编程中间状态以在自选择存储器单元中存储数据的制作方法

本文中公开的至少一些实施例大体上涉及存储器系统，且更特定来说但不限于，涉及配置存储器单元以存储数据的技术。

背景技术：

1、存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可为例如非易失性存储器装置及易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统在存储器装置处存储数据及从所述存储器装置检索数据。

2、存储器装置可包含具有形成在半传导材料的集成电路裸片上的一或多个存储器单元阵列的存储器集成电路。存储器单元是可个别使用或操作以存储数据的存储器的最小单位。一般来说，存储器单元可存储一或多个数据位。

3、针对存储器集成电路已经开发不同类型的存储器单元，例如随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态随机存取存储器(dram)、静态随机存取存储器(sram)、同步动态随机存取存储器(sdram)、相变存储器(pcm)、磁随机存取存储器(mram)、或非(nor)快闪存储器、电可擦除可编程只读存储器(eeprom)、快闪存储器等。

4、一些集成电路存储器单元是易失性的且需要电力来维持存储在单元中的数据。易失性存储器的实例包含动态随机存取存储器(dram)及静态随机存取存储器(sram)。

5、一些集成电路存储器单元是非易失性的且可甚至在未被供电时也保持所存储的数据。非易失性存储器的实例包含快闪存储器、只读存储器(rom)、可编程只读存储器(prom)、可擦除可编程只读存储器(eprom)及电可擦除可编程只读存储器(eeprom)等。快闪存储器包含与非(nand)类型快闪存储器或或非(nor)类型快闪存储器。nand存储器单元是基于nand逻辑门；且nor存储器单元是基于nor逻辑门。

6、交叉点存储器(例如，3d xpoint存储器)使用非易失性存储器单元阵列。交叉点存储器中的存储器单元是无晶体管的。此类存储器单元中的每一者可具有选择器装置及任选地相变存储器装置，其堆叠在一起作为集成电路中的列。此类列的存储器单元在集成电路中经由在彼此垂直的方向上延伸的两层导线连接。两个层中的一者在存储器单元上方；且另一层在存储器单元下方。因此，可在两个层中在不同方向上延伸的两个导线的交叉点处个别选择每一存储器单元。交叉点存储器装置是快速且非易失性的，且可用作用于处理及存储的统一存储器集区。

7、非易失性集成电路存储器单元可经编程以通过在编程/写入操作期间施加电压或电压模式到存储器单元而存储数据。编程/写入操作将存储器单元设置为对应于经编程/存储到存储器单元中的数据的状态。存储在存储器单元中的数据可在读取操作中通过检查存储器单元的状态来检索。读取操作通过施加电压且确定存储器单元是否在对应于预定义状态的电压下变为导电而确定存储器单元的状态。

技术实现思路

技术特征：

1.一种装置，其包括：

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一电压脉冲及所述第二电压脉冲中的每一者经配置以使所述存储器单元从非导电改变为导电一次，且然后再改变回非导电一次。

3.根据权利要求2所述的装置，其中当所述存储器单元非导电时，所述存储器单元允许小于阈值的电流通过所述存储器单元；且所述第一电平的电流及所述第二电平的电流具有大于所述阈值的量值；

4.根据权利要求3所述的装置，其中响应于所述存储器单元在所述增量下导电但是所述计数器中的值小于所述多个存储器单元中的存储器单元的总数的确定，所述电压驱动器经进一步指示增加到所述第二电压脉冲的所述电压的下一增量。

5.根据权利要求3所述的装置，其中响应于所述存储器单元在所述增量下导电但是所述计数器中的值小于所述多个存储器单元中的存储器单元的总数的确定，所述电压驱动器经进一步指示增加到施加到所述多个存储器单元中的非导电存储器单元的所述第二电压脉冲的所述电压的下一增量，但是不增加施加到所述存储器单元的所述第二电压脉冲的所述电压。

6.根据权利要求3所述的装置，其中所述控制器进一步经配置以指示所述电压驱动器在所述第一电压脉冲之前以与所述第一极性相反的第二极性跨所述存储器单元驱动第三电压脉冲，以使大于所述阈值的第三电平的电流通过所述存储器单元。

7.根据权利要求6所述的装置，其中所述第三电平的电流小于所述第一电平的电流及所述第二电平的电流；且所述第三电压脉冲使所述存储器单元从非导电改变为导电一次，且然后再改变回非导电一次。

8.根据权利要求7所述的装置，其中所述多个存储器单元共享电压驱动器，所述电压驱动器经配置以在所述第二电压脉冲期间根据所述计数器的值递增地施加所述第二电压脉冲的所述电压。

9.根据权利要求7所述的装置，其中所述控制器进一步经配置以基于所述存储器单元在所述装置中的位置来定制所述第二电压脉冲的方面；且

10.一种方法，其包括：

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述第二电压脉冲及所述第三电压脉冲中的每一者经配置以增加到所述第二极性中所述存储器单元的阈值电压以上一次，且然后降低到所述第二极性中所述存储器单元的所述阈值电压以下一次；且所述第一电压脉冲经配置以增加到所述第一极性中所述存储器单元的所述阈值电压以上一次，且然后降低到所述第一极性中所述存储器单元的所述阈值电压以下一次。

12.根据权利要求11所述的方法，其进一步包括：

13.一种集成电路，其包括：

14.根据权利要求13所述的集成电路，其中响应于确定在所述第二电压脉冲的所述电压的增量下，所述多个存储器单元的第一子组是导电的，且所述多个存储器单元的第二子组是非导电的，所述控制器经配置以指示所述位线驱动器及所述字线驱动器进一步将所述第二电压脉冲的所述电压斜升到所述第一子组及所述第二子组两者的下一增量。

15.根据权利要求13所述的集成电路，其中响应于确定在所述第二电压脉冲的所述电压的增量下，所述多个存储器单元的第一子组是导电的，且所述多个存储器单元的第二子组是非导电的，所述控制器经配置以指示所述位线驱动器及所述字线驱动器进一步将所述第二电压脉冲的所述电压斜升到所述第二子组的下一增量，而不是所述第一子组的下一增量。

技术总结用于将存储器单元编程到中间状态的系统、方法及设备。以第一极性跨所述存储器单元中的每一相应存储器单元施加第一电压脉冲，以将其在所述第一极性中的阈值电压移动到代表第一值的第一电压区。然后，以第二极性施加第二电压脉冲，以进一步将其在所述第一极性中的阈值电压移动到代表第二值及所述中间状态的第二电压区。针对所述存储器单元施加的所述第二电压脉冲的量值通过递增地增加量值直到感测到所述存储器单元是导电的为止来控制。任选地，在所述第一电压脉冲之前，以所述第二极性施加第三电压脉冲，以消除或减少所述相应存储器单元的阈值电压的漂移。技术研发人员：K·萨尔帕特瓦里,N·N·加杰拉,杨玲明,李延纯,J·陈,F·D·贝尔纳-克特尔受保护的技术使用者：美光科技公司技术研发日：技术公布日：2024/2/6