一种SRAM电路及其立体结构和电子设备的制作方法

本申请实施例涉及半导体技术，尤指一种sram电路及其立体结构和电子设备。

背景技术：

1、随着芯片尺寸不断微缩，平面型存储器在物理面积、显影技术以及存储密度等方面的发展已经达到了极限。为了解决极限问题和降低单位存储的生产成本，将最基本的存储电路单元实现多层堆栈的立体结构变得非常迫切。

技术实现思路

1、本申请实施例提供了一种sram电路及其立体结构和电子设备，能够减小存储单元尺寸，支持多重堆叠，增大存储密度，从而减少生产成本。

2、本申请实施例提供了一种sram电路，包括：多个n型金属氧化物半导体nmos晶体管和多个p型金属氧化物半导体pmos晶体管；多个nmos晶体管包括：作为存储单元的第一类型nmos晶体管和作为控制开关的第二类型nmos晶体管；所述第一类型nmos晶体管和多个pmos晶体管构成多个交叉耦合的反相器；

3、所述反相器的受控端与所述第二类型nmos晶体管的第一电极相连；

4、所述反相器的电源端与电源相连，所述反相器的接地端接地；

5、所述第二类型nmos晶体管的第二电极与位线相连；所述第二类型nmos晶体管的栅极与公共字线相连；

6、其中，所述多个nmos晶体管构成一个垂直晶体管；所述多个pmos晶体管构成一个垂直晶体管；所述多个nmos晶体管的垂直晶体管和所述多个pmos晶体管的垂直晶体管垂直堆叠；

7、所述多个nmos晶体管的垂直晶体管和所述多个pmos晶体管的垂直晶体管的沟道为垂直沟道，所述多个nmos晶体管的垂直晶体管和所述多个pmos晶体管的垂直晶体管通过所述垂直沟道连接。

8、本申请实施例提供了一种sram电路的立体结构，基于上述的sram电路；包括：多个n型金属氧化物半导体nmos晶体管结构和多个p型金属氧化物半导体pmos晶体管结构，

9、nmos晶体管结构和pmos晶体管结构垂直堆叠；

10、所述nmos晶体管结构和所述pmos晶体管结构分别为垂直晶体管且所述垂直晶体管的沟道为垂直环形沟道，所述nmos晶体管结构和所述pmos晶体管结构通过所述垂直环形沟道连接。

11、本申请实施例提供了一种sram电路的立体结构，可以包括：多个n型金属氧化物半导体的nmos晶体管的结构和多个p型金属氧化物半导体的pmos晶体管的结构，所述nmos晶体管的结构设置于底层，所述pmos晶体管的结构设置于所述nmos晶体管的结构上方；

12、所述nmos晶体管的结构和所述pmos晶体管的结构分别为垂直晶体管且所述垂直晶体管的沟道为垂直环形沟道，所述nmos晶体管的结构和所述pmos晶体管的结构通过所述垂直环形沟道连接。

13、本申请实施例提供了一种电子设备，可以包括所述的sram电路的立体结构。

14、与相关技术相比，本申请实施例的sram电路，包括：多个n型金属氧化物半导体nmos晶体管和多个p型金属氧化物半导体pmos晶体管；多个nmos晶体管包括：作为存储单元的第一类型nmos晶体管和作为控制开关的第二类型nmos晶体管；所述第一类型nmos晶体管和多个pmos晶体管构成多个交叉耦合的反相器；所述反相器的受控端与所述第二类型nmos晶体管的第一电极相连；所述反相器的电源端与电源相连，所述反相器的接地端接地；所述第二类型nmos晶体管的第二电极与位线相连；所述第二类型nmos晶体管的栅极与公共字线相连；其中，所述多个nmos晶体管构成一个垂直晶体管；所述多个pmos晶体管构成一个垂直晶体管；所述多个nmos晶体管的垂直晶体管和所述多个pmos晶体管的垂直晶体管垂直堆叠；所述多个nmos晶体管的垂直晶体管和所述多个pmos晶体管的垂直晶体管的沟道为垂直沟道，所述多个nmos晶体管的垂直晶体管和所述多个pmos晶体管的垂直晶体管通过所述垂直沟道连接。通过该实施例方案，减小了存储单元尺寸，实现了支持多重堆叠，增大了存储密度，从而减少了生产成本。

