数据保持性能的测试方法、装置、系统、设备及介质与流程

本发明涉及存储器，具体涉及一种数据保持性能的测试方法、装置、电子设备及存储介质。

背景技术：

1、与非(nand)型的闪速存储器(flash)，可以作为大容量数据存储的设备。数据保持性能是评估nand flash可靠性的重要指标之一。数据保持性能指的是：向nand flash写入数据后，保持数据不丢失的能力。

2、nand flash包括存储阵列，存储阵列包含大量呈阵列方式排布的存储单元。现有技术中，通常基于存储单元的阈值电压vt测试nand flash的数据保持性能。

3、在实际应用中，不同的nand flash，可能具有不同的工艺及操作方法，操作方法可以包括写入方法、读取方法及删除方法，由此导致不同的nand flash对应的存储单元阈值电压vt的分布不同。

4、现有在基于存储单元的阈值电压vt测试nand flash的数据保持性能时，还需要结合具体的工艺及操作方法，才能确定nand flash的数据保留性能如何，没有统一的测试方案来定量地测试同一平台上不同容量或不同nand flash产品的数据保留性能，在产品工艺优化提升阶段，非常不利于nandflash的对比与优化。在产品量产阶段，也没有统一的评价标准来确定nand flash的数据保留性能。

技术实现思路

1、本发明要解决的问题是：如何统一地测试存储器的数据保留性能。

2、为解决上述问题，本发明实施例提供了一种数据保持性能的测试方法，所述方法包括：获取待测试存储器的第一对应关系信息及第二对应关系信息；其中，所述第一对应关系信息为对所述待测试存储器烘烤前，存储单元阈值电压与存储单元数量之间的对应关系信息；所述第二对应关系信息为对所述待测试存储器烘烤后，存储单元阈值电压与存储单元数量之间的对应关系信息；基于预设失效位数指数，计算对所述待测试存储器烘烤前，未失效的存储单元对应的阈值电压变化范围；所述预设失效位数指数用于表征所述待测试存储器中失效的存储单元数量；基于所述待测试存储器烘烤前，未失效的存储单元对应的阈值电压变化范围，及所述第二对应关系信息，确定对所述待测试存储器烘烤后尾位存储单元的总数量；基于对所述待测试存储器烘烤后尾位存储单元的总数量，确定所述待测试存储器的数据保持性能。

3、本发明实施例还提供了一种数据保持性能测试装置，所述装置包括：获取单元，适于获取待测试存储器的第一对应关系信息及第二对应关系信息；其中，所述第一对应关系信息为对所述待测试存储器烘烤前，存储单元阈值电压与存储单元数量之间的对应关系信息；所述第二对应关系信息为对所述待测试存储器烘烤后，存储单元阈值电压与存储单元数量之间的对应关系信息；计算单元，适于基于预设失效位数指数，计算对所述待测试存储器烘烤前，未失效的存储单元对应的阈值电压变化范围；所述预设失效位数指数用于表征所述待测试存储器中失效的存储单元数量；第一确定单元，适于基于所述待测试存储器烘烤前，未失效的存储单元对应的阈值电压变化范围，及所述第二对应关系信息，确定对所述待测试存储器烘烤后尾位存储单元的总数量；第二确定单元，适于基于对所述待测试存储器烘烤后尾位存储单元的总数量，确定所述待测试存储器的数据保持性能。

4、本发明实施例还提供了一种测试系统，所述测试系统包括上述的数据保持性能测试装置，及待测试存储器；所述数据保持性能测试装置与所述待测试存储器连接，适于测试所述待测试存储器的数据保持性能。

5、本发明实施例还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行，以实现上述任一种所述方法的步骤。

6、本发明实施例还提供了一种电子设备，包括存储器和处理器，所述存储器上存储有能够在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器运行所述计算机程序时执行上述任一种所述方法的步骤。

7、与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：

8、应用本发明的方案，获取第一对应关系信息及第二对应关系信息后，先计算对所述待测试存储器烘烤前，未失效的存储单元存对应的阈值电压变化范围，再基于该阈值电压变化范围及所述第二对应关系信息，确定对所述待测试存储器烘烤后尾位存储单元的总数量，最后基于对所述待测试存储器烘烤后尾位存储单元的总数量，确定所述待测试存储器的数据保持性能。整个测试过程，无需结合具体的工艺及操作方法，最终基于对所述待测试存储器烘烤后尾位存储单元的总数量，即可确定待测试存储器的数据保持性能，故可以作为统一的测试方案来定量地测试nand flash的数据保留性能，适于在同一个技术平台上测试不同容量或产品的nand flash的数据保持性能。

技术特征：

1.一种数据保持性能的测试方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的数据保持性能的测试方法，其特征在于，所述基于所述待测试存储器烘烤前，未失效的存储单元对应的阈值电压变化范围，及所述第二对应关系信息，确定对所述待测试存储器烘烤后尾位存储单元的总数量，包括：

3.如权利要求2所述的数据保持性能的测试方法，其特征在于，所述基于所述待测试存储器烘烤前，未失效的存储单元对应的阈值电压变化范围，及对所述待测试存储器烘烤后最大存储单元数量对应的阈值电压值，确定对所述待测试存储器烘烤后尾位边界对应阈值电压值，包括：

4.如权利要求1所述的数据保持性能的测试方法，其特征在于，所述基于对所述待测试存储器烘烤后尾位存储单元的总数量，确定所述待测试存储器的数据保持性能，包括：

5.一种数据保持性能测试装置，其特征在于，包括：

6.如权利要求5所述的数据保持性能测试装置，其特征在于，所述第一确定单元包括：

7.如权利要求5所述的数据保持性能测试装置，其特征在于，所述第二确定单元，适于对所述待测试存储器烘烤后尾位存储单元的总数量执行归一化操作，以及基于归一化操作的结果，确定所述待测试存储器的数据保持性能。

8.一种测试系统，其特征在于，包括权利要求5至7任一项所述的数据保持性能测试装置，及待测试存储器；所述数据保持性能测试装置与所述待测试存储器连接，适于测试所述待测试存储器的数据保持性能。

9.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行，以实现权利要求1至4任一项所述方法的步骤。

10.一种电子设备，包括存储器和处理器，所述存储器上存储有能够在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器运行所述计算机程序时执行权利要求1至4任一项所述方法的步骤。

技术总结一种数据保持性能的测试方法、装置、电子设备及存储介质。所述方法包括：获取待测试存储器的第一对应关系信息及第二对应关系信息；基于预设失效位数指数，计算对所述待测试存储器烘烤前，未失效的存储单元对应的阈值电压变化范围；基于所述待测试存储器烘烤前，未失效的存储单元对应的阈值电压变化范围，及所述第二对应关系信息，确定对所述待测试存储器烘烤后尾位存储单元的总数量；基于对所述待测试存储器烘烤后尾位存储单元的总数量，确定所述待测试存储器的数据保持性能。采用上述方案，可以在同一技术平台上对任意存储器的数据保留性能进行测试。技术研发人员：李勇,程东向,巨晓华受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司技术研发日：技术公布日：2024/2/1