一种NORFLASH存储器测试方法、装置、设备及介质与流程

本技术涉及存储器测试的，特别是涉及一种nor flash存储器测试方法、装置、设备及介质。

背景技术：

1、随着现代技术的发展，存储器作为数据载体被广泛使用，nor flash存储器不仅具备可重复性擦写的能力，而且还具有体积小功耗低的特点，被使用在不同应用场景的微型数字设备中。由于nor flash存储器在生产过程中可能会存在各种缺陷，从而导致存储器失效，成品率降低。因此，需要nor flash存储器进行测试，从而发现存在的缺陷问题，减少使用过程中的隐患。

2、目前，对nor flash存储器的测试中基本采用棋盘格测试方法进行存储器测试，但是在实际运用时，发现目前的测试方法所花费的测试时间较长，导致测试效率较低。

技术实现思路

1、本技术提供了一种nor flash存储器测试方法、装置、设备及介质，通过工作模式寄存器的配置信息实现nor flash存储器测试，从而提高测试效率。

2、第一方面，本技术提供了一种nor flash存储器测试方法，该方法包括：

3、获取存储器的待测区域的测试工作模式，所述测试工作模式包含第一工作模式和第二工作模式，所述第一工作模式所对应的模式和所述第二工作模式所对应的模式相反，所述模式包括正棋盘格模式和反棋盘格模式；

4、根据第一工作模式，在待测区域中写入第一数据，以使写入第一数据后的存储器形成正棋盘格存储结构或反棋盘格存储结构；

5、若第一数据读取检查通过，则根据第二工作模式，在待测区域中写入第二数据，以使写入第二数据后的存储器形成正棋盘格存储结构或反棋盘格存储结构；

6、若第二数据读取检查通过，则结束待测区域的测试。

7、可选地，第一工作模式为正棋盘格模式，第二工作模式为反棋盘格模式，根据第一工作模式，在待测区域中写入第一数据，包括：

8、根据第一工作模式，配置工作模式寄存器为正棋盘格工作模式；

9、配置使能寄存器为使能状态，以使根据正棋盘格工作模式在待测区域的偶数页奇地址以及奇数页偶地址写入第一数据；

10、根据第二工作模式，在待测区域中写入第二数据，包括：

11、配置工作模式寄存器为反棋盘格工作模式；

12、配置使能寄存器为使能状态，以使根据反棋盘格工作模式在待测区域的偶数页偶地址以及奇数页奇地址写入第二数据。

13、可选地，第一工作模式为反棋盘格式模式，第二工作模式为正棋盘格式模式，根据第一工作模式，在待测区域中写入第一数据，包括：

14、配置工作模式寄存器为反棋盘格工作模式；

15、配置使能寄存器为使能状态，以使根据反棋盘格工作模式在待测区域的偶数页偶地址以及奇数页奇地址写入第一数据；

16、根据第二工作模式，在待测区域中写入第二数据，包括：

17、配置工作模式寄存器为正棋盘格工作模式；

18、配置使能寄存器为使能状态，以使根据正棋盘格工作模式在待测区域的偶数页奇地址以及奇数页偶地址写入第二数据。

19、可选地，写入数据包括第一数据和第二数据，对写入数据进行读取检查的过程，包括：

20、读取存储器中的待测区域内的存储空间中的数据，并将数据与预设数据进行对比检查；

21、若对比检查通过，则通过测试；

22、若对比检查失败，则生成错误警告。

23、可选地，根据第一工作模式，在待测区域中写入第一数据之前，还包括：

24、擦除存储器中的待测区域内的存储空间中的数据，以使待测区域内的存储空间中的数据恢复为数字1。

25、可选地，根据第二工作模式，在待测区域中写入第二数据之前，还包括：

26、擦除存储器中的待测区域内的存储空间中的数据，以使待测区域内的存储空间中的数据恢复为数字1。

27、可选地，结束待测区域的测试之后，还包括：

28、根据存储器的空间大小，判断是否完成存储器的遍历测试；

29、若完成存储器的遍历测试，则向工作寄存器发送测试结束请求，以使存储器测试结束；

30、若未完成存储器的遍历测试，则对存储器剩余的待测区域进行测试，直至完成存储器的遍历测试。

31、第二方面，本技术提供了一种nor flash存储器测试装置，该装置包括：

32、获取单元，用于获取存储器的待测区域的测试工作模式，测试工作模式包含第一工作模式和第二工作模式，第一工作模式所对应的模式和第二工作模式所对应的模式相反，模式包括正棋盘格模式和反棋盘格模式；

33、写入单元，用于根据第一工作模式，在待测区域中写入第一数据，写入第一数据后的存储器形成正棋盘格存储结构或反棋盘格存储结构；

34、处理单元，用于若第一数据读取检查通过，则根据第二工作模式，在待测区域中写入第二数据，写入第二数据后的存储器形成正棋盘格存储结构或反棋盘格存储结构；

35、处理单元，还用于若第二数据读取检查通过，则结束待测区域的测试。

36、可选地，写入单元包括：

37、配置子单元，用于根据第一工作模式，配置工作模式寄存器；

38、地址生成子单元，用于根据工作模式寄存器的配置信息，生成写入第一数据的地址信息；

39、数据生成子单元，用于生成棋盘格写入第一数据；

40、写入子单元，用于将第一数据按照写入第一数据的地址信息写入存储器。

41、可选地，处理单元303包括：

42、读取子单元，用于读取存储器中的待测区域内的存储空间中的数据；

43、检查子单元，用于将数据与预设数据进行对比检查；

44、配置子单元，还用于若第一数据读取检查通过，则根据第二工作模式，配置工作模式寄存器；

45、地址生成子单元，用于根据工作模式寄存器的配置信息，生成写入第二数据的地址信息；

46、数据生成子单元，用于生成棋盘格写入第二数据；

47、写入子单元，用于将第二数据按照写入第二数据的地址信息写入存储器。

48、可选地，该装置还包括：

49、判断单元，用于根据存储器的空间大小，判断是否完成存储器的遍历测试；

50、结束子单元，若完成存储器的遍历测试，则用于向工作寄存器发送测试结束请求，以使存储器测试结束。

51、第三方面，本技术提供了一种电子设备，该电子设备包括存储器和处理器：

52、存储器用于存储计算机程序；

53、处理器用于根据计算机程序执行上述第一方面提供的方法。

54、第四方面，本技术提供了一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质用于存储计算机程序，所述计算机程序用于执行上述第一方面提供的方法。

55、由此可见，本技术具有如下有益效果：

56、本技术提供了一种nor flash存储器测试方法，首先获取存储器的待测区域的测试工作模式，再根据测试工作模式中的第一工作模式，在存储器的待测区域中写入第一数据，以使写入第一数据后的存储器形成正棋盘格存储结构或反棋盘格存储结构；若第一数据读取检查通过，则根据测试工作模式中的第二工作模式，在存储器的待测区域中写入第二数据，以使写入第二数据后的存储器形成正棋盘格存储结构或反棋盘格存储结构；若第二数据读取检查通过，则结束待测区域的测试。在此进行对nor flash存储器测试的过程中，根据待测区域的测试工作模式配置工作模式寄存器，则根据工作模式寄存器的配置信息在存储器中写入数据，以使存储器内形成棋盘格存储结构或者反棋盘格存储结构，再将待测区域的数据进行读取并与预设数据进行对比检查来实现存储器测试，由于是对存储器的待测区域内的存储地址进行间隔写入数据，不需要对待测区域内的全部存储地址写入数据，从而减少了编程写入次数，加快了编程速度，提高测试效率。