半导体装置的制作方法

示例实施例涉及半导体装置和/或制造该半导体装置的方法。

背景技术：

1、已经进行了减小半导体装置中包括的元件的尺寸并且改善其性能的研究。随着半导体装置中所包括的元件的尺寸的减小，用于形成接触件的技术变得越来越复杂。

技术实现思路

1、一些示例实施例提供可靠的半导体装置。

2、根据示例实施例，一种半导体装置可以包括：第一结构，其具有第一杂质区域、第二杂质区域和隔离区域；第二结构，其位于第一结构上，第二结构包括穿透第二结构并且暴露出第一杂质区域的接触开口；图案结构，其包括在接触开口中连接到第一杂质区域的接触部分；以及线部分，其位于接触部分和第二结构上；以及间隔件结构，其位于接触开口的侧表面与接触部分之间。间隔件结构可以包括位于接触开口的侧表面上的第一间隔件层以及位于第一间隔件层与接触部分之间的第二间隔件层。第二间隔件层的下端可以位于比接触部分的下表面的水平高度高的水平高度处。图案结构的接触部分包括：第一接触区域，其连接到第一杂质区域；以及第一延伸部分，其从第一接触区域突出并且在第二间隔件层的下表面与接触开口的底表面之间延伸。

3、根据示例实施例，一种半导体装置可以包括：第一结构，其具有第一杂质区域、第二杂质区域和隔离区域；第二结构，其包括连接到第二杂质区域的焊盘图案、具有与焊盘图案的侧表面接触的侧表面的绝缘隔离图案、以及位于焊盘图案和绝缘隔离图案上的绝缘缓冲图案，第二结构包括穿透第二结构并且暴露出第一杂质区域的上表面和隔离区域的一部分的接触开口；图案结构，其包括位于接触开口中的接触部分以及位于接触部分和第二结构上的线部分；接触间隔件结构，其位于由第二结构限定的接触开口的侧边界与接触部分之间；以及接触结构，其连接到焊盘图案的上表面，接触结构向上延伸。接触间隔件结构可以包括位于接触开口的侧边界上的第一间隔件层以及位于第一间隔件层与接触部分之间的第二间隔件层。第二间隔件层可以具有与第一间隔件层接触的第一侧表面和与第一侧表面相对的第二侧表面。第二间隔件层的下端可以位于比第一间隔件层的下端的水平高度高的水平高度处。第二间隔件层的第二侧表面的下端可以不与第一间隔件层竖直地重叠。

4、根据示例实施例，一种半导体装置可以包括：第一结构；第二结构，其位于第一结构上，第二结构包括穿透第二结构的接触开口；图案结构，其包括位于接触开口中的接触部分以及位于接触部分和第二结构上的线部分；以及接触间隔件结构，其位于由第二结构限定的接触开口的侧边界与接触部分之间。第一结构可以包括：衬底；位于衬底上的第一有源区域和第二有源区域；隔离区域，其位于第一有源区域和第二有源区域的侧表面上；第一杂质区域和第二杂质区域，第一杂质区域位于第一有源区域的上区域中，第二杂质区域位于第二有源区域的上区域中；栅极沟槽，其穿过第一有源区域和第二有源区域并且延伸到隔离区域中；以及栅极结构，其位于栅极沟槽中。栅极结构可以包括：栅极电介质层，其覆盖栅极沟槽的内壁；栅电极，其在栅极电介质层上部分地填充栅极沟槽；以及栅极封盖图案，其在栅极沟槽中位于栅电极上。栅电极可以具有在第一水平方向上延伸的线性形状。线部分可以具有在垂直于第一水平方向的第二水平方向上延伸的线性形状。第二结构可以包括：焊盘图案，其连接到第二有源区域；绝缘隔离图案，其与焊盘图案的侧表面接触；以及绝缘缓冲图案，其位于焊盘图案和绝缘隔离图案上。接触开口可以暴露出第一杂质区域、与第一杂质区域相邻的隔离区域和与第一杂质区域相邻的栅极封盖图案。接触间隔件结构可以包括位于接触开口的侧边界上的第一间隔件层以及位于第一间隔件层与接触部分之间的第二间隔件层。第一间隔件层的材料可以不同于第二间隔件层的材料。第一间隔件层的下端可以位于比第二间隔件层的下端的水平高度低的水平高度处。第一间隔件层和第二间隔件层中的每一个可以在平面图中具有环形。

技术特征：

1.一种半导体装置，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述接触部分还包括在所述第一杂质区域与所述栅极封盖图案之间延伸并且与所述栅极电介质层接触的第二延伸部分。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述第一隔离区域的上表面和所述第一杂质区域的上表面彼此共面。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述接触部分覆盖所述第一杂质区域的上表面和所述第一杂质区域的侧表面的上区域。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，

12.根据权利要求10所述的半导体装置，还包括：

13.一种半导体装置，包括：

14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，所述接触间隔件结构在平面图中具有环形。

15.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，所述第一间隔件层的厚度大于所述第二间隔件层的厚度。

16.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，

17.一种半导体装置，包括：

18.根据权利要求17所述的半导体装置，其中，在所述接触部分和所述线部分在所述第一水平方向上被切割的截面结构中，

19.根据权利要求17所述的半导体装置，其中，在所述接触部分和所述线部分在所述第二水平方向上被切割的截面结构中，

20.根据权利要求19所述的半导体装置，其中，所述接触部分包括在所述接触开口的底表面与所述第二间隔件层的下表面之间延伸的延伸部分。

技术总结一种半导体装置包括：第一结构，其包括第一杂质区域、第二杂质区域和隔离区域；第二结构，其位于第一结构上并且包括穿透第二结构并且暴露出第一杂质区域的接触开口；图案结构，其包括在接触开口中连接到第一杂质区域的接触部分；以及线部分，其位于接触部分和第二结构上；以及间隔件结构，其位于接触开口的侧表面与接触部分之间。间隔件结构包括位于接触开口的侧表面上的第一间隔件层、以及位于第一间隔件层与接触部分之间的第二间隔件层。第二间隔件层的下端位于比接触部分的下表面高的水平高度处。技术研发人员：朴台镇,金奉秀,金熙中受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/7/15