存储器及过擦除校正操作方法与流程

本申请涉及半导体存储，具体涉及一种存储器及过擦除校正操作方法。

背景技术：

1、存储器内的擦除操作过程中，由于过擦除的存储单元漏电过大，如果在过擦除校正前发生掉电，导致过擦除校正未成功执行，重新上电后，导致与该过擦除的存储单元相关的其他存储单元在数据读取时会发生误读。

技术实现思路

1、本申请提供一种存储器及过擦除校正操作方法，以缓解在过擦除校正前掉电导致的误读取以及影响正常上电过程的技术问题。

2、第一方面，本申请提供一种存储器的过擦除校正操作方法，该操作方法包括：对存储器执行过擦除校验；对存在过擦除的一存储区域执行过擦除校正；停止过擦除校验。

3、在其中一些实施方式中，对存储器执行过擦除校验包括：响应于存储器的上电，对存储器执行过擦除校验。

4、在其中一些实施方式中，所述停止过擦除校验的步骤的同时或者之后，还包括：根据读取指令执行读取操作。

5、在其中一些实施方式中，对存储器执行过擦除校验的步骤包括：响应于存储器的上电，按照存储地址顺序地对存储器的存储区域逐个执行过擦除校验。

6、在其中一些实施方式中，对存在过擦除的一存储区域执行过擦除校正的步骤包括：确定没有通过过擦除校验的第一个存储区域为存在过擦除的一存储区域。

7、在其中一些实施方式中，存储区域为一存储块或者一存储扇区。

8、在其中一些实施方式中，响应于存储器的上电，对存储器执行过擦除校验的步骤之后还包括：若不存在过擦除，则停止过擦除校验并根据读取指令执行读取操作。

9、在其中一些实施方式中，响应于存储器的上电，对存储器执行过擦除校验的步骤之前还包括：判断存储器在过擦除校正之前或者过擦除校正时是否存在掉电；若存在掉电，则执行步骤“响应于存储器的上电，对存储器执行过擦除校验”。

10、第二方面，本申请提供一种存储器，该存储器包括第一操作模块、第二操作模块、以及第三操作模块，第一操作模块用于对存储器执行过擦除校验；第二操作模块用于对存在过擦除的一存储区域执行过擦除校正；第三操作模块用于停止过擦除校验。

11、在其中一些实施方式中，第一操作模块还用于响应于存储器的上电，对存储器执行过擦除校验。

12、在其中一些实施方式中，第三操作模块还用于根据读取指令执行读取操作。

13、第三方面，本申请提供一种存储器的过擦除校正操作方法，该操作方法包括：响应于存储器的上电，判断在过擦除校正之前或者过擦除校正时是否存在掉电；若存在掉电，则扫描存储器以判断是否存在过擦除的存储区域。

14、在其中一些实施方式中，若存在掉电，则扫描存储器以判断是否存在过擦除的存储区域的步骤之后包括：若存在过擦除，则对存在过擦除的一存储区域执行过擦除校正；停止扫描以根据读取指令执行读取操作。

15、在其中一些实施方式中，若存在掉电，则扫描存储器以判断是否存在过擦除的存储区域的步骤之后包括：若不存在过擦除，则停止扫描以根据读取指令执行读取操作；存储区域为一存储块或者一存储扇区。

16、本申请提供的存储器及过擦除校正操作方法，通过先对存储器执行过擦除校验，然后对存在过擦除的一存储区域执行过擦除校正，再停止过擦除校验，不仅在读取操作之前对存在过擦除的一存储区域进行了过擦除校正，避免了漏电导致的误读；而且仅对一存储区域执行过擦除校正，减少了操作时间，以及在之后停止过擦除校验并根据读取指令执行读取操作，进一步减少了进行读取操作的时间，进而可以在不影响正常上电过程的情况下改善或者避免误读。

技术特征：

1.一种存储器的过擦除校正操作方法，其特征在于，所述操作方法包括：

2.根据权利要求1所述的过擦除校正操作方法，其特征在于，所述对所述存储器执行过擦除校验包括：

3.根据权利要求1所述的操作方法，其特征在于，所述停止过擦除校验的步骤的同时或者之后，还包括：

4.根据权利要求3所述的操作方法，其特征在于，所述对所述存储器执行过擦除校验的步骤，包括：

5.根据权利要求1所述的操作方法，其特征在于，所述对存在过擦除的一存储区域执行过擦除校正的步骤，包括：

6.根据权利要求1所述的操作方法，其特征在于：

7.根据权利要求1所述的操作方法，其特征在于，所述对所述存储器执行过擦除校验的步骤之后，还包括：

8.根据权利要求1-7任一项所述的操作方法，其特征在于，所述对所述存储器执行过擦除校验的步骤之前，还包括：

9.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括：

10.根据权利要求9所述的存储器，其特征在于，所述第一操作模块还用于响应于所述存储器的上电，对所述存储器执行过擦除校验。

11.根据权利要求9所述的存储器，其特征在于，第三操作模块还用于根据读取指令执行读取操作。

12.一种存储器的过擦除校正操作方法，其特征在于，所述操作方法包括：

13.根据权利要求12所述的操作方法，其特征在于，所述若存在掉电，则扫描所述存储器以判断是否存在过擦除的存储区域的步骤之后，包括：

14.根据权利要求12所述的操作方法，其特征在于，所述若存在掉电，则扫描所述存储器以判断是否存在过擦除的存储区域的步骤之后，包括：

技术总结本申请公开了一种存储器及过擦除校正操作方法，该操作方法通过先对存储器执行过擦除校验，然后对存在过擦除的一存储区域执行过擦除校正，再停止过擦除校验，不仅在读取操作之前对存在过擦除的一存储区域进行了过擦除校正，避免了漏电导致的误读；而且仅对一存储区域执行过擦除校正，减少了操作时间，以及在之后停止过擦除校验并根据读取指令执行读取操作，进一步减少了进行读取操作的时间，进而可以在不影响正常上电过程的情况下改善或者避免误读。技术研发人员：罗旖旎,卢中舟受保护的技术使用者：武汉新芯集成电路制造有限公司技术研发日：技术公布日：2024/2/19