一种内存器装置与集成电路的制作方法

本技术涉及一种内存器装置与集成电路。

背景技术：

1、在一些非易失性内存装置中，信息的每一个位存储于具有两种状态的内存装置中。非易失性内存装置的实例包括相变随机存取内存(phase change random accessmemory，pcram)装置、电阻式随机存取内存(resistive random access memory，rram)装置及磁阻式随机存取内存(magnetoresistive random access memory，mram)装置。内存装置的两种状态可具有不同的数据保存失效率(retention failure rate)。

2、须注意的是，“先前技术”段落的内容是用来帮助了解本实用新型。在“先前技术”段落所揭露的部份内容(或全部内容)可能不是所属技术领域中具有通常知识者所知道的习知技术。在“先前技术”段落所揭露的内容，不代表该内容在本实用新型申请前已被所属技术领域中具有通常知识者所知悉。

技术实现思路

1、本实用新型提供一种内存器装置与集成电路。

2、本实用新型的一些实施例提供一种集成电路。集成电路包括具有存储单元的内存器、写入路径开关、被配置成接收数据集的数据的写入端以及写入驱动器。在所述集成电路中，存储单元具有第一状态和第二状态。内存器被配置为使具有第一状态的存储单元以比具有第二状态的存储单元更少的能量被读取，或者被配置为使具有第一状态的存储单元比具有第二状态的存储单元具有更少的保存误差。写入路径开关被配置成具有由特征位所决定的连接状态。写入驱动器具有输入端，输入端被配置成经由由写入路径开关的连接状态决定的第一写入路径或第二写入路径而自写入端接收输入数据，其中所述写入驱动器被配置为将所述输入数据的一个输入位作为存储位写入所述存储单元。通过第一写入路径接收的输入数据被配置为等于写入端的数据，而通过第二写入路径接收的输入数据被配置为写入端的数据的按位补码。

3、本实用新型的一些实施例提供一种内存器装置。内存器包括存储单元以及感测放大器。存储单元具有第一状态和第二状态，且具有存储在存储单元中的数据的特征位，其中读取具有第一状态的存储单元比读取具有第二状态的存储单元消耗更少的能量，或者其中具有第一状态的存储单元比具有第二的存储单元具有更少的保存误差状态。感测放大器被配置成经由感测放大器并经由基于特征位选择的第一读取路径或第二读取路径来读取存储单元中所存储的位。感测放大器被配置为从存储的位中产生感测位，第一读取路径被配置为当选择第一读取路径时从感测位产生第一输出位，并且第二读取路径被配置为在选择第二读取路径时从感测位产生第二输出位。其中，响应于选择第一读取路径而从感测位产生的第一输出位被配置为响应于选择第二读取路径而从感测位产生第二输出位的按位补码。

4、基于上述，本实用新型的诸实施例提供一种集成电路和一种内存器装置用以解决将数据中的每一个位存入内存装置的存储单元中时影响到数据可靠度的问题。由于集成电路和内存器装置中的存储单元有优选状态(较佳的选择状态)和非优选状态(非较佳的选择状态，与非优选状态相比，优选状态更不易出现保持错误。

5、为让本实用新型的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

技术特征：

1.一种集成电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，其中所述特征位是最高有效位。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，其中所述特征位是紧邻最高有效位的位。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，其中所述特征位是与最高有效位相隔一个或多个位的位。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，其中所述第一写入路径包括连接于所述写入驱动器的所述输入端和所述写入端之间的电导体，并且所述第二写入路径包括可操作地连接于所述写入驱动器的所述输入端和所述写入端之间的反相器。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，更包括：

7.根据权利要求6所述的集成电路，其特征在于，其中所述第一读取路径包括连接在所述感测放大器的输出端和读取端之间的电导体，以及所述第二读取路径包括可操作地连接在所述感测放大器的所述输出端和所述读取端之间的反相器。

8.一种内存器装置，其特征在于，包括：

9.根据权利要求8所述的内存器装置，其特征在于，其中所述内存器装置被配置为在所述第一状态存储二进制1，其中输入数据是以2的补码所表示的整数，更包括：

10.根据权利要求8所述的内存器装置，其特征在于，其中输入数据通过写入驱动器存储到所述内存器装置中，更包括：

技术总结本技术提供一种内存器装置与集成电路。集成电路包括内存器、写入路径开关、写入端及写入驱动器。内存器具有存储单元。存储单元具有第一和第二状态。写入路径开关具有由特征位所决定的连接状态。写入驱动器具有输入端，输入端通过由写入路径开关的连接状态决定的第一或第二写入路径而自写入端接收输入数据。写入驱动器被配置为将输入数据的输入位作为存储位写入存储单元。通过第一写入路径接收的输入数据被配置为等于写入端的数据，而通过第二写入路径接收的输入数据被配置为写入端的数据的按位补码。技术研发人员：柯文昇,吴瑞仁,刘仁杰,张孟凡受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司技术研发日：20230420技术公布日：2024/2/1