使用缺陷率信息的存储器块编程的制作方法

本公开大体上涉及存储器块编程，且更明确来说，涉及使用缺陷率信息的存储器块编程。

背景技术：

1、存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可为例如非易失性存储器装置及易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统来将数据存储在存储器装置处及从所述存储器装置检索数据。

技术实现思路

1、在一方面中，本公开涉及一种方法，其包括：检索存储器的一部分的缺陷率足迹，存储器的所述部分由多个块组成；基于所述缺陷率足迹确定所述多个块中的当前块的层面编程顺序，其中所述当前块由多个层面组成且其中所述层面编程顺序包括对所述多个层面进行编程的顺序；及根据所述经确定层面编程顺序对所述多个层面进行编程。

2、在另一方面中，本公开涉及一种包括指令的非暂时性计算机可读存储媒体，所述指令在由处理装置执行时致使所述处理装置：检索存储器的一部分的缺陷率足迹，存储器的所述部分由多个块组成；基于所述缺陷率足迹确定所述多个块中的当前块的层面编程顺序，其中所述当前块由多个层面组成且其中所述层面编程顺序包括对所述多个层面进行编程的顺序；及根据所述经确定层面编程顺序对所述多个层面进行编程。

3、在又一方面中，本公开涉及一种系统，其包括：多个存储器装置；及处理装置，其操作性地与所述多个存储器装置耦合以：检索存储器的一部分的缺陷率足迹，存储器的所述部分由多个块组成；基于所述缺陷率足迹确定所述多个块中的当前块的层面编程顺序，其中所述当前块由多个层面组成，其中所述多个层面中的每一者包括顶侧及底侧，且其中所述层面编程顺序包括对所述多个层面进行编程的顺序及对所述多个层面中的每一者进行编程的方向，所述方向指示所述多个层面中的每一者是从所述顶侧到所述底侧进行编程还是从所述底侧到所述顶侧进行编程；及根据所述经确定层面编程顺序对所述多个层面进行编程。

技术特征：

1.一种方法，其包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个层面中的每一者包括顶侧及底侧，且其中所述层面编程顺序进一步包括对所述多个层面中的每一者进行编程的方向，所述方向指示所述多个层面中的每一者是从所述顶侧到所述底侧进行编程还是从所述底侧到所述顶侧进行编程。

3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述缺陷率足迹包括一或多个缺陷的位置及所述一或多个缺陷中的每一者的所述缺陷严重性。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个层面包含两个层面，每一层面包括所述当前块的一半。

6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述编程日志包括存储器的所述部分中的不能够校正的错误的位置的日志。

8.一种包括指令的非暂时性计算机可读存储媒体，所述指令在由处理装置执行时致使所述处理装置进行以下操作：

9.根据权利要求8所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中所述多个层面中的每一者包括顶侧及底侧，且其中所述层面编程顺序进一步包括对所述多个层面中的每一者进行编程的方向，所述方向指示所述多个层面中的每一者是从所述顶侧到所述底侧进行编程还是从所述底侧到所述顶侧进行编程。

10.根据权利要求8所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中所述处理装置进一步用以：

11.根据权利要求10所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中所述缺陷率足迹包括一或多个缺陷的位置及所述一或多个缺陷中的每一者的所述缺陷严重性。

12.根据权利要求8所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中所述多个层面包含两个层面，每一层面包括所述当前块的一半。

13.根据权利要求8所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中所述处理器进一步用以：

14.根据权利要求13所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中所述编程日志包括存储器的所述部分中的不能够校正的错误的位置的日志。

15.一种系统，其包括：

16.根据权利要求15所述的系统，其中所述处理装置进一步用以：

17.根据权利要求16所述的系统，其中所述缺陷率足迹包括一或多个缺陷的位置及所述一或多个缺陷中的每一者的所述缺陷严重性。

18.根据权利要求15所述的系统，其中所述多个层面包含两个层面，每一层面包括所述当前块的一半。

19.根据权利要求15所述的系统，其中所述处理器进一步用以：

20.根据权利要求15所述的系统，其中所述编程日志包括存储器的所述部分中的不能够校正的错误的位置的日志。

技术总结本公开涉及使用缺陷率信息的存储器块编程。方法、系统及设备包含检索存储器的一部分的缺陷率足迹，存储器的所述部分由多个块组成。基于所述缺陷率足迹确定所述多个块中的当前块的层面编程顺序。所述当前块由多个层面组成。所述层面编程顺序是对所述多个层面进行编程的顺序。所述多个层面根据所述经确定层面编程顺序进行编程。技术研发人员：K·K·姆奇尔拉,合田晃,D·S·埃布森,L·K·瓦卡缇,J·朱,P·菲利,S·苏巴劳,V·希夫哈雷,朱方芳受保护的技术使用者：美光科技公司技术研发日：技术公布日：2024/2/1