存储器系统、其操作方法和存储器装置的控制器与流程

背景技术：

1、本公开涉及存储器系统、存储器系统的操作方法和存储器装置的控制器，并且更具体地涉及一种当对存储器装置执行封装后修复(ppr)操作时检测偶然发生的错误并解决在ppr操作期间发生的问题的方法。

2、存储器装置通常包括以矩阵形式布置的多个存储器单元，该矩阵形式包括多个行和多个列。当存储器装置中出现缺陷存储器单元时，缺陷存储器单元可以被冗余存储器单元替换，并且可以执行修复操作以利用冗余行替换缺陷存储器单元连接到的存储器行。ppr操作可以指封装之后在完成的存储器装置中的修复操作。

3、随着存储器装置集成度的提高并且制造工艺越来越精细，单比特(bit)缺陷率越来越高。随着用于检测存储器装置中的缺陷的ppr技术的进一步发展，检测在存储器装置的ppr操作中出现的间歇性错误的情况变得越来越困难。

技术实现思路

1、本发明构思的实施例提供了一种用于检测在封装后修复(ppr)操作期间发生的间歇性错误的存储器系统、存储器系统的操作方法以及存储器装置的控制器。

2、本发明构思的实施例提供了一种包括存储器装置的存储器系统，该存储器装置从主机接收包括封装后修复命令的多个信号。存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括连接到多条字线和多条位线的多个存储器单元、连接到一条或多条冗余字线和多条位线的多个冗余存储器单元、以及反熔丝存储器单元；以及ppr控制电路，其向主机发送对存储器单元阵列的缺陷存储器单元的ppr操作是否已经通过。ppr控制电路确定作为存储器单元阵列中的ppr操作的对象的目标，将ppr操作之前的目标的数据值与ppr操作之后的目标的数据值进行比较，并且基于比较结果确定对目标的ppr操作是否已经通过。

3、本发明构思的实施例进一步提供了一种存储器系统的操作方法。该操作方法包括：由主机向存储器装置请求对存储器单元阵列的缺陷存储器单元进行ppr操作；响应于主机对ppr操作的请求，执行ppr操作，其中执行ppr操作包括从存储器单元阵列中确定作为ppr操作的对象的目标；将ppr操作之前的目标的数据值和ppr操作之后的目标的数据值进行比较；以及基于比较的结果确定ppr操作的状态是通过还是失败。

4、本发明构思的实施例还进一步提供了一种存储器装置的控制器，该存储器装置包括存储器单元阵列和封装后修复(ppr)控制电路，并且该控制器设置在远离该存储器装置定位的主机中。控制器生成请求对作为ppr操作目标的存储器单元阵列的缺陷存储器进行ppr操作的ppr命令信号；将ppr命令信号发送到存储器装置；以及响应于ppr命令信号，从存储器装置的ppr控制电路接收对目标的ppr操作的性能结果。性能结果基于对ppr操作之前和之后的目标的数据值的比较。

技术特征：

1.一种存储器系统，其包括存储器装置，所述存储器装置被配置为从主机接收包括封装后修复命令的多个信号，

2.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述ppr控制电路被配置为当所述ppr操作之后的所述目标的数据值等于所述ppr操作之前的所述目标的数据值时，确定对所述目标的所述ppr操作已经失败。

3.根据权利要求2所述的存储器系统，其中所述ppr控制电路被配置为当所述ppr操作已经失败时向所述主机发送警报信号。

4.根据权利要求3所述的存储器系统，其中所述主机被配置为当接收到所述警报信号时，生成用于重试对所述目标的所述ppr操作的重试信号。

5.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述ppr控制电路包括：第一晶体管，其被配置为接收所述ppr操作之前的所述目标的所述数据值作为第一信号；第二晶体管，其被配置为接收所述ppr操作之后的所述目标的所述数据值作为第二信号；以及逻辑门，其被配置为将所述第一信号与所述第二信号进行比较。

6.根据权利要求5所述的存储器系统，其中所述逻辑门包括异或门，并且所述ppr控制电路被配置为当所述第一信号等于所述第二信号时生成失败信号。

7.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述存储器单元阵列进一步包括具有与所述反熔丝存储器单元不同的电特性的正常熔丝存储器单元，并且其中所述ppr控制电路对所述正常熔丝存储器单元执行所述ppr操作。

8.一种存储器系统的操作方法，所述操作方法包括：

9.根据权利要求8所述的操作方法，其中当所述比较的结果是所述ppr操作之后的所述目标的数据值等于所述ppr操作之前的数据值时，所述确定所述ppr操作的所述状态为失败。

10.根据权利要求9所述的操作方法，其进一步包括当所述ppr操作的所述状态为失败时，向所述存储器系统外部的所述主机发送警报信号。

11.根据权利要求10所述的操作方法，其进一步包括：

12.根据权利要求8所述的操作方法，其中比较所述数据值包括：

13.根据权利要求12所述的操作方法，其中所述逻辑门是异或门，并且所述确定所述ppr操作的所述状态包括当所述第一输入等于所述第二输入时由所述异或门生成失败信号。

14.根据权利要求8所述的操作方法，其中执行所述ppr操作进一步包括对与所述存储器单元阵列的反熔丝存储器单元具有不同电特性的正常熔丝存储器单元执行所述ppr操作。

15.一种存储器装置的控制器，所述存储器装置包括存储器单元阵列和封装后修复(ppr)控制电路，并且所述控制器设置在远离所述存储器装置定位的主机中，

16.根据权利要求15所述的控制器，其进一步被配置为基于所述性能结果向所述存储器装置发送请求对所述目标进行第二ppr操作的重试信号。

17.根据权利要求15所述的控制器，其中当所述ppr操作之前的所述目标的数据值等于所述ppr操作之后的所述目标的数据值时，所述性能结果指示所述ppr操作失败。

18.根据权利要求15所述的控制器，其中当所述ppr操作之前的所述目标的数据值不等于所述ppr操作之后的所述目标的数据值时，所述性能结果指示通过所述ppr操作。

19.根据权利要求15所述的控制器，其被配置为当对所述目标的所述ppr操作已经失败时，从所述ppr控制电路接收警报信号作为所述性能结果。

20.根据权利要求15所述的控制器，其中所述ppr命令信号进一步请求将所述缺陷存储器的地址存储在所述存储器装置的缺陷地址存储单元中。

技术总结一种存储器系统，其包括存储器装置，所述存储器装置从主机接收包括封装后修复(PPR)命令的多个信号，其中所述存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括连接到多条字线和多条位线的多个存储器单元、连接到一条或多条冗余字线和多条位线的多个冗余存储器单元、以及反熔丝存储器单元；以及PPR控制电路，其向主机发送对存储器单元阵列的缺陷存储器单元的PPR操作是否已经通过。技术研发人员：金南亨,金大正,金度翰,徐德浩,宋在仁,崔仁寿受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/2/1