半导体结构及其制作方法与流程

本公开实施例涉及半导体领域，特别涉及一种半导体结构及其制作方法。

背景技术：

1、存储器是用来存储程序和各种数据信息的记忆部件。一般计算机系统使用的随机存取内存(random access memory，ram)可分为动态随机存取存储器(dynamic randomaccess memory，dram)与静态随机存取存储器(static random-access memory，sram)两种，动态随机存取存储器是计算机中常用的半导体存储器件，由许多重复的存储单元组成。

2、存储单元通常包括电容器和晶体管，晶体管的漏极与位线结构相连、源极与电容器相连，电容器包括电容接触结构和电容，存储单元的字线结构能够控制晶体管的沟道区的打开或关闭，进而通过位线结构读取存储在电容器中的数据信息，或者通过位线结构将数据信息写入到电容器中进行存储。

3、目前控制字线结构的方法通常是将在字线导电层上开孔形成接触结构，然而目前字线导电层与接触结构的连接存在可靠性较低的问题。

技术实现思路

1、本公开实施例提供一种半导体结构及其制作方法，至少可以提高字线导电层与接触结构连接的可靠性。

2、根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种半导体结构，包括：衬底；字线导电层，位于所述衬底内，所述字线导电层沿第一方向延伸；电连接层，所述电连接层位于所述字线导电层的顶面，且与所述字线导电层接触电连接，在平行于所述衬底表面且垂直于所述第一方向的第二方向上，所述电连接层的宽度大于所述字线导电层的宽度；接触结构，所述接触结构位于所述电连接层的顶面，且与所述电连接层接触电连接。

3、在一些实施例中，在所述第二方向上，所述电连接层的宽度为所述字线导电层宽度的1.2～2.0。

4、在一些实施例中，所述字线导电层包括：第一导电层和半导体层，所述半导体层位于所述第一导电层顶面，所述电连接层与所述第一导电层的顶面接触连接，所述半导体层与所述电连接层间隔设置。

5、在一些实施例中，所述电连接层包括：第二导电层，所述第二导电层位于所述第一导电层的顶面；第三导电层，所述第三导电层位于所述第二导电层的顶面；其中，所述第二导电层与所述第一导电层的材料相同。

6、在一些实施例中，沿所述第一方向和所述第二方向，所述接触结构的尺寸均小于所述电连接层的尺寸。

7、在一些实施例中，所述衬底包括：阵列区及外围区，所述字线导电层、所述电连接层及所述接触结构位于所述阵列区，所述外围区包括栅极结构，所述栅极结构包括栅极导电层，所述栅极导电层位于所述外围区的所述衬底的表面，在垂直于所述衬底表面的方向上，所述栅极导电层的厚度与所述电连接层的厚度相同。

8、在一些实施例中，在沿所述第二方向上，所述电连接层覆盖部分所述字线导电层的侧壁。

9、在一些实施例中，所述字线导电层沿所述第二方向间隔排布，相邻所述字线导电层顶面的所述电连接层位于所述字线导电层沿所述第一方向排布的不同端部。

10、根据本公开一些实施例，本公开实施例另一方面还提供一种半导体结构的制作方法，提供衬底；形成字线导电层，位于所述衬底内，所述字线导电层沿第一方向延伸；形成电连接层，所述电连接层位于所述字线导电层的顶面，且与所述字线导电层接触电连接，在平行于所述衬底表面且垂直于所述第一方向的第二方向上，所述电连接层的宽度大于所述字线导电层的宽度；形成接触结构，所述接触结构位于所述电连接层的顶面，且与所述电连接层接触电连接。

11、在一些实施例中，形成所述电连接层的方法包括：刻蚀部分所述字线导电层及位于所述字线导电层两侧的部分衬底，以形成第一凹槽；形成初始电连接层，所述初始电连接层填充满所述第一凹槽；图形化所述初始电连接层，剩余所述初始电连接层作为所述电连接层。

12、在一些实施例中，所述衬底包括阵列区及外围区，所述初始电连接层位于所述阵列区及所述外围区；在同一步工艺中图形化所述阵列区及所述外围区的所述初始电连接层，以在所述阵列区形成所述电连接层，同时在所述外围区形成栅极导电层。

