存储器件、存储器件的操作方法、系统和存储介质与流程

本公开涉及一种存储器件、一种存储器件的操作方法、一种系统和一种非暂时性有形存储介质。

背景技术：

1、闪存是一种低成本、高密度、非易失性固态存储介质，可以对该闪存进行电擦除和重新编程。闪存可以包括nor闪存和nand闪存。可以由闪存执行各种操作(例如，读取、编程(写入)和擦除)，其中，编程(写入)操作和擦除操作可以将对应的存储单元的阈值电压改变为期望电平(例如，值)。对于nand闪存，可以在块级别执行擦除操作，并且可以在页级别执行编程操作或读取操作。

技术实现思路

1、在一个方面，本公开的实施例提供了一种存储器件。该存储器件包括：源极线(source line，sl)、位线(bit line，bl)、存储串、字线、选择线以及耦合到存储串的外围电路。存储串包括：存储单元；包括存储层的选择晶体管。字线耦合到存储单元，选择线耦合到选择晶体管。外围电路被配置为：将第一电压施加到选择线；将第二电压施加到sl和/或bl，并且第一电压的第一峰值电平大于第二电压的第二峰值电平。

2、在另一方面，本公开的实施例提供了一种系统。该系统包括：存储器控制器，该存储器控制器耦合到存储器件并且被配置为向存储器件发送命令。该存储器件包括：源极线(sl)、位线(bl)、存储串、字线、选择线以及耦合到存储串的外围电路。存储串包括：存储单元；包括存储层的选择晶体管。字线耦合到存储单元，选择线耦合到选择晶体管。外围电路被配置为响应于接收到命令而进行以下操作：将第一电压施加到选择线；将第二电压施加到sl和/或bl，并且第一电压的第一峰值电平大于第二电压的第二峰值电平。

3、在另一方面，本公开的实施例提供了一种用于操作存储器件的方法。该存储器件包括：源极线(sl)、位线(bl)、存储串、字线以及选择线。存储串包括：存储单元；包括存储层的选择晶体管。字线耦合到存储单元，选择线耦合到选择晶体管。该方法包括：将第一电压施加到选择线；将第二电压施加到sl和/或bl，其中，第一电压的第一峰值电平大于第二电压的第二峰值电平。

4、在另一方面，本公开的实施例提供了一种存储指令集的非暂时性有形存储介质，其中，该指令集在由控制器实现时，使存储器件的外围电路进行以下操作：将第一电压施加到选择线，该选择线耦合到存储器件的存储串的选择晶体管；以及将第二电压施加到存储器件的源极线(sl)和/或位线(bl)，其中，第一电压的第一峰值电平大于第二电压的第二峰值电平。

技术特征：

1.一种存储器件，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述选择晶体管包括源选择栅(ssg)晶体管，所述选择线包括ssg线，并且将所述第一电压施加到所述选择线包括将所述第一电压施加到所述ssg线。

3.根据权利要求2所述的存储器件，其中，所述选择晶体管还包括漏选择栅(dsg)晶体管，所述选择线还包括dsg线，并且将所述第一电压施加到所述选择线还包括将所述第一电压施加到所述dsg线。

4.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述选择晶体管包括第一选择晶体管和第二选择晶体管；

5.根据权利要求4所述的存储器件，其中，被施加到耦合到所述第二选择晶体管的选择线的第一电压和被施加到耦合到所述第一选择晶体管的选择线的第一电压在时间上重叠，被施加到耦合到所述第一选择晶体管的选择线的第一电压的斜升持续时间大于被施加到耦合到所述第二选择晶体管的选择线的第一电压的斜升持续时间。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的存储器件，其中，所述外围电路还被配置为：将第三电压施加到所述字线。

7.根据权利要求6所述的存储器件，其中，所述第三电压的第三峰值电平大于所述第一电压的第一峰值电平。

8.根据权利要求6所述的存储器件，其中，所述第一电压和所述第三电压在时间上重叠。

9.根据权利要求6所述的存储器件，其中，所述第一电压和所述第三电压来自相同的一个电压源。

10.根据权利要求6所述的存储器件，其中，所述第三电压的斜升持续时间大于所述第一电压的斜升持续时间。

11.根据权利要求1-10中任一项所述的存储器件，其中，所述外围电路还被配置为：

12.根据权利要求1-11中任一项所述的存储器件，其中，所述第一电压在所述存储串的擦除操作的擦除阶段之前被施加到所述选择线。

13.根据权利要求1-12中任一项所述的存储器件，其中，所述第二电压是接地电压，并且所述第一电压的第一峰值电平大于通过电压。

14.一种系统，包括：

15.根据权利要求14所述的系统，其中，所述第二电压是接地电压，并且所述第一电压的第一峰值电平大于通过电压。

16.根据权利要求14所述的系统，其中，所述系统是固态驱动器(ssd)或存储卡；并且所述命令是擦除命令。

17.一种用于操作存储器件的方法，

18.根据权利要求15所述的方法，还包括：将第三电压施加到所述字线。

19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述第三电压的第三峰值电平大于所述第一电压的第一峰值电平。

