存储器芯片和包括存储器芯片的存储器系统的制作方法

本发明构思涉及存储器芯片和包括存储器芯片的存储器系统。

背景技术：

1、半导体存储器芯片可以包括多个存储单元。多个存储单元可以连接到字线和位线。存储单元可以包括存储电荷的电容器，以及访问该电容器以改变或感测电荷的晶体管。可以通过激活字线、将与该字线相对应的存储单元连接到位线、并且检测位线中的数据，来执行存储器芯片中的读取操作。

2、为了提高存储器芯片的访问速度，可以采用存储体(bank)结构以通过减小字线的长度来减小字线的电容负载。也就是说，存储单元可以包括多个存储体，并且存储器芯片的逻辑电路可以使存储单元以存储体为单位进行工作。另一方面，当多个存储体中的每一个存储体被访问时生成的工作电流幅值可以根据多个存储体与逻辑电路之间的距离而变化。

技术实现思路

1、本发明构思的实施例减小当在包括多个存储器芯片的存储器系统中多个存储器芯片同时工作时生成的峰值电流的最大幅值。

2、根据本发明构思的示例实施例，一种存储器芯片包括：多个存储块，所述多个存储块各自包括多个存储单元；以及逻辑电路，所述逻辑电路被配置为控制所述多个存储块，其中，所述逻辑电路包括：输入/输出焊盘，所述输入/输出焊盘被配置为向所述多个存储块输入数据和从所述多个存储块输出数据，其中，所述逻辑电路进一步被配置为：将彼此具有位反转关系的块地址码分配给所述多个存储块当中的离所述输入/输出焊盘具有第k长距离的存储块和所述多个存储块当中的离所述输入/输出焊盘具有第k短距离的存储块，其中k是自然数；响应于外部控制来输出模式选择信号，响应于所述模式选择信号指示第一寻址模式来输出与访问命令一起接收到的外部地址码，响应于所述模式选择信号指示第二寻址模式来输出与所述外部地址码具有所述位反转关系的地址码，以及基于所述外部地址码或所述第一地址码，从所述多个存储块当中选择要由所述访问命令控制的存储块。

3、根据本发明构思的示例实施例，一种存储器芯片包括：多个存储块，所述多个存储块各自包括多个存储单元；以及逻辑电路，所述逻辑电路被配置为：在所述多个存储块当中配对出成对的存储块，所述成对的存储块包括所述多个存储块当中具有第k高工作电流的存储块和所述多个存储块当中具有第k低工作电流的存储块，其中k是自然数，将彼此具有位反转关系的相应的块地址码分配给被配对的存储块；以及根据寻址模式，使用外部地址码或者使用与所述外部地址码具有所述位反转关系的地址码来控制所述多个存储块。

4、根据本发明构思的示例实施例，一种存储器系统包括：多个存储器芯片，所述多个存储器芯片各自包括多个存储块，所述多个存储器芯片中的每一个存储器芯片被配置为支持第一寻址模式和第二寻址模式，在所述第一寻址模式下，多个地址码是按所述多个存储块的工作电流幅值的顺序分配的，在所述第二寻址模式下，所述多个地址码是按所述多个存储块的所述工作电流幅值的相反顺序分配的；以及处理器，所述处理器被配置为：将所述多个存储器芯片中的一部分存储器芯片确定为在所述第一寻址模式下工作的第一存储器芯片，并且将所述多个存储器芯片中的其余存储器芯片确定为在所述第二寻址模式下工作的第二存储器芯片，以及向所述第一存储器芯片和所述第二存储器芯片提供访问命令和公共地址码。

技术特征：

1.一种存储器芯片，所述存储器芯片包括：

2.根据权利要求1所述的存储器芯片，其中，所述位反转关系是一个所述块地址码的至少一个位相对于另一个所述块地址码的相应位被反转的关系。

3.根据权利要求2所述的存储器芯片，其中，所述多个存储块中的存储块的数目是2n，其中n是自然数，

4.根据权利要求1所述的存储器芯片，其中，

5.根据权利要求1所述的存储器芯片，其中，

6.根据权利要求1所述的存储器芯片，其中，所述多个存储块在所述输入/输出焊盘的一侧排成一排。

7.根据权利要求1所述的存储器芯片，其中，所述多个存储块排列在所述输入/输出焊盘的两侧。

8.根据权利要求1所述的存储器芯片，其中，所述多个存储块均包括：

9.一种存储器芯片，所述存储器芯片包括：

10.根据权利要求9所述的存储器芯片，其中，所述逻辑电路包括输入/输出焊盘，所述输入/输出焊盘被配置为向所述多个存储块输入数据和从所述多个存储块输出数据，并且

11.根据权利要求9所述的存储器芯片，其中，所述多个存储块当中具有第k高工作电流的存储块和所述多个存储块当中具有第k低工作电流的存储块，是基于所述多个存储块中的每一个存储块的工作电流的测量值确定的。

12.一种存储器系统，所述存储器系统包括：

13.根据权利要求12所述的存储器系统，其中，所述公共地址码是指示所述多个存储块当中的第k存储块的地址码，并且

14.根据权利要求12所述的存储器系统，其中，所述处理器被配置为：将所述第一存储器芯片和所述第二存储器芯片确定为使得所述第一存储器芯片的数目等于所述第二存储器芯片的数目。

15.根据权利要求12所述的存储器系统，其中，所述处理器被配置为：将所述第一存储器芯片和所述第二存储器芯片确定为使得所述多个存储器芯片当中的物理上彼此相邻的存储器芯片在不同的寻址模式下工作。

16.根据权利要求12所述的存储器系统，其中，所述多个存储块是被配置为彼此并行工作的存储器存储体，并且

17.根据权利要求12所述的存储器系统，其中，

18.根据权利要求12所述的存储器系统，其中，所述多个存储器芯片被配置为响应于来自所述处理器的所述访问命令和所述公共地址码并行地工作，来作为一个存储器区块。

19.根据权利要求18所述的存储器系统，其中，所述多个存储器芯片构成双列直插式存储器模块。

20.根据权利要求18所述的存储器系统，其中，所述多个存储器芯片构成存储器封装件。

技术总结提供了存储器芯片和包括该存储器芯片的存储器系统。所述存储器芯片包括：多个存储块，各自包括多个存储单元；以及逻辑电路，被配置为控制所述多个存储块，其中，所述逻辑电路包括：输入/输出焊盘，被配置为向所述多个存储块输入数据和从所述多个存储块输出数据；并且其中，所述逻辑电路进一步被配置为：分配彼此具有位反转关系的块地址码；响应于外部控制来输出模式选择信号，响应于所述模式选择信号指示第一寻址模式来输出外部地址码，响应于模式选择信号指示第二寻址模式来输出与所述外部地址码具有位反转关系的地址码；以及从所述多个存储块当中选择要通过访问命令控制的存储块。技术研发人员：鲁光塾受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/1/15