存储器设备和该存储器设备的操作方法与流程

本公开总体上涉及存储器设备和该存储器设备的操作方法，并且更具体地，涉及具有三维结构的存储器设备和该存储器设备的操作方法。

背景技术：

1、存储器设备可以包括在其中存储数据的存储器单元阵列和被配置为执行编程、读取或擦除操作的外围电路。

2、存储器单元阵列可以包括多个存储器块，并且该多个存储器块中的每个存储器块可以包括多个存储器单元。

3、外围电路可以包括：控制电路，其用于响应于从外部控制器传输的命令而控制存储器设备的总体操作；以及电路，其被配置为在控制电路的控制下执行编程、预编程、读取或擦除操作。

4、存储器设备可以被配置为响应于从控制器输出的命令而执行编程、读取或擦除操作。擦除操作是擦除包括在被选择的存储器块中的所有存储器单元的操作。擦除操作可以独立地执行，或者可以在执行被选择的存储器块的编程操作之前执行。

5、当过度执行被选择的存储器块的擦除操作时，执行后续编程操作所花费的时间可能增加。因此，在执行擦除操作之前，可以执行用于增加包括在被选择的存储器块中的存储器单元的阈值电压的预编程操作。该预编程操作是在擦除操作中执行的操作，以便缩短执行待执行的后续编程操作所花费的时间，并且因此，应当缩短执行预编程操作所花费的时间。

技术实现思路

1、依照本公开的一个方面，提供一种存储器设备，该存储器设备包括：连接在源极线与位线之间的第一选择晶体管、多个存储器单元和第二选择晶体管；以及外围电路，其被配置为对该多个存储器单元执行预编程操作并且然后对该多个存储器单元执行擦除操作，其中在预编程操作中，外围电路被配置为将编程电压施加到字线，该字线连接到与已经浮置的通道相对应的该多个存储器单元。

2、依照本公开的另一方面，提供一种操作存储器设备的方法，该方法包括：对多个存储器单元执行预编程操作，该多个存储器单元与第一选择晶体管和第二选择晶体管一起连接在源极线与位线之间；以及执行擦除操作，该擦除操作擦除对其执行预编程操作的该多个存储器单元，其中预编程操作包括：将编程电压施加到与该多个存储器单元连接的多个字线；在其中编程电压被施加到字线的时段中的部分时段中，使对应于存储器单元的通道浮置；以及当通道已经浮置达某一时间时，接通第一选择晶体管和第二选择晶体管中的至少一者。

技术特征：

1.一种存储器设备，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述外围电路关断所述第一选择晶体管和所述第二选择晶体管，以使对应于所述多个存储器单元的所述通道浮置。

3.根据权利要求1所述的存储器设备，其中当施加到所述字线的所述编程电压被增加到目标电平时，所述外围电路被配置为将编程允许电压施加到所述位线，并且被配置为接通所述第一选择晶体管和所述第二选择晶体管中邻近所述位线的一者。

4.根据权利要求3所述的存储器设备，其中所述目标电平被设置为使得所述多个存储器单元的阈值电压增加。

5.根据权利要求1所述的存储器设备，其中在施加到所述字线的所述编程电压被增加到目标电平之前，所述外围电路被配置为将编程允许电压施加到所述位线，并且被配置为接通所述第一选择晶体管和所述第二选择晶体管中邻近所述位线的一者。

6.根据权利要求1所述的存储器设备，其中当施加到所述字线的所述编程电压被增加到目标电平时，所述外围电路被配置为将编程允许电压施加到所述源极线和所述位线，并且被配置为接通所述第一选择晶体管和所述第二选择晶体管。

7.根据权利要求1所述的存储器设备，其中在所述编程电压被施加到所述字线达某一时间之后，所述外围电路使连接到所述第一选择晶体管的第一选择线、连接到所述第二选择晶体管的第二选择线和所述字线放电。

8.根据权利要求1所述的存储器设备，其中在所述编程电压被施加到所述字线达某一时间之后，所述外围电路初始化在所述多个存储器单元之间的所述通道。

9.根据权利要求1所述的存储器设备，还包括：

10.根据权利要求9所述的存储器设备，其中所述外围电路关断所述第一虚设单元和所述第二虚设单元并且接通所述第一选择晶体管或所述第二选择晶体管，以使所述多个存储器单元之间的所述通道浮置。

11.根据权利要求10所述的存储器设备，其中当施加到所述字线的所述编程电压被增加到目标电平时，所述外围电路被配置为将编程允许电压施加到所述位线，并且被配置为接通所述第一选择晶体管和所述第二选择晶体管中邻近所述位线的一者。

