显示装置和制造显示装置的方法与流程

一个或多个实施方式涉及显示装置，并且更具体地，涉及适合于干法蚀刻工艺以实现超高分辨率的显示装置和制造显示装置的方法。

背景技术：

1、显示装置接收关于图像的信息并且显示图像。显示装置广泛地用作用于诸如移动电话的小型产品的显示器或用于诸如电视的大型产品的显示器。

2、显示装置通常包括通过接收电信号来发射光以向外部显示图像的多个像素。每个像素可包括发光器件。例如，有机发光显示装置包括有机发光二极管(oled)作为发光器件。一般而言，在有机发光显示装置中，薄膜晶体管和oled形成在衬底上，并且oled通过自身发射光。

3、用于通过使用oled来显示全色图像的显示装置可采用其中改变从具有不同颜色的每个像素的发射层发射的每个波长的光学长度的光谐振结构。

技术实现思路

1、一个或多个实施方式包括适合于干法蚀刻工艺以便实现超高分辨率的显示装置和制造显示装置的方法。

2、根据一个或多个实施方式，显示装置包括衬底、设置在衬底上并且包括至少一个薄膜晶体管的像素电路层、第一像素电极和第二像素电极，第一像素电极包括子导电层、第一反射层、无机绝缘层和第一透明电极层，子导电层设置在像素电路层上并且电连接到至少一个薄膜晶体管，其中子导电层包括第一导电材料，第一反射层设置在子导电层上，其中第一反射层包括第二导电材料，无机绝缘层设置在第一反射层上，第一透明电极层覆盖无机绝缘层的上表面并且电连接到子导电层，第二像素电极包括第二反射层和第二透明电极层，第二反射层设置在像素电路层上，其中第二反射层包括第二导电材料，第二透明电极层设置在第二反射层上，其中当在与衬底垂直的方向上观察时，第二像素电极与第一像素电极分开。

3、在实施方式中，第一导电材料可包括氮化钛(tin)。

4、在实施方式中，第二导电材料可包括铝(al)。

5、在实施方式中，第一透明电极层可直接接触子导电层的外表面。

6、在实施方式中，第一透明电极层可完全覆盖子导电层的外表面。

7、在实施方式中，第一透明电极层可直接接触第一反射层的外表面。

8、在实施方式中，第一透明电极层可完全覆盖第一反射层的外表面。

9、在实施方式中，第一反射层可包括沿第一反射层的外表面分布的氧化铝(al2o3)。

10、在实施方式中，第一透明电极层可直接接触无机绝缘层的外表面。

11、在实施方式中，第一透明电极层可完全覆盖无机绝缘层的外表面。

12、在实施方式中，当在与衬底垂直的方向上观察时，无机绝缘层的上表面可设置在第一反射层的上表面内部。

13、在实施方式中，当在与衬底垂直的方向上观察时，第一反射层的上表面可设置在子导电层的上表面内部。

14、在实施方式中，衬底的上表面与第一透明电极层的上表面之间的距离可大于衬底的上表面与第二透明电极层的上表面之间的距离。

15、在实施方式中，第一反射层和第二反射层可包括铝钛合金(al-ti合金)。

16、在实施方式中，无机绝缘层可包括氧化硅(sio2)或氮化硅(sinx)。

17、在实施方式中，第一反射层和子导电层可具有通过使用氯(cl)基蚀刻气体的干法蚀刻工艺形成的图案化形状。

18、在实施方式中，衬底可包括半导体衬底。

19、在实施方式中，第一反射层可在与衬底垂直的方向上与像素电路层分开。

20、在实施方式中，第一反射层可与像素电路层分开子导电层的厚度。

21、在实施方式中，显示装置还可包括设置在第一像素电极上的第一发射层以及设置在第二像素电极上的第二发射层，其中第一发射层与衬底的上表面之间的距离可大于第二发射层与衬底的上表面之间的距离。

