针对具有替换栅极配置的四层级存储器单元的译码的制作方法

本涉及针对具有替换栅极配置的四层级存储器单元的译码。

背景技术：

1、存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、用户装置、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储信息。举例来说，二进制存储器单元可编程为两个支持状态中的一个，常常对应于逻辑1或逻辑0。在一些实例中，单个存储器单元可支持多于两个可能的状态，所述状态中的任一个可由存储器单元存储。为了存取由存储器装置存储的信息，组件可读取(例如，感测、检测、检索、识别、确定、评估)存储器装置内的一或多个存储器单元的状态。为了存储信息，组件可将存储器装置内的一或多个存储器单元写入(例如，编程、设置、分配)到对应状态。

2、存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、静态ram(sram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻式ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)、3维交叉点存储器(3d交叉点)、“或非”(nor)和“与非”(nand)存储器装置等。可在易失性配置或非易失性配置方面描述存储器装置。易失性存储器单元(例如，dram)除非被外部电源定期刷新，否则可能随时间丢失其编程状态。非易失性存储器单元(例如，nand)即使在不存在外部电源的情况下仍可维持其编程状态很长一段时间。

技术实现思路

1、描述了一种方法。所述方法可包含：接收数据以用于存储在存储器装置中，所述存储器装置包括具有存储器单元的存储器阵列，所述存储器单元具有替换栅极配置；使用单位距离码将数据分配到存储器单元中的一个存储器单元内的多个页，其中，对于单位距离码，在来自多个页的相邻页的表示之间发生一位改变，并且页包括四个页类型；以及至少部分地基于使用单位距离码将数据分配到存储器单元内的多个页而在存储器单元内写入多个页，其中，四个页类型中使用第二单位距离码分布在存储器单元的较高电压阈值区中的一或多个所选择页类型的地理均值至少部分地基于在存储器单元内分配多个页而移位成分布在存储器单元的较低电压阈值区中。

2、描述了一种设备。所述设备可包含：存储器装置，其包括具有存储器单元的存储器阵列，所述存储器单元具有替换栅极配置；以及控制器，其与存储器装置耦合且被配置成使设备：接收数据以用于存储在存储器装置中；使用单位距离码将数据分配到存储器单元中的一个存储器单元内的多个页，其中，对于单位距离码，在来自多个页的相邻页的表示之间发生一位改变，并且页包括四个页类型；以及至少部分地基于使用单位距离码将数据分配到存储器单元内的多个页而在存储器单元内写入多个页，其中，四个页类型中使用第二单位距离码分布在存储器单元的较高电压阈值区中的一或多个所选择页类型的地理均值至少部分地基于在存储器单元内分配多个页而移位成分布在存储器单元的较低电压阈值区中。

技术特征：

1.一种方法，其包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其中：

4.根据权利要求3所述的方法，其中：

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述单位距离码包括所述存储器单元内的所述四个页类型中的一个页类型的三个例子，以及其它三个页类型中的每一个的四个例子。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述单位距离码的第一数字对应于所述四个页类型中的下部页类型，所述单位距离码的第二数字对应于所述四个页类型中的上部页类型，所述单位距离码的第三数字对应于所述四个页类型中的额外页类型，并且所述单位距离码的第四数字对应于所述四个页类型中的顶部页类型。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述四个页类型中的所述顶部页类型在所述存储器单元的最高六个电压阈值中仅具有单个分布。

8.根据权利要求6所述的方法，其中：

9.根据权利要求6所述的方法，其中，所述四个页类型中的所述额外页类型在所述存储器单元的最高六个电压阈值中具有两个分布。

10.根据权利要求6所述的方法，其中，所述四个页类型中的每一个在所述存储器单元的最高四个电压阈值中具有一个分布。

11.根据权利要求6所述的方法，其中，所述存储器单元的最高六个电压阈值包含所述四个页类型中数量小于二的任一个页类型。

12.根据权利要求5所述的方法，其中，在所述单位距离码中具有三个例子的所述一个页类型是下部页类型。

13.一种设备，其包括：

14.根据权利要求13所述的设备，其中，所述控制器进一步被配置成使所述设备：

15.根据权利要求13所述的设备，其中：

16.根据权利要求15所述的设备，其中：

17.根据权利要求13所述的设备，其中，所述单位距离码包括所述存储器单元内的所述四个页类型中的一个页类型的三个例子，以及其它三个页类型中的每一个的四个例子。

18.根据权利要求17所述的设备，其中：

19.根据权利要求18所述的设备，其中，所述四个页类型中的所述顶部页类型在所述存储器单元的最高六个电压阈值中仅具有单个分布。

20.根据权利要求18所述的设备，其中：

21.根据权利要求18所述的设备，其中，所述四个页类型中的所述额外页类型在所述存储器单元的最高六个电压阈值中具有两个分布。

22.根据权利要求18所述的设备，其中，所述四个页类型中的每一个在所述存储器单元的最高四个电压阈值中具有一个分布。

23.根据权利要求18所述的设备，其中，所述存储器单元的最高六个电压阈值包含所述四个页类型中数量小于二的任一个页类型。

24.根据权利要求17所述的设备，其中，在所述单位距离码中具有三个例子的所述一个页类型是下部页类型。

技术总结本申请涉及针对具有替换栅极配置的四层级存储器单元的译码。可接收数据以用于存储在存储器装置中，所述存储器装置包含具有存储器单元的存储器阵列，所述存储器单元具有替换栅极配置。可使用单位距离码将所述数据分配到所述存储器单元中的一个存储器单元内的多个不同类型的页。可至少部分地基于使用所述单位距离码将所述数据分配到所述存储器单元内的所述不同类型的所述多个页而将所述数据写入到所述存储器单元内的所述不同类型的所述多个页，以按避免跨越不同类型的所述多个页的不一致电压移位的方式分配所述页。技术研发人员：C·伊根受保护的技术使用者：美光科技公司技术研发日：技术公布日：2024/2/19