存储器器件的制作方法

实施方式涉及一种存储器器件。

背景技术：

1、作为能非易失地存储数据的存储器器件，已知有一种nand(not and：与非)闪存。如nand闪存那样的存储器器件中，为了高集成化、大容量化，采用3维存储器构造。

技术实现思路

1、本发明要解决的问题在于提供一种能提高良率的存储器器件。

2、实施方式的存储器器件具备第1导电体层、第2导电体层、多个第3导电体层、第1导电体及存储器柱。所述第2导电体层在第1区域内与所述第1导电体层在第1方向上排列。所述第2导电体层包含第1部分及第2部分。所述第1导电体层包含第3部分及第4部分。所述多个第3导电体层在相对于所述第2导电体层与所述第1导电体层为相反侧的所述第1区域内，在所述第1方向上互相隔开排列。所述第1导电体在所述第1方向延伸，在与所述第1区域不同的第2区域内与所述多个第3导电体层的延长交叉。所述存储器柱在所述第1方向延伸，与所述多个第3导电体层中的每一个交叉的部分作为存储单元发挥功能。所述第1部分在与所述第1方向交叉的平面内延伸，且与所述存储器柱的端部相接。所述第2部分在所述第1部分的所述第1导电体层侧的第1面上以相对于所述第1部分突出的方式设置。所述第3部分在所述第1区域内与所述第2部分相接。所述第4部分在所述第2区域内与所述第1导电体的端部相接。

技术特征：

1.一种存储器器件，具备：

2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中

3.根据权利要求1所述的存储器器件，其中

4.根据权利要求1所述的存储器器件，其中

5.根据权利要求1所述的存储器器件，其中

6.根据权利要求3所述的存储器器件，其中

7.根据权利要求1所述的存储器器件，其中

8.根据权利要求1所述的存储器器件，还具备：

9.根据权利要求8所述的存储器器件，其中

10.根据权利要求8所述的存储器器件，其中

11.根据权利要求8所述的存储器器件，还具备：

12.根据权利要求11所述的存储器器件，

13.根据权利要求1所述的存储器器件，其中

14.根据权利要求13所述的存储器器件，其中

15.根据权利要求14所述的存储器器件，其中

16.根据权利要求1所述的存储器器件，其中

17.根据权利要求1所述的存储器器件，其中

18.根据权利要求1所述的存储器器件，其中

19.根据权利要求1所述的存储器器件，其中

20.根据权利要求1所述的存储器器件，还具备：

技术总结实施方式提供一种提高良率的存储器器件。实施方式的存储器器件具备：第1导电体层；第2导电体层，在第1区域内与第1导电体层在第1方向上排列；多个第3导电体层，在相对于第2导电体层与第1导电体层为相反侧的第1区域内，在第1方向上互相隔开排列；第1导电体，在第1方向延伸，在与第1区域不同的第2区域内，与多个第3导电体层的延长交叉；及存储器柱，在第1方向延伸，与多个第3导电体层中的每一个交叉的部分作为存储单元发挥功能。第2导电体层包含：第1部分，在与第1方向交叉的平面内延伸，且与存储器柱的端部相接；及第2部分，在第1部分的第1导电体层侧的第1面上，以相对于第1部分突出的方式设置。第1导电体层包含与第2部分相接的第1区域内的第3部分，及与第1导电体的端部相接的第2区域内的第4部分。技术研发人员：名嘉地勇稀,佐伯有哉受保护的技术使用者：铠侠股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/18