用于操作存储器装置的方法和存储器系统与流程

本发明的实施例涉及用于操作存储器装置的方法。

背景技术：

1、存储器系统对数据进行编程并在需要时读取数据，并且存储器系统可包括数据被编程到的存储器装置和用于控制存储器装置的总体操作的存储器控制器。存储器装置可包括非易失性存储器(nvm)和易失性存储器(vm)，非易失性存储器的存储数据在没有被供应电源电压时不消失，易失性存储器的存储数据在没有被供应电源电压时消失。

2、最近，根据针对提高存储器装置的集成度的研究，存储器装置可实现高密度和大容量的目的，同时，用于存储器装置的初始化操作和设置操作的时间也在增加。

技术实现思路

1、一个或多个实施例可提供一种用于减少启动时间的存储器系统。

2、一个或多个实施例还可提供一种用于减少启动时的功耗的存储器系统。

3、一个或多个实施例还可提供一种用于改进电源管理模式下的启动时间的存储器系统。

4、根据实施例的一方面，提供一种用于操作存储器装置的方法，所述方法包括：对第一操作执行第一设置操作，基于第一设置操作读取映射数据，以及对第二操作执行第二设置操作。

5、根据实施例的另一方面，提供一种用于操作存储器装置的方法，所述方法包括：在电源管理模式下接收命令，确定所述命令的类型，基于所述命令的类型对第一操作执行第一设置操作，读取映射数据，以及通过使用所述映射数据来基于所述命令处理请求。

6、根据实施例的另一方面，提供一种存储器系统，所述存储器系统包括：存储器装置；以及存储器处理器，被配置为确定存储器装置中的存储有映射数据的区域；对存储有映射数据的区域执行第一设置操作；基于第一设置操作读取所述映射数据；以及对存储器装置中的未存储有映射数据的区域执行第二设置操作。

技术特征：

1.一种用于操作存储器装置的方法，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，第一操作包括读取操作。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，读取操作是单层单元读取，并且

4.根据权利要求3所述的方法，其中，除单层单元读取之外的存储器操作包括单层单元编程、单层单元擦除以及基于多比特的读取、编程和擦除。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，执行第一设置操作的步骤包括读取防御代码，并且

6.根据权利要求1所述的方法，其中，第一操作包括对主固件代码被编程到的芯片的单层单元读取操作，并且

7.根据权利要求6所述的方法，其中，执行引导加载程序的步骤包括：

8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述用于操作存储器装置的方法还包括：在执行主固件代码之后，

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述用于操作存储器装置的方法还包括：在对第一操作执行第一设置操作之前，

10.根据权利要求9所述的方法，其中，第二操作包括基于多比特的读取、编程和擦除。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，对第一操作执行第一设置操作的步骤包括：

12.根据权利要求11所述的方法，其中，验证存储在页缓冲器中的所述设置数据的有效性的步骤包括：

13.根据权利要求12所述的方法，其中，参考数量是0.75×n。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，第一操作包括非平面独立读取操作，并且

15.一种用于操作存储器装置的方法，所述方法包括：

16.根据权利要求15所述的方法，其中，基于所述命令的类型对第一操作执行第一设置操作的步骤包括：

17.根据权利要求15所述的方法，其中，所述用于操作存储器装置的方法还包括：

18.根据权利要求15所述的方法，其中，所述用于操作存储器装置的方法还包括：

19.一种存储器系统，所述存储器系统包括：

20.根据权利要求19所述的存储器系统，其中，所述区域是存储器装置的裸片或平面。

技术总结提供了用于操作存储器装置的方法和存储器系统，所述方法包括：对第一操作执行第一设置操作；基于第一设置操作读取映射数据；以及对第二操作执行第二设置操作。技术研发人员：李庚德,千允洙,曹大铉受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/1/15