22、根据一个或多个实施方式，制造显示装置的方法包括：在硅晶圆衬底上形成包括至少一个薄膜晶体管的像素电路层；通过使用干法刻蚀工艺在像素电路层上形成包含氮化钛(tin)的子导电层并且在子导电层上形成包含铝(al)的第一反射层；在第一反射层上形成无机绝缘层；以及形成覆盖无机绝缘层的上表面并且电连接到子导电层的第一透明电极层。

23、在实施方式中，形成子导电层和第一反射层可包括：执行基于氯氯(cl)基蚀刻气体的干法蚀刻工艺。

24、在实施方式中，形成子导电层和第一反射层可包括：在像素电路层上形成tin层；在tin层上形成al层；以及将基于cl基蚀刻气体的干法蚀刻工艺应用于tin层和al层。

技术特征：

1.一种显示装置，包括：

2.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一导电材料包括氮化钛。

3.如权利要求2所述的显示装置，其中，所述第二导电材料包括铝。

4.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一透明电极层直接接触所述子导电层的外表面。

5.如权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一透明电极层完全覆盖所述子导电层的所述外表面。

6.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一透明电极层直接接触所述第一反射层的外表面。

7.如权利要求6所述的显示装置，其中，所述第一透明电极层完全覆盖所述第一反射层的所述外表面。

8.如权利要求3所述的显示装置，其中，所述第一反射层包括沿所述第一反射层的外表面分布的氧化铝。

9.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一透明电极层直接接触所述无机绝缘层的外表面。

10.如权利要求9所述的显示装置，其中，所述第一透明电极层完全覆盖所述无机绝缘层的所述外表面。

11.如权利要求1所述的显示装置，其中，当在与所述衬底垂直的所述方向上观察时，所述无机绝缘层的所述上表面设置在所述第一反射层的上表面内部。

12.如权利要求11所述的显示装置，其中，当在与所述衬底垂直的所述方向上观察时，所述第一反射层的所述上表面设置在所述子导电层的上表面内部。

13.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述衬底的上表面与所述第一透明电极层的上表面之间的距离大于所述衬底的所述上表面与所述第二透明电极层的上表面之间的距离。

14.如权利要求3所述的显示装置，其中，所述第一反射层和所述第二反射层包括铝钛合金。

15.如权利要求3所述的显示装置，其中，所述无机绝缘层包括氧化硅或氮化硅。

16.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一反射层和所述子导电层具有通过使用氯基蚀刻气体的干法蚀刻工艺形成的图案化形状。

17.如权利要求1至16中的任一项所述的显示装置，其中，所述衬底包括半导体衬底。

18.如权利要求1至16中的任一项所述的显示装置，其中，所述第一反射层在与所述衬底垂直的所述方向上与所述像素电路层分开。

19.如权利要求18所述的显示装置，其中，所述第一反射层与所述像素电路层分开所述子导电层的厚度。

20.如权利要求1至16中的任一项所述的显示装置，还包括：

21.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：

22.如权利要求21所述的制造显示装置的方法，其中，形成所述子导电层和所述第一反射层包括：执行基于氯基蚀刻气体的所述干法蚀刻工艺。

23.如权利要求22所述的制造显示装置的方法，其中，形成所述子导电层和所述第一反射层包括：

技术总结提供了显示装置和制造显示装置的方法。显示装置包括衬底、设置在衬底上并且包括至少一个薄膜晶体管的像素电路层、第一像素电极和第二像素电极，第一像素电极包括子导电层、第一反射层、无机绝缘层和第一透明电极层，子导电层设置在像素电路层上、包括第一导电材料并且电连接到至少一个薄膜晶体管，第一反射层设置在子导电层上并且包括第二导电材料，无机绝缘层设置在第一反射层上，第一透明电极层覆盖无机绝缘层的上表面并且电连接到子导电层，第二像素电极包括第二反射层和第二透明电极层，第二反射层设置在像素电路层上并且包括第二导电材料，第二透明电极层设置在第二反射层上，其中在平面图中第二像素电极与第一像素电极分开。技术研发人员：申铉亿,朴俊龙,李周炫受保护的技术使用者：三星显示有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/18