存储器设备和存储器设备的操作方法与流程

本公开总体上涉及存储器设备和存储器设备的操作方法，并且更具体地，涉及被配置为执行编程操作的存储器设备和该存储器设备的操作方法。

背景技术：

1、存储器设备可以包括：在其中存储数据的存储器单元阵列；被配置为执行编程、读取或擦除操作的外围电路；以及被配置为控制外围电路的控制逻辑。

2、存储器单元阵列可以包括多个存储器块，并且多个存储器块中的每个存储器块可以包括多个存储器单元。存储器设备可以被实现为二维结构或三维结构。

3、在被实现为二维结构的存储器设备中，存储器单元可以被布置在平行于衬底的方向上。因为存储器单元被布置成平行于衬底，所以存储器单元的沟道可以由单晶硅形成。

4、在被实现为三维结构的存储器设备中，存储器单元可以被堆叠在垂直于衬底的方向上。因为存储器单元被堆叠在衬底上方，所以存储器单元的沟道可以由多晶硅形成。多晶硅被配置有多个晶粒，并且因此晶粒的边界可能成为捕获点。当捕获点被空穴填充时，沟道可能会变成类似供体(donor)的状态。沟道电位可以被增加到正电平。当在被选择的存储器块中执行编程操作时，可能在未被选择的存储器块中发生这种现象。当在未被选择的存储器块中发生沟道升压时，可能影响可以在未被选择的存储器块中执行的后续操作，并且因此，存储器设备的可靠性可能降低。

技术实现思路

1、一些实施例提供了存储器设备和存储器设备的操作方法，其中在被选择的存储器块的编程操作期间可以在未被选择的存储器块中抑制沟道升压。

2、根据本公开的实施例，存储器设备包括：第一存储器块和第二存储器块，各自包括多个存储器单元；电压生成器，其被配置为将操作电压施加到第一全局线，在操作电压被施加的同时选择性地将正电压施加到包括在第二全局线中的全局选择线，并且将接地电压施加到第二全局线之中除了全局选择线之外的其他全局线；以及行解码器，其被配置为接通在第一全局线和连接到第一存储器块的第一局部线之间的第一通过开关，并且被配置为关断在第二全局线和连接到第二存储器块的第二局部线之间的第二通过开关。

3、根据本公开的另一实施例，存储器设备包括：第一存储器块和第二存储器块，各自包括多个存储器单元；电压生成器，其被配置为将操作电压施加到第一全局线，在所述操作电压被施加的同时选择性地将正电压施加到包括在第二全局线中的全局选择线，并且将接地电压施加到第二全局线之中除了全局选择线之外的其他全局线；以及行解码器，其被配置为将具有高电压的第一块选择信号施加到在第一全局线和连接到第一存储器块的第一局部线之间的第一通过开关，并且选择性地将负电压施加到在第二全局线和连接到第二存储器块的第二局部线之间的第二通过开关。

4、根据本公开的又一实施例，操作存储器设备的方法包括：接通在第一全局线和连接到第一存储器块的第一局部线之间的第一通过开关；关断在第二全局线和连接到第二存储器块的第二局部线之间的第二通过开关；将编程电压施加到第一全局线之中的被选择的全局字线；当编程电压被施加到被选择的全局字线时，将正电压施加到第二全局线之中的全局选择线；以及当编程电压被施加到被选择的全局字线时，将负电压施加到第二通过开关的栅极。

技术特征：

1.一种存储器设备，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述电压生成器包括：

3.根据权利要求2所述的存储器设备，其中所述第二操作电压生成器被配置为：当所述第一操作电压生成器将所述操作电压施加到所述第一全局线时，将所述接地电压施加到所述第二全局线，以及

4.根据权利要求3所述的存储器设备，其中所述第二操作电压生成器被配置为：在所述编程电压被施加到所述第一全局线之中的所述被选择的全局字线的同时，将所述正电压施加到所述全局选择线达一定时间并且然后将所述接地电压施加到所述全局选择线。