15、本申请的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本申请而了解。本申请的其他优点可通过在说明书以及附图中所描述的方案来实现和获得。

技术特征：

1.一种sram电路，其特征在于，包括：多个n型金属氧化物半导体nmos晶体管和多个p型金属氧化物半导体pmos晶体管；多个nmos晶体管包括：第一类型nmos晶体管和第二类型nmos晶体管；所述第一类型nmos晶体管和多个pmos晶体管构成多个交叉耦合的反相器；

2.根据权利要求1所述的sram电路，其特征在于，所述第一类型nmos晶体管包括：第一nmos晶体管和第二nmos晶体管；所述第二类型nmos晶体管包括：第三nmos晶体管和第四nmos晶体管；多个pmos晶体管包括：第一pmos晶体管和第二pmos晶体管；

3.根据权利要求1或2所述的sram电路，其特征在于，所述多个nmos晶体管构成的垂直晶体管位于底层，所述多个pmos晶体管构成的垂直晶体管位于所述多个nmos晶体管构成的垂直晶体管的上方。

4.根据权利要求3所述的sram电路，其特征在于，所述垂直沟道在所述多个pmos晶体管构成的垂直晶体管的上方进行连接。

5.根据权利要求1或2所述的sram电路，其特征在于，所述多个nmos晶体管构成的垂直晶体管与所述多个pmos晶体管构成的垂直晶体管之间设置有隔离层。

6.一种sram电路的立体结构，其特征在于，基于如权利要求1-5任意一项所述的sram电路；包括：多个n型金属氧化物半导体nmos晶体管结构和多个p型金属氧化物半导体pmos晶体管结构；

7.根据权利要求6所述的sram电路的立体结构，其特征在于，所述nmos晶体管结构，包括：

8.根据权利要求7所述的sram电路的立体结构，其特征在于，所述第一结构，包括：

9.根据权利要求8所述的sram电路的立体结构，其特征在于，

10.根据权利要求9所述的sram电路的立体结构，其特征在于，所述pmos晶体管结构，包括：

11.根据权利要求10所述的sram电路的立体结构，其特征在于，所述第二结构，包括：

12.根据权利要求11所述的sram电路的立体结构，其特征在于，所述第三重掺杂的n型硅和所述第一重掺杂的p型硅之间设置有第五层硅氧化物。

13.根据权利要求12所述的sram电路的立体结构，其特征在于，

14.根据权利要求6所述的sram电路的立体结构，其特征在于，所述垂直环形沟道的结构，包括：

15.一种sram电路的立体结构，其特征在于，包括：多个n型金属氧化物半导体的nmos晶体管的结构和多个p型金属氧化物半导体的pmos晶体管的结构，所述nmos晶体管的结构设置于底层，所述pmos晶体管的结构设置于所述nmos晶体管的结构上方；

16.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求6-14任意一项所述的sram电路的立体结构，或者，包括如权利要求15所述的sram电路的立体结构。

技术总结本申请实施例公开了一种SRAM电路及其立体结构和电子设备，SRAM电路包括：多个NMOS晶体管和多个PMOS晶体管；NMOS晶体管包括第一类型NMOS晶体管和第二类型NMOS晶体管；第一类型NMOS晶体管和PMOS晶体管构成反相器；反相器受控端与第二类型NMOS晶体管的第一电极相连；第二类型NMOS晶体管的第二电极与位线相连，栅极与公共字线相连；多个NMOS和多个PMOS晶体管分别构成一个垂直晶体管；NMOS晶体管和PMOS晶体管的垂直晶体管垂直堆叠；垂直晶体管的沟道为垂直沟道，多个垂直晶体管通过垂直沟道连接。该实施例方案减小了存储单元尺寸，支持多重堆叠，增大了存储密度，减少了生产成本。技术研发人员：桂文华,戴瑾,王祥升,王桂磊,毛淑娟,于伟受保护的技术使用者：北京超弦存储器研究院技术研发日：技术公布日：2024/2/1