数据恢复方法及相关数据读取方法和电子设备、存储介质与流程

本申请涉及半导体存储领域，特别是涉及一种数据恢复方法及相关数据读取方法和电子设备、存储介质。

背景技术：

1、nand闪存使用的是非易失性存储技术，是断电后仍能保存资料的存储设备。目前市场上3d tlc(triple level cell，三层单元)/qlc(quad-level cells，四层单元)nand的使用范围非常广泛，由于存储数据的密度增大，可靠性也会随之降低，主流的ssd(solidstate disk，固态硬盘，简称ssd)主控都使用ldpc(low density parity check code，低密度奇偶校验码)来恢复数据。随着nand的磨损次数增大、数据保持时间增长、读次数增多、读写温度差异变大等变化，nand内部的读阈值电压会发生左右偏移，并且各个状态交叠，比特出错增加。

2、在nand读取流程中，在使用默认的读阈值电压匹配ldpc硬译码失败之后，会启动数据恢复流程。数据恢复流程包括多档读电压匹配ldpc硬译码或者ldpc软译码。当ldpc硬译码失败之后，触发ldpc软译码，即根据软译码的基准读电压进行偏移读，但是软译码的代价较大，目前需要提升ldpc软译码的成功率，以提升存储设备的寿命。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请提供一种数据恢复方法及相关数据读取方法和电子设备、存储介质，以提升ldpc软译码的成功率。

2、本申请第一方面提供了一种用于存储设备的数据恢复方法，所述存储设备包括至少一页，每页存储至少一个系统数据和至少一个用户数据，所述方法包括：响应于使用至少一个读电压读取每页时所述至少一个用户数据的硬译码均失败，触发所述至少一个用户数据的软译码；根据所述至少一个系统数据的解码结果信息，自所述至少一个读电压，确定用于所述至少一个用户数据的软译码的基准读电压；使用所述基准读电压，执行所述至少一个用户数据的软译码，以恢复所述至少一个用户数据。

3、在一些实施例中，至少一个读电压包括第一读电压和第二读电压；根据所述至少一个系统数据的解码结果信息，自所述至少一个读电压，确定用于所述至少一个用户数据的软译码的基准读电压，包括：响应于使用所述第一读电压读取每页时所述至少一个用户数据的硬译码失败，获取所述至少一个系统数据，并对所述至少一个系统数据进行解码，从而获得使用所述第一读电压时所述至少一个系统数据的第一出错比特数；响应于使用所述第二读电压读取每页时所述至少一个用户数据的硬译码失败，获取所述至少一个系统数据，并对所述至少一个系统数据进行解码，从而获得使用所述第二读电压时所述至少一个系统数据的第二出错比特数；依据所述第一出错比特数和所述第二出错比特数，确定所述基准读电压。

4、在一些实施例中，依据所述第一出错比特数和所述第二出错比特数，确定所述基准读电压，包括：若所述第一出错比特数小于所述第二出错比特数，确定所述第一读电压为所述基准读电压。

5、在一些实施例中，所述至少一个读电压包括第一读电压、第二读电压和第三读电压；根据所述至少一个系统数据的解码结果信息，自所述至少一个读电压，确定用于所述至少一个用户数据的软译码的基准读电压，包括：响应于使用所述第一读电压读取每页时所述至少一个用户数据的硬译码失败，获取所述至少一个系统数据，并对所述至少一个系统数据进行解码，从而获得使用所述第一读电压时所述至少一个系统数据的第一出错比特数；响应于使用所述第二读电压读取每页时所述至少一个用户数据的硬译码失败，获取所述至少一个系统数据，并对所述至少一个系统数据进行解码，从而获得使用所述第二读电压时所述至少一个系统数据的第二出错比特数；响应于使用所述第三读电压读取每页时所述至少一个用户数据的硬译码失败，获取所述至少一个系统数据，并对所述至少一个系统数据进行解码，从而获得使用所述第三读电压时所述至少一个系统数据的第三出错比特数；依据所述第一出错比特数、所述第二出错比特数和所述第三出错比特数，确定所述基准读电压。

6、在一些实施例中，依据所述第一出错比特数、所述第二出错比特数和所述第三出错比特数，确定所述基准读电压，包括：若所述第一出错比特数和所述第三出错比特数相同，且小于所述第二出错比特数，确定所述第一读电压和所述第三读电压中至少一个为所述基准读电压；或若所述第一出错比特数、所述第三出错比特数和所述第二出错比特数依次递增，确定所述第一读电压和所述第三读电压中至少一个为所述基准读电压。