12.根据权利要求10所述的存储器设备，其中在施加到所述字线的所述编程电压被增加到目标电平之前，所述外围电路被配置为将编程允许电压施加到所述位线，并且被配置为接通所述第一选择晶体管和所述第二选择晶体管中邻近所述位线的一者。

13.根据权利要求9所述的存储器设备，其中所述外围电路关断所述第一虚设单元和所述第二虚设单元并且接通所述第一选择晶体管和所述第二选择晶体管，以使所述多个存储器单元之间的所述通道浮置。

14.一种操作存储器设备的方法，所述方法包括：

15.根据权利要求14所述的方法，其中当所述预编程操作正在被执行的同时，编程允许电压被施加到所述位线和所述源极线。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述编程允许电压是0v。

17.根据权利要求14所述的方法，其中在所述编程电压的所述施加和所述通道的所述浮置中，所述第一选择晶体管和所述第二选择晶体管被关断。

18.根据权利要求14所述的方法，其中当施加到所述字线的所述编程电压被增加到目标电平时，所述第一选择晶体管和所述第二选择晶体管中的所述至少一者被接通。

19.根据权利要求18所述的方法，其中在所述第一选择晶体管和所述第二选择晶体管中的所述至少一者的所述接通中，所述第一选择晶体管和所述第二选择晶体管中邻近所述位线的一者被接通，并且所述第一选择晶体管和所述第二选择晶体管中邻近所述源极线的一者被关断。

20.根据权利要求18所述的方法，其中在所述第一选择晶体管和所述第二选择晶体管中的所述至少一者的所述接通中，所述第一选择晶体管和所述第二选择晶体管同时被接通。

21.根据权利要求14所述的方法，其中在施加到所述字线的所述编程电压被增加到目标电平之前，所述第一选择晶体管和所述第二选择晶体管中的所述至少一者被接通。

22.根据权利要求21所述的方法，其中在所述第一选择晶体管和所述第二选择晶体管中的所述至少一者的所述接通中，所述第一选择晶体管和所述第二选择晶体管中邻近所述位线的一者被接通，并且所述第一选择晶体管和所述第二选择晶体管中邻近所述源极线的一者被关断。

23.根据权利要求14所述的方法，其中在所述第一选择晶体管和所述第二选择晶体管中的所述至少一者的所述接通之后，连接到所述第一选择晶体管的第一选择线、连接到所述第二选择晶体管的第二选择线和所述字线被放电。

24.根据权利要求14所述的方法，其中在所述第一选择晶体管和所述第二选择晶体管中的所述至少一者的所述接通之后，对应于所述多个存储器单元的所述通道被初始化。

25.根据权利要求14所述的方法，其中当第一虚设单元连接在所述第一选择晶体管与所述多个存储器单元之间并且第二虚设单元连接在所述第二选择晶体管与所述多个存储器单元之间时，在所述通道的所述浮置中，所述第一虚设单元和所述第二虚设单元被关断，并且所述第一选择晶体管或所述第二选择晶体管被接通。

26.根据权利要求25所述的方法，其中当施加到所述字线的所述编程电压被增加到目标电平时，所述第一选择晶体管和所述第二选择晶体管中邻近所述位线的一者被接通，并且所述第一选择晶体管和所述第二选择晶体管中邻近所述源极线的一者被关断。

27.根据权利要求25所述的方法，其中在施加到所述字线的所述编程电压被增加到目标电平之前，所述第一选择晶体管和所述第二选择晶体管中邻近所述位线中的一者被接通，并且所述第一选择晶体管和所述第二选择晶体管中邻近所述源极线的一者被关断。

28.根据权利要求14所述的方法，其中当第一虚设单元连接在所述第一选择晶体管与所述多个存储器单元之间并且第二虚设单元连接在所述第二选择晶体管与所述多个存储器单元之间时，在所述通道的所述浮置中，所述第一虚设单元和所述第二虚设单元被关断，并且所述第一选择晶体管和所述第二选择晶体管被接通。

技术总结提供了存储器设备和该存储器设备的操作方法。存储器设备包括：连接在源极线与位线之间的第一选择晶体管、多个存储器单元和第二选择晶体管；以及外围电路，其用于对该多个存储器单元执行预编程操作并且然后对该多个存储器单元执行擦除操作。在预编程操作中，外围电路被配置为将编程电压施加到字线，该字线连接到与已经浮置的通道相对应的该多个存储器单元。技术研发人员：李熙烈受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/2/6