半导体存储器件的制作方法

本公开涉及半导体存储器件，更具体地，涉及包括垂直沟道晶体管(vct)的半导体存储器件。

背景技术：

1、为了满足客户对高性能和低价格的需求，已经存在对提高半导体存储器件的集成密度的需求。特别地，已经要求增加集成密度，因为对于半导体存储器件，集成密度是最重要的价格决定因素之一。

2、常规二维(2d)或平面半导体存储器件的集成密度由单位存储单元占据的面积确定，因此受到精细图案形成技术的水平的显著影响。然而，由于图案的小型化需要昂贵的设备，所以在增加2d半导体存储器件的集成密度方面仍然存在限制。因此，已经提出了包括其沟道在垂直方向上延伸的垂直沟道晶体管(vct)的半导体存储器件。

技术实现思路

1、本公开的方面提供了具有提高的集成密度和提高的电特性的半导体存储器件。

2、然而，本公开的方面不限于这里阐述的那些。通过参照下面给出的对本公开的详细描述，本公开的上述和其他的方面对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加明显。

3、根据本公开的一方面，提供了一种半导体存储器件，其包括：在衬底上的外围栅极结构；位线，设置在外围栅极结构上并在第一方向上纵向延伸；突出绝缘图案，包括沿与第一方向交叉的第二方向延伸的沟道沟槽；沟道结构，在沟道沟槽中设置在位线上并包括金属氧化物；第一字线，设置在沟道结构上并在第二方向上纵向延伸；第二字线，设置在沟道结构上，在第二方向上纵向延伸，并在第一方向上与第一字线间隔开；着落垫，设置在沟道结构上并连接到沟道结构；垫分离图案，设置在突出绝缘图案上并将着落垫分离；第一通道图案，穿过垫分离图案连接到突出绝缘图案并由氧化物基绝缘材料形成；以及设置在着落垫上的数据存储图案。

4、根据本公开的另一方面，提供了一种半导体存储器件，其包括：衬底，包括单元阵列区和外围电路区；在衬底上的外围栅极结构；位线，设置在外围栅极结构上并在第一方向上纵向延伸；突出绝缘图案，包括沿与第一方向交叉的第二方向延伸的沟道沟槽；沟道结构，在沟道沟槽中设置在位线上并包括金属氧化物，沟道结构包括设置在单元阵列区的最外部上的最外沟道结构；第一字线，设置在沟道结构上并在第二方向上纵向延伸；第二字线，设置在沟道结构上，在第二方向上纵向延伸，并在第一方向上与第一字线间隔开；着落垫，设置在沟道结构上并连接到沟道结构；垫分离图案，设置在突出绝缘图案上并将着落垫分离；上外围线，设置在衬底的外围电路区中并在第三方向上不与沟道结构重叠；以及单元阻挡图案，设置在最外沟道结构和上外围线之间，在第三方向上延伸，并由氮化物基绝缘材料形成。

5、根据本公开的又一方面，提供了一种半导体存储器件，其包括：衬底，包括单元阵列区和外围电路区；在衬底上的外围栅极结构；下外围线，设置在外围栅极结构上并连接到外围栅极结构；虚设外围线，设置在外围栅极结构上并且不连接到外围栅极结构；位线，设置在下外围线和虚设外围线上并在第一方向上纵向延伸；位线插塞，在外围电路区中连接位线和下外围线；虚设位线插塞，在外围电路区中连接位线和虚设外围线；突出绝缘图案，包括沿与第一方向交叉的第二方向延伸的沟道沟槽，沟道沟槽设置在衬底的单元阵列区上；沟道结构，在沟道沟槽中设置在位线上并包括金属氧化物；第一字线，设置在沟道结构上并在第二方向上纵向延伸；第二字线，设置在沟道结构上，在第二方向上纵向延伸，并在第一方向上与第一字线间隔开；着落垫，设置在沟道结构上并连接到沟道结构；垫分离图案，设置在突出绝缘图案上并将着落垫分离；以及设置在着落垫上的电容器。

技术特征：

1.一种半导体存储器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，进一步包括：

3.根据权利要求2所述的半导体存储器件，

4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，

5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，

6.根据权利要求5所述的半导体存储器件，其中所述沟道结构设置在所述第一字线的沿所述第二方向相邻的所述第二部分之间。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器件，进一步包括：

8.根据权利要求1所述的半导体存储器件，进一步包括：

9.一种半导体存储器件，包括：

10.根据权利要求9所述的半导体存储器件，其中所述单元阻挡图案与所述上外围线接触。

11.根据权利要求9所述的半导体存储器件，其中从所述位线到所述单元阻挡图案的上表面的高度与从所述位线到所述上外围线的上表面的高度相同。

12.根据权利要求9所述的半导体存储器件，其中所述上外围线的上表面在与所述着落垫的上表面相同的平面上。

13.根据权利要求9所述的半导体存储器件，

14.根据权利要求9所述的半导体存储器件，进一步包括：

15.根据权利要求9所述的半导体存储器件，

16.根据权利要求9所述的半导体存储器件，进一步包括：

17.一种半导体存储器件，包括：

18.根据权利要求17所述的半导体存储器件，进一步包括：

19.根据权利要求17所述的半导体存储器件，进一步包括：

20.根据权利要求17所述的半导体存储器件，

技术总结公开了一种半导体存储器件，其包括：在衬底上的外围栅极结构；位线，设置在外围栅极结构上并沿第一方向延伸；突出绝缘图案，包括沿与第一方向交叉的第二方向延伸的沟道沟槽；沟道结构，在沟道沟槽中设置在位线上并包括金属氧化物；第一字线，设置在沟道结构上并在第二方向上延伸；第二字线，设置在沟道结构上，在第二方向上延伸，并在第一方向上与第一字线间隔开；着落垫，设置在沟道结构上并连接到沟道结构；垫分离图案，设置在突出绝缘图案上并将着落垫分离；第一通道图案，穿过垫分离图案连接到突出绝缘图案并由氧化物基绝缘材料形成；以及设置在着落垫上的数据存储图案。技术研发人员：朴茁发,宋在俊,河宪俊,朴桐湜受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/7/18