存储器及其测试方法、存储器系统与流程

本公开涉及半导体，涉及但不限于一种存储器及其测试方法、存储器系统。

背景技术：

1、存储器是各种电子设备中用于存储数据的重要部件，随着集成电路技术的发展，存储器的精密程度和复杂程度日益提高。各种不同的应用对存储器的性能也提出了越来越高的要求，以满足各种不同应用场景的需求。

技术实现思路

1、根据本公开实施例的第一方面，提供了一种存储器的测试方法，所述存储器包括主存储模块以及ecc存储模块，所述方法包括：

2、在第一测试模式下接收第一写入数据，对所述第一写入数据进行复制扩展得到第一测试数据，或者，在第二测试模式下接收第二写入数据，利用ecc算法对所述第二写入数据进行计算得到第二测试数据；其中，所述第一测试数据用于判断所述ecc存储模块和所述主存储模块的读写功能是否正常，所述第二测试数据用于判断所述主存储模块的读写功能是否正常；

3、响应于测试模式信号，将所述第一测试数据或者所述第二测试数据作为ecc校验数据写入所述ecc存储模块；所述测试模式信号用于指示执行第一测试模式或者第二测试模式；

4、读取所述ecc存储模块中存储的ecc校验数据，基于所述ecc校验数据进行判断。

5、上述方案中，所述第一写入数据的位数为m，所述第一测试数据的位数为2m，所述第一测试数据的前m位和后m位的数据相同，m为大于或等于2的偶数。

6、上述方案中，所述第二测试数据的位数为2m，所述第二写入数据的位数为2n，m为大于或等于2的偶数，n为大于m的偶数。

7、上述方案中，所述方法还包括：

8、在第一测试模式下接收第三写入数据；

9、响应于所述测试模式信号，将所述第三写入数据或者所述第二写入数据写入所述主存储模块；

10、在所述读取所述ecc存储模块中存储的ecc校验数据的同时，所述方法还包括：

11、读取所述主存储模块中存储的所述第三写入数据或者所述第二写入数据。

12、上述方案中，所述第三写入数据的位数与第二写入数据的位数相同，所述第三写入数据的前n位和后n位的数据相同。

13、上述方案中，所述在第一测试模式下接收第三写入数据，包括：

14、在第一测试模式下经由数据焊盘接收第三写入数据；

15、每个数据焊盘传输的数据的位数为2z，每个数据焊盘传输的数据的前z位和后z位的数据相同，z为大于或等于2的偶数。

16、上述方案中，所述基于所述ecc校验数据进行判断，包括：

17、所述ecc校验数据为所述第一测试数据的情况下，对读取的所述主存储模块中存储的第三写入数据和所述ecc存储模块中存储的ecc校验数据进行压缩处理并输出压缩处理数据至数据焊盘；

18、基于从所述数据焊盘输出的所述压缩处理数据判断所述ecc存储模块的读写功能是否正常。

19、上述方案中，所述基于所述ecc校验数据进行判断，还包括：

20、所述ecc校验数据为所述第二测试数据的情况下，基于读取的所述ecc存储模块中存储的ecc校验数据和所述主存储模块中存储的第二写入数据判断所述主存储模块的读写功能是否正常。

21、根据本公开实施例的第二方面，提供了一种存储器，包括：

22、主存储模块和ecc存储模块；

23、数据输入/输出单元，被配置为在第一测试模式下接收第一写入数据，或者，在第二测试模式下接收第二写入数据；

24、第一处理单元，被配置为对所述第一写入数据进行复制扩展得到第一测试数据；

25、第二处理单元，被配置为利用ecc算法对所述第二写入数据进行计算得到第二测试数据；其中，所述第一测试数据用于判断所述ecc存储模块和所述主存储模块的读写功能是否正常，所述第二测试数据用于判断所述主存储模块的读写功能是否正常；

26、写入单元，与所述第一处理单元和所述第二处理单元连接，被配置为响应于测试模式信号，将所述第一测试数据或者所述第二测试数据作为ecc校验数据写入所述ecc存储模块；所述测试模式信号用于指示执行第一测试模式或者第二测试模式；

27、读取单元，被配置为读取所述ecc存储模块中存储的ecc校验数据。

28、上述方案中，所述第一写入数据的位数为m，所述第一测试数据的位数为2m，所述第一测试数据的前m位和后m位的数据相同，m为大于或等于2的偶数。

29、上述方案中，所述第二测试数据的位数为2m，所述第二写入数据的位数为2n，m为大于或等于2的偶数，n为大于m的偶数。

30、上述方案中，所述数据输入/输出单元，还被配置为在第一测试模式下接收第三写入数据；所述写入单元，还被配置为响应于所述测试模式信号，将所述第三写入数据或者所述第二写入数据写入所述主存储模块；

31、所述读取单元，还被配置为在所述读取所述ecc存储模块中存储的ecc校验数据的同时，读取所述主存储模块中存储的所述第三写入数据或者所述第二写入数据。

32、上述方案中，所述第三写入数据的位数与第二写入数据的位数相同，所述第三写入数据的前n位和后n位的数据相同。

33、上述方案中，所述存储器还包括多个数据焊盘，每个所述数据焊盘被配置为在第一测试模式下接收第三写入数据；每个所述数据焊盘传输的数据的位数为2z，每个所述数据焊盘传输的数据的前z位和后z位的数据相同，z为大于或等于2的偶数。

34、上述方案中，所述存储器还包括：压缩单元；

35、所述压缩单元，与所述读取单元连接，被配置为所述ecc校验数据为所述第一测试数据的情况下，对读取的所述主存储模块中存储的第三写入数据和所述ecc存储模块中存储的ecc校验数据进行压缩处理并输出压缩处理数据至所述数据焊盘。

36、上述方案中，所述存储器还包括：信号生成单元，被配置为对所述测试模式信号、第一控制信号和第二控制信号进行逻辑运算，生成第一触发信号；所述第一控制信号用于指示所述第二处理单元的开启或关闭；所述第二控制信号用于指示所述压缩单元的开启或关闭；所述第一触发信号用于指示所述写入单元将所述第一测试数据或者所述第二测试数据作为ecc校验数据写入所述ecc存储模块。

37、上述方案中，所述信号生成单元具体被配置为，当所述测试模式信号指示执行第一测试模式时，所述第一控制信号指示所述第二处理单元关闭，所述第二控制信号指示所述压缩单元开启时，生成指示将所述第一测试数据写入所述ecc存储模块的第一触发信号。

38、根据本公开实施例的第三方面，提供了一种存储器系统，其特征在于，包括如上所述的存储器和控制器；所述控制器，被配置基于所述ecc存储模块中存储的ecc校验数据进行判断。

39、上述方案中，所述控制器具体被配置为：

40、在所述ecc校验数据为所述第一测试数据的情况下，基于从所述数据焊盘输出的所述压缩处理数据判断所述ecc存储模块的读写功能是否正常；

41、或者，

42、在所述ecc校验数据为所述第二测试数据的情况下，基于读取的所述ecc存储模块中存储的ecc校验数据和所述主存储模块中存储的第二写入数据判断所述主存储模块的读写功能是否正常。

43、本公开实施例所提供的技术方案能够在测试时根据实际需求灵活切换第一测试模式和第二测试模式，在第一测试模式下通过对第一写入数据进行复制扩展处理获得可以直接访问ecc存储模块的第一测试数据，实现了同时对主存储模块和ecc存储模块进行测试，提高了测试效率。