过将第二电压施加到第二存取线来对第二平铺块中的存储器单元进行编程；第一和第二电压以反相方式施加；且通过第一与第二存取线之间的电荷共享来升高第二电压。

技术特征：

1.一种设备，其包括：

2.根据权利要求1所述的设备，其中以反相方式施加所述第一电压和所述第二电压包括使用相反极性并行地施加所述第一电压和所述第二电压。

3.根据权利要求1所述的设备，其中以反相方式施加所述第一电压和所述第二电压包括使用相同形状的波形来施加所述第一电压和所述第二电压，及相对于施加所述第一电压的开始来延迟施加所述第二电压的开始。

4.根据权利要求3所述的设备，其中：

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一电压为第一电压波形，所述第二电压为第二电压波形，且所述第一电压波形和所述第二电压波形为相同的。

6.根据权利要求1所述的设备，其中通过电荷共享升压包括对所述第一存取线进行放电及对所述第二存取线进行充电。

7.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括耦合所述第一存取线与所述第二存取线的开关，其中所述电荷共享是由所述开关控制。

8.根据权利要求7所述的设备，其中所述开关包括由所述控制器控制的一或多个晶体管。

9.根据权利要求1所述的设备，其中施加所述第一电压包括施加第一脉冲以用于处于第一逻辑状态中的存储器单元的漂移消除，及施加第二脉冲以用于将存储器单元从所述第一逻辑状态编程为第二逻辑状态。

10.根据权利要求9所述的设备，其中：

技术总结本申请涉及通过存储器装置中的电荷共享的字线升压。本发明提供与存储器装置有关的系统、方法和设备。在一个方法中，存储器装置包含存储器阵列。所述存储器阵列具有第一平铺块和第二平铺块。所述平铺块中的每一个包含存储器单元。字线经配置以选择所述第一平铺块和所述第二平铺块中的所述存储器单元。控制器通过将第一电压施加到第一字线且将第二电压施加到第二字线而对选定存储器单元进行编程。所述第一电压和所述第二电压以反相方式施加。所述第二电压通过所述第一字线与所述第二字线之间的电荷共享而升高。技术研发人员：M·罗布斯泰利,I·托尔托雷利受保护的技术使用者：美光科技公司技术研发日：技术公布日：2024/1/16