5.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述操作电压包括编程电压、通过电压和接通电压。

6.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述行解码器还包括：

7.根据权利要求6所述的存储器设备，其中所述第一通过开关分别连接在包括在所述第一全局线中的全局选择线和全局字线与包括在所述第一局部线中的选择线和字线之间。

8.根据权利要求7所述的存储器设备，其中所述选择线连接到所述第一存储器块的选择晶体管的栅极，以及

9.根据权利要求6所述的存储器设备，其中所述第二通过开关分别连接在包括在所述第二全局线中的全局选择线和全局字线与包括在所述第二局部线中的选择线和字线之间。

10.根据权利要求9所述的存储器设备，其中所述选择线连接到所述第二存储器块的选择晶体管的栅极，以及

11.根据权利要求6所述的存储器设备，其中所述第一解码器被配置为输出作为高电压的所述第一块选择信号以接通所述第一通过开关。

12.根据权利要求11所述的存储器设备，其中所述高电压被设置为通过将所述第一通过开关的阈值电压与编程电压相加而获得的电压，或者被设置为比通过将所述第一通过开关的所述阈值电压与所述编程电压相加而获得的所述电压高的电压。

13.根据权利要求6所述的存储器设备，其中所述第二解码器被配置为输出作为负电压的所述第二块选择信号以关断所述第二通过开关。

14.一种存储器设备，包括：

15.根据权利要求14所述的存储器设备，其中所述电压生成器被配置为：在所述操作电压被施加到所述第一全局线的同时，将接地电压施加到所述第二全局线，以及

16.根据权利要求14所述的存储器设备，其中所述行解码器被配置为：在所述电压生成器将所述正电压施加到包括在所述第二全局线中的所述全局选择线的同时，将所述负电压施加到所述第二通过开关。

17.一种操作存储器设备的方法，所述方法包括：

18.根据权利要求17所述的方法，其中在所述第一通过开关的所述接通时，具有高电压的第一块选择信号被施加到所述第一通过开关的栅极。

19.根据权利要求18所述的方法，其中所述高电压被设置为通过将所述第一通过开关的阈值电压与所述编程电压相加而获得的电压，或者被设置为比通过将所述第一通过开关的所述阈值电压与所述编程电压相加而获得的所述电压高的电压。

20.根据权利要求17所述的方法，其中在所述第二通过开关的所述关断时，具有接地电压的第二块选择信号被施加到所述第二通过开关的所述栅极。

21.根据权利要求17所述的方法，其中在将所述编程电压施加到所述第一全局线之中的所述被选择的全局字线的同时，执行将所述负电压施加到所述第二通过开关的所述栅极。

22.根据权利要求21所述的方法，其中在将所述负电压施加到所述第二通过开关的所述栅极的同时，执行将所述正电压施加到所述第二全局线之中的所述全局选择线。

23.根据权利要求17所述的方法，还包括：在将所述正电压施加到所述第二全局线之中的所述全局选择线之前，将接地电压施加到所述第二全局线。

24.根据权利要求17所述的方法，其中在所述全局选择线和连接到所述第二存储器块的选择晶体管的局部选择线之间关断所述第二通过开关。

技术总结本公开的实施例涉及存储器设备和存储器设备的操作方法，存储器设备包括第一存储器块和第二存储器块，第一存储器块和第二存储器块各自包括多个存储器单元。存储器设备还包括电压生成器，电压生成器用于将操作电压施加到第一全局线，在操作电压被施加的同时选择性地将正电压施加到包括在第二全局线中的全局选择线，并且将接地电压施加到第二全局线之中除了全局选择线之外的其他全局线。存储器设备还包括行解码器，行解码器用于接通在第一全局线和连接到第一存储器块的第一局部线之间的第一通过开关，以及关断在第二全局线和连接到第二存储器块的第二局部线之间的第二通过开关。技术研发人员：全南喆受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/2/6