7、在一些实施例中，使用所述第一读电压作为所述基准读电压，执行所述至少一个用户数据的软译码，得到第一出错用户比特数；使用所述第二读电压作为所述基准读电压，执行所述至少一个用户数据的软译码，得到第二出错用户比特数；其中，所述第一出错用户比特数小于所述第二出错用户比特数。

8、在一些是实施例中，用所述基准读电压，执行所述至少一个用户数据的软译码，包括：使用所述基准读电压与预设值之和或之差，执行所述至少一个用户数据的软译码。

9、在一些实施例中，响应于使用至少一个读电压中任一个读取每页时所述至少一个用户数据的硬译码成功，返回所述至少一个用户数据，从而实现恢复所述至少一个用户数据。

10、本申请第二方面提供了用于存储设备的数据读取方法，所述存储设备包括至少一页，每页存储至少一个系统数据和至少一个用户数据，包括：使用默认读电压读取每页；响应于使用所述默认读电压读取每页时所述至少一个用户数据的硬译码成功，返回所述至少一个用户数据；响应于使用所述默认读电压读取每页时所述至少一个用户数据的硬译码失败，执行数据恢复流程；其中所述数据恢复流程包括如第一方面中任一项所述的数据恢复方法。

11、本申请第三方面提供了一种电子设备，包括相互耦接的存储器和处理器，处理器用于执行存储器中存储的程序指令，以实现上述第一方面中的用于存储设备的数据恢复方法，或实现上述第二方面中的用于存储设备的数据读取方法。

12、本申请第四方面提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有程序指令，程序指令被处理器执行时实现上述第一方面中的用于存储设备的数据恢复方法，或实现上述第二方面中的用于存储设备的数据读取方法。

13、上述方案，基于所述存储设备包括至少一页，每页存储至少一个系统数据和至少一个用户数据，响应于使用至少一个读电压读取每页时所述至少一个用户数据的硬译码均失败，触发所述至少一个用户数据的软译码，并根据所述页中至少一个系统数据的解码结果信息，自所述至少一个读电压，确定用于所述至少一个用户数据的软译码的基准读电压，使用所述确定的基准读电压，执行所述至少一个用户数据的软译码，以恢复所述至少一个用户数据，在此过程中，根据系统数据的解码结果信息，确定用于用户数据软译码的基准读电压，以提升ldpc软译码的成功率，从而提升存储设备的使用寿命。

14、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，而非限制本申请。

技术特征：

1.一种用于存储设备的数据恢复方法，其特征在于，所述存储设备包括至少一页，每页存储至少一个系统数据和至少一个用户数据，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，至少一个读电压包括第一读电压和第二读电压；

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，依据所述第一出错比特数和所述第二出错比特数，确定所述基准读电压，包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述至少一个读电压包括第一读电压、第二读电压和第三读电压；

5.根据权利要求4所述方法，其特征在于，依据所述第一出错比特数、所述第二出错比特数和所述第三出错比特数，确定所述基准读电压，包括：

6.根据权利要求5所述方法，其特征在于，进一步包括：

7.根据权利要求1所述方法，其特征在于，使用所述基准读电压，执行所述至少一个用户数据的软译码，包括：

8.根据权利要求1-6任一项所述的方法，其特征在于，进一步包括：

9.一种用于存储设备的数据读取方法，其特征在于，所述存储设备包括至少一页，每页存储至少一个系统数据和至少一个用户数据，包括：

10.一种电子设备，其特征在于，包括相互耦接的存储器和处理器，所述处理器用于执行所述存储器中存储的程序指令，以实现权利要求1-8中任一项所述的数据恢复方法，或实现权利要求9所述的用于存储设备的数据读取方法。

11.一种非易失性计算机可读存储介质，其上存储有程序指令，其特征在于，所述程序指令被处理器执行时实现权利要求1-8中任一项所述的数据恢复方法，或实现权利要求9所述的用于存储设备的数据读取方法。

技术总结本申请公开了一种数据恢复方法及相关数据读取方法和电子设备、存储介质。在该方法中，存储设备包括至少一页，每页存储至少一个系统数据和至少一个用户数据，方法包括：响应于使用至少一个读电压读取每页时至少一个用户数据的硬译码均失败，触发至少一个用户数据的软译码；根据至少一个系统数据的解码结果信息，自至少一个读电压，确定用于至少一个用户数据的软译码的基准读电压；使用基准读电压，执行至少一个用户数据的软译码，以恢复至少一个用户数据。本申请还公开了相关数据读取方法和电子设备、存储介质。本申请根据系统数据的解码结果信息，确定软译码的基准读电压，以提升LDPC软译码的成功率，从而提升存储设备的使用寿命。技术研发人员：孔维镇受保护的技术使用者：上海江波龙数字技术有限公司技术研发日：技术公布日：2024/2/19