存储器设备和该存储器设备的操作方法与流程

本公开总体上涉及一种存储器设备和该存储器设备的操作方法，并且更具体地，涉及一种被配置为对存储器单元进行编程的存储器设备和该存储器设备的操作方法。

背景技术：

1、存储器系统可以包括被配置为存储数据的存储装置和被配置为控制该存储装置的控制器。

2、存储装置可以包括一个或多个存储器设备，并且控制器可以输出用于控制存储器设备的命令。例如，控制器可以响应于从主机输出的请求而生成编程、读取或擦除命令，并且将该命令发送到存储器设备。存储器设备可以响应于命令来执行编程、读取或擦除操作。编程操作将作为示例来进行描述。存储器设备可以以页为单位对被包括在被选择的存储器块中的存储器单元进行编程。

3、随着存储器设备的集成度增加，被包括在存储器块中的存储器单元之间的距离也减小。当存储器单元之间的距离变窄时，在编程操作中，存储器单元的阈值电压可能由于存储器单元之间的干扰而改变。

技术实现思路

1、根据一个实施例，可以提供一种存储器设备，包括：存储器块，包括多个页，来自多个页的每个页包括存储器单元，存储器单元被配置为根据多个目标电压而被编程为不同的编程状态；以及外围电路，被配置为执行多个页之中的被选择的页的编程操作，其中外围电路被配置为：在被选择的页的编程操作中，将多个目标电压之中的至少一个目标电压降低到子目标电压；以及在与被选择的页相邻的页的编程操作被执行之后，根据与子目标电压相对应的最终目标电压，对被选择的页中根据子目标电压而被编程的存储器单元进行编程。

2、根据一个实施例，可以提供一种操作存储器设备的方法，该方法包括：设置与存储器单元的编程状态相对应的目标电压；将目标电压之中低于参考电压的目标电压降低到子目标电压；根据目标电压之中除了与子目标电压相对应的目标电压之外的其他目标电压和子目标电压，执行被选择的页的编程操作；当被选择的页的编程操作被结束时，执行与被选择的页相邻的页的编程操作；以及当相邻的页的编程操作被结束时，对被选择的页中的根据子目标电压被编程的存储器单元执行附加编程操作。

3、根据一个实施例，可以提供一种操作存储器设备的方法，该方法包括：设置第一目标电压至第k目标电压；将第一目标电压降低到第一子目标电压；根据第一子目标电压对被包括在存储器块中的页之中被包括在第m页中的存储器单元之中的要根据第一目标电压而被编程的存储器单元进行编程，并且根据第二目标电压至第k目标电压对其他存储器单元进行编程；以与对第m页执行的编程操作相同的方式，对被包括在存储器块中的页之中被包括在与第m页相邻的第(m+1)页中的存储器单元进行编程，其中‘m’是大于零的整数；以及当第(m+1)页的编程操作被结束时，根据第一目标电压对被包括在第m页中的存储器单元之中根据第一子目标电压而被编程的存储器单元进行附加编程。

技术特征：

1.一种存储器设备，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述外围电路被配置为以在被包括在所述被选择的页中的存储器单元中存储至少两位数据的方式执行所述编程操作。

3.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述多个目标电压是用于将被包括在所述被选择的页中的所述存储器单元划分成具有不同编程状态的存储器单元的电压。

4.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述外围电路被配置为：

5.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述子目标电压和所述最终目标电压之间的电压差被设置为等于或大于在与所述被选择的页相邻的所述页的所述编程操作中的被包括在所述被选择的页中的存储器单元的阈值电压的变化。

6.根据权利要求5所述的存储器设备，其中所述存储器单元的所述阈值电压的所述变化是通过所述多个页的测试编程操作而被计算的。

7.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述外围电路被配置为以与所述被选择的页的所述编程操作相同的方式执行与所述被选择的页相邻的所述页的所述编程操作。

8.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述外围电路被配置为以增量阶跃脉冲编程ispp方式执行所述编程操作。

9.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述外围电路包括：

10.根据权利要求9所述的存储器设备，其中所述控制电路被配置为确定要被施加到所述多个页的所述多个目标电压和所述子目标电压的电平，并且生成和输出所述操作信号，以使得所述验证电压是根据所述多个目标电压和所述子目标电压而被生成的。

11.一种操作存储器设备的方法，所述方法包括：

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述目标电压是与相应编程状态相对应的阈值电压中的最低电压。

13.根据权利要求11所述的方法，其中在所述目标电压之中除了最低电压之外的其他电压之中选择所述参考电压。

14.根据权利要求11所述的方法，其中低于所述参考电压的所述目标电压和所述子目标电压之间的电压差被设置为等于或大于在相邻的所述页的所述编程操作中被改变的被包括在所述被选择的页中的存储器单元的阈值电压的变化。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述存储器单元的所述阈值电压的所述变化是通过所述页的测试编程操作而被计算的。

16.根据权利要求11所述的方法，其中所述编程操作和所述附加编程操作是以增量阶跃脉冲编程ispp方式被执行的。

17.根据权利要求11所述的方法，其中，在所述附加编程操作中，在所述被选择的页中根据所述子目标电压被编程的存储器单元成为被选择的存储器单元，并且其他存储器单元成为未被选择的存储器单元。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，在所述附加编程操作中，编程允许电压被施加到被连接到所述被选择的存储器单元的位线，并且编程禁止电压被施加到被连接到所述未被选择的存储器单元的位线。

19.根据权利要求18所述的方法，其中所述编程允许电压被设置为接地电压，并且所述编程禁止电压被设置为电源电压。

20.根据权利要求11所述的方法，其中所述目标电压具有在所述存储器设备中被预先确定的默认电平。

21.一种操作存储器设备的方法，所述方法包括：

22.根据权利要求21所述的方法，其中所述第一子目标电压被设置为高于处于擦除状态的存储器单元的阈值电压之中的最高电压并且低于所述第一目标电压。

23.根据权利要求21所述的方法，其中所述第一子目标电压和所述第一目标电压之间的电压差被设置为大于在所述第(m+1)页的所述编程操作中被改变的存储器单元的阈值电压的变化。

技术总结提供了一种存储器设备和该存储器设备的操作方法。该存储器设备包括：存储器块，包括多个页，来自多个页的每个页包括存储器单元，存储器单元被配置为根据多个目标电压而被编程为不同的编程状态；以及外围电路，用于执行多个页之中的被选择的页的编程操作。外围电路被配置为：在被选择的页的编程操作中，将多个目标电压之中的至少一个目标电压降低到子目标电压；以及在与被选择的页相邻的页的编程操作被执行之后，根据与子目标电压相对应的最终目标电压，对被选择的页中根据子目标电压而被编程的存储器单元进行编程。技术研发人员：金在雄受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15