13、在一些实施例中，图形化所述初始电连接层的方法包括：在所述初始电连接层的表面形成掩膜层，所述掩膜层位于所述初始电连接层的上方；以所述掩膜层为掩膜刻蚀所述初始电连接层，以暴露所述第一凹槽沿所述第一方向排布的侧壁，剩余所述初始电连接层作为所述电连接层。

14、在一些实施例中，形成所述电连接层的方法包括：刻蚀所述字线导电层及位于所述字线导电层两侧的衬底，以形成第一凹槽；形成牺牲层，所述牺牲层填充满所述第一凹槽；刻蚀所述牺牲层，以形成第二凹槽，所述第二凹槽暴露所述字线导电层的顶面；形成电连接层，所述电连接层填充满所述第二凹槽。

15、在一些实施例中，所述字线导电层包括第一导电层和位于所述第一导电层顶面的半导体层，形成所述第一凹槽的方法还包括：刻蚀去除部分所述半导体层，露出所述第一导电层的顶面。

16、在一些实施例中，形成所述接触结构的方法包括：形成隔离层，所述隔离层至少覆盖部分所述第一导电层的顶面及所述电连接层的表面；刻蚀所述隔离层，以形成第三凹槽，所述第三凹槽暴露所述电连接层的顶面；形成接触结构，所述接触结构填充满所述第三凹槽。

17、本公开实施例提供的技术方案至少具有以下优点：通过提供一种半导体结构，半导体结构包括：衬底，位于衬底内的字线导电层，位于字线导电层顶面的电连接层，且电连接层的宽度大于字线导电层的宽度，接触结构位于电连接层的顶面，通过接触结构与电连接层电连接，电连接层与字线导电层电连接，以实现接触结构与字线导电层电连接，且通过形成电连接层的宽度大于字线导电层的宽度，从而可以增大电连接层用于与接触结构连接的面积，可以降低电连接层与接触结构连接的难度，提高字线导电层与接触结构连接的可靠性。

技术特征：

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在所述第二方向上，所述电连接层的宽度为所述字线导电层宽度的1.2～2.0。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述字线导电层包括：第一导电层和半导体层，所述半导体层位于所述第一导电层顶面，所述电连接层与所述第一导电层的顶面接触连接，所述半导体层与所述电连接层间隔设置。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述电连接层包括：

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，沿所述第一方向和所述第二方向，所述接触结构的尺寸均小于所述电连接层的尺寸。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底包括：阵列区及外围区，所述字线导电层、所述电连接层及所述接触结构位于所述阵列区，所述外围区包括栅极结构，所述栅极结构包括栅极导电层，所述栅极导电层位于所述外围区的所述衬底的表面，在垂直于所述衬底表面的方向上，所述栅极导电层的厚度与所述电连接层的厚度相同。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在沿所述第二方向上，所述电连接层覆盖部分所述字线导电层的侧壁。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述字线导电层沿所述第二方向间隔排布，相邻所述字线导电层顶面的所述电连接层位于所述字线导电层沿所述第一方向排布的不同端部。

9.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：

10.根据权利要求9所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成所述电连接层的方法包括：刻蚀部分所述字线导电层及位于所述字线导电层两侧的部分衬底，以形成第一凹槽；

11.根据权利要求10所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述衬底包括阵列区及外围区，所述初始电连接层位于所述阵列区及所述外围区；

12.根据权利要求10所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，图形化所述初始电连接层的方法包括：

13.根据权利要求9所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成所述电连接层的方法包括：

14.根据权利要求10-13中任意一项所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述字线导电层包括第一导电层和位于所述第一导电层顶面的半导体层，形成所述第一凹槽的方法还包括：刻蚀去除部分所述半导体层，露出所述第一导电层的顶面。

15.根据权利要求14所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成所述接触结构的方法包括：

技术总结本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制作方法，其中，半导体结构包括：衬底；字线导电层，位于所述衬底内，所述字线导电层沿第一方向延伸；电连接层，所述电连接层位于所述字线导电层的顶面，且与所述字线导电层接触电连接，在垂直于所述第一方向且平行于所述衬底表面的第二方向上，所述电连接层的宽度大于所述字线导电层的宽度；接触结构，所述接触结构位于所述电连接层的顶面，且与所述电连接层接触电连接。可以提高字线导电层与接触结构连接的可靠性。技术研发人员：卢志远受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/15