半导体器件的制作方法

本发明构思涉及半导体器件。

背景技术：

1、根据电子行业的快速发展和用户的需求，电子装置正变得更加紧凑和轻便。因此，在电子装置中需要具有高集成度的半导体器件，并且因此，半导体器件的组件的设计规则中包括的特征的尺寸正在减小。

技术实现思路

1、本发明构思提供了一种展示出降低的工艺难度的半导体器件。

2、本发明构思的目标不限于上述目标，并且本领域技术人员可以从以下描述清楚地理解本文未描述的其他目标。

3、本发明构思提供了一种半导体器件。根据本公开的一个方面，一种半导体器件包括衬底，所述衬底具有由隔离层限定的有源区；字线，所述字线跨过所述有源区，并且在所述衬底内在字线沟槽内部在第一水平方向上延伸，所述字线沟槽形成在所述衬底中并且包括第一子字线沟槽和第二子字线沟槽；以及位线，所述位线位于比所述字线的垂直高度高的垂直高度处，所述位线在不同于所述第一水平方向的第二水平方向上延伸，其中，所述第一子字线沟槽的下表面在所述第一水平方向上的宽度大于所述第二子字线沟槽的下表面在所述第一水平方向上的宽度，并且所述第一子字线沟槽的下表面和所述有源区在垂直方向上与所述字线交叠的上表面之间的第一距离小于所述第二子字线沟槽的下表面和所述有源区在所述垂直方向上与所述字线交叠的上表面之间的第二距离。

4、本发明构思提供了一种半导体器件。根据本公开的一个方面，一种半导体器件包括：衬底；隔离层，所述隔离层在所述衬底内部限定有源区，所述隔离层包括位于第一隔离沟槽内部的第一隔离层和位于第二隔离沟槽内部的第二隔离层；字线，所述字线在字线沟槽内部在第一水平方向上延伸，所述字线沟槽形成在所述衬底中并且包括位于所述第一隔离沟槽上的第一子字线沟槽和位于所述第二隔离沟槽上的第二子字线沟槽；以及位线，所述位线位于比所述字线的垂直高度高的垂直高度处，并且在垂直于所述第一水平方向的第二水平方向上延伸，其中，所述第一隔离沟槽在所述第一水平方向上的第一宽度大于所述第二隔离沟槽在所述第一水平方向上的第二宽度，其中，所述第一隔离层包括第一子隔离层和位于所述第一子隔离层上的第二子隔离层，其中，所述第一子隔离层在第一垂直高度处具有第一厚度，在低于所述第一垂直高度的第二垂直高度处具有第二厚度，并且其中，所述第二厚度小于所述第一厚度。

5、本发明构思提供了一种半导体器件。根据本公开的一个方面，一种半导体器件包括：衬底，所述衬底具有由隔离层限定的有源区；字线，所述字线跨过所述有源区，并且在所述衬底内在字线沟槽内部在第一水平方向上延伸，所述字线沟槽形成在所述衬底中并且包括第一子字线沟槽和第二子字线沟槽；以及位线，所述位线位于比所述字线的垂直高度高的垂直高度处，所述位线在垂直于所述第一水平方向的第二水平方向上延伸；直接接触，所述直接接触被配置为将所述位线电连接到所述有源区；掩埋接触，所述掩埋接触位于所述位线之间；以及电容器结构，所述电容器结构经由所述掩埋接触电连接到所述有源区，其中，所述第一子字线沟槽的下表面在所述第一水平方向上的宽度大于所述第二子字线沟槽的下表面在所述第一水平方向上的宽度，其中，所述第二子字线沟槽的下表面的垂直高度低于所述第一子字线沟槽的下表面的垂直高度，其中，所述隔离层包括在垂直方向上与所述字线的位于所述第一子字线沟槽内部的第一部分交叠的第一隔离层，其中，所述第一隔离层包括包含氧化物的第一子隔离层和位于所述第一子隔离层上的第二子隔离层，所述第二子隔离层包括氮化物，其中，所述第一子隔离层在第一垂直高度处具有第一厚度，在低于所述第一垂直高度的第二垂直高度处具有第二厚度，并且其中，所述第二厚度小于所述第一厚度。

技术特征：

1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述隔离层包括：

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一隔离层包括第一子隔离层和位于所述第一子隔离层上的第二子隔离层。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第二隔离层包括与所述第一子隔离层的材料相同的材料。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一子隔离层在第一垂直高度处在所述第一水平方向上具有第一厚度，并且在低于所述第一垂直高度的第二垂直高度处在所述第一水平方向上具有第二厚度，并且

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述字线在所述第一子字线沟槽内部具有第一垂直厚度，并且在所述第二子字线沟槽内部具有第二垂直厚度，并且

7.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第二子字线沟槽的下表面的垂直高度低于所述第一子字线沟槽的下表面的垂直高度。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一子字线沟槽的下表面在所述第一水平方向上的宽度大于所述第二子字线沟槽的下表面在所述第一水平方向上的宽度。

10.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述字线的位于所述第一子字线沟槽内部的第一部分具有第一垂直厚度，并且所述字线的位于所述第二子字线沟槽内部的第二部分具有第二垂直厚度，并且

11.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第二隔离沟槽在所述第一水平方向上的第二宽度的一半大于或等于所述第一子隔离层在所述第二垂直高度处的第二厚度，并且

12.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一子隔离层包括第一氧化物，所述第二子隔离层包括氮化物，并且所述第二隔离层包括第二氧化物。

13.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一隔离层和所述第二隔离层在垂直方向上与所述字线交叠。

14.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

15.根据权利要求14所述的半导体器件，其中，所述隔离层还包括第二隔离层，所述第二隔离层在所述垂直方向上与所述字线的位于所述第二子字线沟槽内部的第二部分交叠，并且

16.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，所述第二隔离层的上表面的垂直高度低于所述第二子隔离层的上表面的垂直高度。

17.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，所述第一隔离层和所述第二隔离层在所述第一水平方向上交替地布置。

18.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，所述第二隔离层的上表面具有拥有v形和u形中的至少一种的截面，并且

19.根据权利要求14所述的半导体器件，其中，所述字线的第一部分具有第一垂直厚度，并且所述字线的位于所述第二子字线沟槽内部的第二部分具有第二垂直厚度，并且

20.根据权利要求14所述的半导体器件，其中，所述第一子字线沟槽的下表面和所述有源区在所述垂直方向上与所述字线交叠的上表面之间的第一距离小于所述第二子字线沟槽的下表面和所述有源区在所述垂直方向上与所述字线交叠的上表面之间的第二距离。

技术总结提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：衬底，所述衬底具有由隔离层限定的有源区；字线，所述字线跨过所述有源区并且在所述衬底内在字线沟槽内部在第一水平方向上延伸，所述字线沟槽形成在所述衬底中并且包括第一子字线沟槽和第二子字线沟槽。所述第一子字线沟槽的下表面在所述第一水平方向上的宽度大于所述第二子字线沟槽的下表面在所述第一水平方向上的宽度，并且所述第一子字线沟槽的下表面与所述有源区的上表面之间的第一距离小于所述第二子字线沟槽的下表面和所述有源区的上表面之间的第二距离。技术研发人员：郑有真,许廷焕受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/7/15