半导体元件及其制作方法与流程

本揭露是有关于一种半导体元件及半导体元件的制作方法。

背景技术：

1、金属-绝缘体-金属(mim)电容已被广泛用于功能电路，如混合信号电路、模拟电路、射频(rf)电路、动态随机存取记忆体(dram)、嵌入式dram和逻辑操作电路。例如，在系统单晶片(system-on-chip)的应用中，不同的功能电路可以使用不同的电容来达到不同的目的。在混合信号电路中，电容也可能被用作去耦联(decoupling)电容和高频杂讯筛检程序。对于dram和嵌入式dram电路，电容可用于存储，而对于射频电路，电容可用于振荡器和移相网络用于耦合和/或旁路。对于微处理器，电容可用于去耦联。

技术实现思路

1、根据本揭露内容的一些实施例，一种半导体元件的制作方法包含：形成第一电极；沉积介电质层在第一电极上方，其中介电质层具有第一介电常数以及第一厚度；沉积介电质盖层在介电质层上方，其中介电质盖层具有高于第一介电常数的第二介电常数，且介电质盖层具有小于第一厚度的第二厚度；形成第二电极在介电质盖层上方；形成第一接触塞电性连接至第一电极；以及形成第二接触塞电性连接至第二电极。

2、根据本揭露内容的一些实施例，一种半导体元件包含电容。电容，包含第一电极、主要电容绝缘体、介电质盖层以及第二电极。主要电容绝缘体在第一电极上方，其中主要电容绝缘体具有第一介电常数以及第一厚度。介电质盖层，在主要电容绝缘体上方，其中介电质盖层具有大于第一介电常数的第二介电常数，且介电质盖层还具有小于第一厚度的第二厚度。第二电极在介电质盖层上方。

3、根据本揭露内容的一些实施例，一种半导体元件包含第一电极、电容绝缘体、第二电极、第一接触塞以及第二接触塞。第一电极包含氮化钛。电容绝缘体包含第一氧化钛层、介电质层以及第二氧化钛层。第一氧化钛层在第一电极上方。介电质层在第一氧化钛层上方。第二氧化钛层在介电质层上方。第二电极在电容绝缘体上方，其中第二电极包含氮化钛。第一接触塞电性连接至第一电极。第二接触塞电性连接至第二电极。

技术特征：

1.一种半导体元件的制作方法，其特征在于，包含：

2.如权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其特征在于，其中该沉积该介电质盖层包含沉积一第一氧化钛层。

3.如权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其特征在于，其中该介电质层沉积在该第一电极的一原生氧化层上并接触该原生氧化层。

4.如权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其特征在于，进一步包含：

5.一种半导体元件，其特征在于，包含：

6.如权利要求5所述的半导体元件，其特征在于，其中该主要电容绝缘体包含氧化锆铪，且其中该介电质盖层包含氧化钛。

7.如权利要求5所述的半导体元件，其特征在于，进一步包含一额外介电质层在该主要电容绝缘体下方，该额外介电质层接触该主要电容绝缘体，其中该额外介电质层包含氧化钛。

8.一种半导体元件，其特征在于，包含：

9.如权利要求8所述的半导体元件，其特征在于，其中该介电质层较该第一氧化钛层以及该第二氧化钛层更厚。

10.如权利要求8所述的半导体元件，其特征在于，其中该第一氧化钛层和该第二氧化钛层的介电常数高于该介电质层的一额外介电常数。

技术总结根据本揭露内容的一些实施例，揭露一种半导体元件及其制作方法，方法包含：形成第一电极；沉积介电质层在第一电极上方，其中介电质层具有第一介电常数以及第一厚度；沉积介电质盖层在介电质层上方，其中介电质盖层具有高于第一介电常数的第二介电常数，且介电质盖层具有大于第一厚度的第二厚度；形成第二电极在介电质盖层上方；形成第一接触塞电性连接至第一电极；以及形成第二接触塞电性连接至第二电极。技术研发人员：蔡欣宏,江淳修,侯承浩,李达元,徐志安受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/15