存储器设备和操作该存储器设备的方法与流程

本公开的各种实施例总体上涉及存储器设备和操作该存储器设备的方法，并且更具体地涉及被配置为执行读取操作的存储器设备和操作该存储器设备的方法。

背景技术：

1、存储器设备可以包括：存储器单元阵列，在其中存储数据；外围电路，其被配置为执行编程操作、读取操作或擦除操作；以及控制逻辑，其被配置为控制外围电路。

2、存储器单元阵列可以包括多个存储器块，该多个存储器块中的每个存储器块可以包括多个串。串中的每个串可以包括存储器单元。在以三维(3d)结构形成的存储器设备中，串可以在垂直方向上从衬底延伸。因此，可以在垂直方向上将存储器单元堆叠在衬底上。

3、在对包括在被选择的存储器块中的被选择的串的读取操作期间，可以将读取电压施加到被选择的字线，并且可以将通过电压施加到未被选择的字线。因为被选择的字线和未被选择的字线还耦合到未被选择的串，所以与施加到耦合到被选择的串的字线的电压相同的电压可以被施加到未被选择的串的字线。在被选择的串中，通道耦合到接地端子，然而在未被选择的串中，通道可以浮置。因此，在包括在未被选择的串中的存储器单元当中，可能在具有相对较低阈值电压的存储器单元中发生其中通道断开连接的夹断。当邻近通道的电压之间的差出现在其中发生夹断的区域中时，可以生成热电子。热电子的生成可以增加存储器单元的阈值电压，并且因此存储器设备的读取操作的可靠性可能劣化。

技术实现思路

1、本公开的各种实施例涉及能够改进读取操作的可靠性的存储器设备和操作该存储器设备的方法。

2、根据本公开的实施例的存储器设备可以包括存储器块，存储器块包括存储器单元。存储器设备还可以包括电压生成器，电压生成器被配置为将读取电压和通过电压施加到与存储器块耦合的字线。电压生成器可以被配置为：在对存储器块的读取操作期间，将读取电压施加到字线当中的被选择的字线，并且取决于到被选择的字线的距离将不同的通过电压施加到关于被选择的字线彼此对称的未被选择的字线。

3、根据本公开的操作存储器设备的方法可以包括将读取电压施加到被选择的字线并且将第一通过电压施加到邻近被选择的字线的第一未被选择的字线。该方法还可以包括将低于第一通过电压的第二通过电压施加到邻近第一未被选择的字线的第二未被选择的字线。该方法还可以包括将第三通过电压施加到邻近第二未被选择的字线的第三未被选择的字线，第三通过电压具有在第一通过电压与第二通过电压之间的电平。

技术特征：

1.一种存储器设备，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述电压生成器被配置为将第一通过电压施加到邻近所述被选择的字线的第一未被选择的字线，所述第一通过电压是所述通过电压当中的最高通过电压。

3.根据权利要求2所述的存储器设备，其中所述电压生成器被配置为将第二通过电压施加到邻近所述第一未被选择的字线的第二未被选择的字线，所述第二通过电压是所述通过电压当中的最低通过电压。

4.根据权利要求3所述的存储器设备，其中所述电压生成器被配置为将第三通过电压施加到邻近所述第二未被选择的字线的第三未被选择的字线，所述第三通过电压具有在所述第一通过电压与所述第二通过电压之间的电平。

5.根据权利要求4所述的存储器设备，其中所述电压生成器被配置为将第四通过电压施加到除所述第一未被选择的字线、所述第二未被选择的字线和所述第三未被选择的字线以外的剩余未被选择的字线，所述第四通过电压等于或高于所述第二通过电压并且低于所述第三通过电压。

6.根据权利要求2所述的存储器设备，其中所述电压生成器被配置为将第二通过电压施加到邻近所述第一未被选择的字线的第二未被选择的字线和邻近所述第二未被选择的字线的第三未被选择的字线，所述第二通过电压是所述通过电压当中的最低通过电压。

7.根据权利要求6所述的存储器设备，其中所述电压生成器被配置为将第三通过电压施加到邻近所述第三未被选择的字线的第四未被选择的字线，所述第三通过电压具有在所述第一通过电压与所述第二通过电压之间的电平。

8.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述电压生成器被配置为：

9.根据权利要求8所述的存储器设备，其中所述第一通过电压具有所述通过电压当中的最高电平。

10.根据权利要求8所述的存储器设备，其中所述电压生成器被配置为：在将所述剩余通过电压施加到所述剩余未被选择的字线的同时，将所述读取电压施加到所述被选择的字线。

11.根据权利要求8所述的存储器设备，其中所述电压生成器被配置为：在将所述第一通过电压施加到所述第一未被选择的字线的同时，将所述读取电压施加到所述被选择的字线。

12.根据权利要求8所述的存储器设备，其中所述电压生成器被配置为：在将所述剩余通过电压施加到所述剩余未被选择的字线之后，将所述读取电压施加到所述被选择的字线。

13.一种操作存储器设备的方法，包括：

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述第一通过电压被设置为通过电压当中的最高电平。

15.根据权利要求13所述的方法，其中所述第二通过电压被设置为通过电压当中的最低电平。

16.根据权利要求13所述的方法，其中在施加所述第一通过电压之后，执行施加所述第二通过电压和施加所述第三通过电压。

17.根据权利要求16所述的方法，其中在执行施加所述第一通过电压的同时，执行施加所述读取电压。

18.根据权利要求16所述的方法，其中在执行施加所述第二通过电压和施加所述第三通过电压的同时，执行施加所述读取电压。

19.根据权利要求16所述的方法，其中在施加所述第二通过电压和施加所述第三通过电压之后，执行施加所述读取电压。

20.根据权利要求13所述的方法，还包括：

21.根据权利要求20所述的方法，其中所述第四通过电压等于或高于所述第二通过电压并且低于所述第三通过电压。

技术总结本公开涉及存储器设备和操作该存储器设备的方法，该存储器设备包括存储器块，该存储器块包括存储器单元。该存储器设备还包括电压生成器，电压生成器被配置为将读取电压和通过电压施加到与存储器块耦合的字线。电压生成器被配置为：在对存储器块的读取操作期间，将读取电压施加到字线当中的被选择的字线，并且取决于到被选择的字线的距离将不同的通过电压施加到关于被选择的字线彼此对称的未被选择的字线。技术研发人员：李熙烈受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/3/4