20.根据权利要求18所述的方法，其中，所述第一电压在所述存储串的擦除操作之前被施加到所述选择线。

21.一种存储指令集的非暂时性有形存储介质，其中，所述指令集在由控制器实现时，使存储器件的外围电路进行以下操作：

22.根据权利要求21所述的存储介质，其中，所述指令集在由所述控制器实现时，还使所述外围电路进行以下操作：将第三电压施加到字线，所述字线耦合到所述存储串的存储单元。

23.根据权利要求22所述的存储介质，其中，所述第三电压的第三峰值电平大于所述第一电压的第一峰值电平。

24.根据权利要求22所述的存储介质，其中，所述第一电压在所述存储串的擦除操作之前被施加到所述选择线。

25.一种存储器件，包括：

26.根据权利要求25所述的存储器件，其中，所述选择晶体管包括源选择栅(ssg)晶体管，所述选择线包括ssg线，并且所述第一信号要被施加到所述ssg线。

27.根据权利要求26所述的存储器件，其中，所述选择晶体管还包括漏选择栅(dsg)晶体管，所述选择线还包括dsg线，并且所述第一信号还要被施加到所述dsg线。

28.根据权利要求25所述的存储器件，其中，所述选择晶体管包括第一选择晶体管和第二选择晶体管；

29.根据权利要求28所述的存储器件，其中，由要被施加到耦合到所述第二选择晶体管的选择线的第一信号所携带的第一电压和由要被施加到耦合到所述第一选择晶体管的选择线的第一信号所携带的第一电压在时间上重叠，由要被施加到耦合到所述第一选择晶体管的选择线的第一信号所携带的第一电压的斜升持续时间大于由要被施加到耦合到所述第二选择晶体管的选择线的第一信号所携带的第一电压的斜升持续时间。

30.根据权利要求25-29中任一项所述的存储器件，其中，所述外围电路还被配置为：生成携带要被施加到所述字线的第三电压的第三信号。

31.根据权利要求30所述的存储器件，其中，所述第三电压的第三峰值电平大于所述第一电压的第一峰值电平。

32.根据权利要求30所述的存储器件，其中，所述第三电压的第三峰值电平大于所述第一电压的第一峰值电平。

33.根据权利要求30所述的存储器件，其中，所述第一电压和所述第三电压在时间上重叠。

34.根据权利要求30所述的存储器件，其中，所述第一信号和所述第三信号由所述外围电路的相同的一个电压源生成。

35.根据权利要求30所述的存储器件，其中，所述第三电压的斜升持续时间大于所述第一电压的斜升持续时间。

36.根据权利要求1-10中任一项所述的存储器件，其中，所述外围电路还被配置为：

37.根据权利要求1-11中任一项所述的存储器件，其中，所述第一信号在所述存储串的擦除操作的擦除阶段之前被生成。

38.根据权利要求1-12中任一项所述的存储器件，其中，所述第二电压是接地电压，并且所述第一电压的第一峰值电平大于通过电压。

39.一种系统，包括：

40.一种用于操作存储器件的方法，

41.一种存储指令集的非暂时性存储介质，其中，所述指令集在由控制器实现时，使存储器件的外围电路进行以下操作：

技术总结公开了一种存储器件、一种存储器件的操作方法、一种系统和一种非暂时性有形存储介质。存储器件包括：源极线(SL)、位线(BL)、存储串、字线、选择线和外围电路。存储串包括：存储单元；以及包括存储层的选择晶体管。字线耦合到存储单元。选择线耦合到选择晶体管。外围电路耦合到SL、BL、选择线和字线。外围电路被配置为：将第一电压施加到选择线；将第二电压施加到SL和/或BL，其中，第一电压的第一峰值电平大于第二电压的第二峰值电平。技术研发人员：董志鹏,崔莹,向莉受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司技术研发日：技术公布日：2024/5/10