较高电压晶片与较低电压晶片之间的接口以及相关设备及方法与流程

本公开大体上涉及较高电压晶片与较低电压晶片之间的接口，并且更具体来说，涉及用于将较高电压存储器晶片(例如，nand存储器晶片)与较低电压逻辑晶片对接的隔离晶体管。

背景技术：

1、容忍相对高的电压电势差的电路系统可以特定的方式制造，以便容忍相对高的电压电势差。例如，将暴露于相对较高电压电势差的导电迹线及半导体装置可被制造成具有比将暴露于相对较低电压电势差的导电迹线及半导体装置更大的尺寸。因此，适应相对较高的电压电势通常可以占用相对较大量的半导体晶片面积或“基板面”为代价。

技术实现思路

1、在一些实施例中，一种设备包含存储器晶片及接合到存储器晶片的逻辑晶片。所述存储器晶片包含：数据存储元件阵列，所述数据存储元件阵列的数据存储元件经配置以响应于施加到其的操作电压电势执行操作；位线，其与所述数据存储元件阵列电连接；及隔离装置，其电连接到所述位线。所述逻辑晶片包含通过所述隔离装置电连接到所述位线的逻辑电路系统，所述逻辑电路系统的最大电压电势差容限小于所述操作电压电势与所述逻辑电路系统的参考电压电势之间的操作电压电势差。

2、在额外实施例中，一种操作存储器装置的方法包含将接合到存储器晶片的逻辑晶片的逻辑电路系统与存储器晶片的位线电隔离，所述位线电连接到存储器晶片的数据存储元件。当逻辑电路系统与位线电隔离时，向数据存储元件中的一或多者施加操作电压电势，所述操作电压电势与逻辑电路系统的参考电压电势之间的操作电压电势差大于逻辑电路系统的最大电压电势差容限。由数据存储元件中的一或多者响应于操作电压电势执行操作。逻辑电路系统电连接到位线。

3、在进一步的实施例中，一种设备包含高电压晶片及接合到高电压晶片的低电压晶片。所述高电压晶片包含：高电压电路系统，所述高电压电路系统经配置以响应于操作电压电势而操作；隔离装置，其电连接到所述高电压电路系统；以及导电接触结构，所述导电接触结构通过所述隔离装置电连接到所述高电压电路系统。所述低电压晶片包含电连接到所述导电接触结构的低电压电路系统，所述低电压晶片的最大电压电势差容限小于所述操作电压电势与所述低电压晶片的参考电压电势之间的高电压电势差。

技术特征：

1.一种设备，其包括：

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述隔离装置通过阵列上导电材料电连接到所述位线。

3.根据权利要求2所述的设备，其中所述隔离装置包含具有大于或等于所述操作电压电势差的电压电势差容限的晶体管。

4.根据权利要求2所述的设备，其中所述存储器晶片进一步包括：

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述隔离装置通过经配置以选择性地将页缓冲器电路系统与所述位线隔离的页缓冲器隔离装置电连接到所述位线。

6.根据权利要求5所述的设备，其中所述隔离装置包含具有小于所述操作电压电势差的最大电压电势差容限的晶体管。

7.根据权利要求5所述的设备，其中所述隔离装置通过阵列下导电材料电连接到所述位线。

8.根据权利要求1至7中任一权利要求所述的设备，其中所述隔离装置中的每一者包含金属氧化物半导体场效应晶体管mosfet，所述mosfet包含：

9.根据权利要求8所述的设备，其中在所述第一源极/漏极端子处的第一接触件的第一横截面积大于在所述第二源极/漏极端子处的第二接触件的第二横截面积。

10.根据权利要求8所述的设备，其中所述mosfet进一步包含栅极材料，所述栅极材料定位成与距离所述高电压节点相比相对更靠近所述低电压节点。

11.根据权利要求10所述的设备，其中所述mosfet进一步包含位于所述栅极材料与所述高电压节点之间的场板，并且所述场板是从所述栅极材料的延伸部。

12.根据权利要求10所述的设备，其中所述mosfet进一步包含位于所述栅极材料与所述高电压节点之间的场板，并且所述场板与所述栅极材料分离。

13.根据权利要求10所述的设备，其中所述mosfet进一步包含位于所述栅极材料与所述高电压节点之间的场板，并且所述场板与所述mosfet的作用材料之间的场板氧化物材料的厚度大于200埃。

14.一种操作存储器装置的方法，所述方法包括：

15.根据权利要求14所述的方法，其中将所述逻辑电路系统与所述位线电隔离包括取消断言电连接在所述位线中的一者与所述逻辑电路系统之间的隔离装置的栅极端子。

16.根据权利要求14所述的方法，其中将所述逻辑电路系统与所述位线电隔离包括取消断言隔离装置的栅极端子及从所述栅极端子的栅极材料延伸的场板，所述隔离装置电连接在所述位线中的一者与所述逻辑电路系统之间。

17.根据权利要求14所述的方法，其中将所述逻辑电路系统与所述位线电隔离包括：

18.根据权利要求14至17中任一权利要求所述的方法，其中响应于所述操作电压电势执行所述操作包括执行擦除操作。

19.一种设备，其包括：

20.根据权利要求19所述的设备，其中：

技术总结本公开涉及较高电压晶片与较低电压晶片之间的接口以及相关设备及方法。一种设备包含存储器晶片及逻辑晶片。阵列的数据存储元件经配置以响应于操作电压电势执行操作。所述存储器晶片还包含电连接到所述数据存储元件的位线及电连接到所述位线的隔离装置。所述逻辑晶片接合到所述存储器晶片。所述逻辑晶片包含通过所述隔离装置电连接到所述位线的逻辑电路系统。所述逻辑电路系统的最大电压电势差容限小于所述操作电压电势与所述逻辑电路系统的参考电压电势之间的操作电压电势差。一种方法包含将所述逻辑电路系统与所述位线隔离，将所述操作电压电势施加到所述数据存储元件及将所述逻辑电路系统电连接到所述位线。技术研发人员：M·A·史密斯,K·R·帕雷克,H·A·卡斯特罗受保护的技术使用者：美光科技公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15