半导体开关以及半导体电路

本发明涉及一种半导体开关以及半导体电路。

背景技术：

1、专利文献1公开了具备超级结结构的双极晶体管(sjbjt：超级结双极晶体管)。sjbjt具有低导通电阻、陡峭的关断特性、高耐压特性，有望应用于例如音频、继电器以及逆变器电路等。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：国际公开第2021/090944号

技术实现思路

1、(发明要解决的课题)

2、由于专利文献1的sjbjt是双极晶体管，因此需要通过电流的控制，存在用于半导体电路时难以处理的问题。

3、本发明是鉴于这样的情况而完成的，目的在于提供一种提高便利性的半导体开关以及半导体电路。

4、(用于解决课题的技术方案)

5、根据本发明，提供一种半导体开关，其具备第1以及第2晶体管，第1晶体管为场效应晶体管，第2晶体管为超级结双极晶体管，第1以及第2晶体管以使前级为第1晶体管的方式达林顿连接。

6、根据本发明的半导体开关，作为超级结双极晶体管的第2晶体管与作为场效应晶体管的第1晶体管达林顿连接。并且，于该达林顿连接，在前级配置有作为场效应晶体管的第1晶体管。因此，本发明的半导体开关通过可进行电压控制的第1晶体管来控制第2晶体管(超级结双极晶体管)，提高便利性。

7、以下，例示本发明的各种实施方式。以下示出的实施方式可以互相组合。

8、优选，提供一种半导体开关，其还具备第1～第4端子，第1端子连接于第1晶体管的栅极，第2端子连接于第2晶体管的基极，第3端子连接于第1晶体管的漏极以及第2晶体管的集电极，第4端子连接于第2晶体管的发射极。

9、优选，提供一种半导体，还具备支路部，所述支路部连接第2晶体管的基极与第2晶体管的发射极，且具有分流电阻。

10、优选，提供一种半导体，所述支路部还具有二极管，所述二极管的阳极连接于第2晶体管的基极侧，所述二极管的阴极连接于第2晶体管的发射极侧。

11、根据本发明的实施方式的别的观点，提供一种半导体电路，其具备半导体开关以及驱动电路，所述半导体开关具有第1以及第2晶体管，第1晶体管为场效应晶体管，第2晶体管为超级结双极晶体管，第1以及所述第2晶体管以使前级为第1晶体管的方式达林顿连接，所述驱动电路具有输入输入信号的信号输入部以及电荷诱导部，所述电荷诱导部构成为，根据所述输入信号关闭所述半导体开关时，第2晶体管的基极的电位低于所述第2晶体管的发射极的电位。

12、优选，提供一种半导体电路，所述驱动电路具有直流电压源以及第1开关部，所述信号输入部连接于第1开关部，使得所述输入信号输入到第1开关部，所述直流电压源连接于第1开关部，第1开关部连接于第1晶体管的栅极，且构成为根据所述输入信号是第1电压还是第2电压来反转从所述直流电压源供给至所述半导体开关的电压的极性，所述电荷诱导部连接于第2晶体管的基极，当所述输入信号为第1电压时，所述直流电压源的预定电压被施加至第1晶体管的栅极使所述半导体开关开启，当所述输入信号从第1电压变为第2电压时，第1晶体管的栅极的电荷通过第1开关部被诱导至所述直流电压源而使所述半导体开关关闭，且第2晶体管的基极的电荷被诱导至所述直流电压源的负极。

13、优选，提供一种半导体电路，所述驱动电路还具有第1电阻，第1电阻连接于所述直流电压源以及第1开关部，所述电荷诱导部具有第2电阻以及第2开关部，第2电阻连接于第2晶体管的基极以及第2开关部，第2开关部连接于所述直流电压源，所述信号输入部连接于第2开关部，使所述输入信号输入到第2开关部，当所述输入信号从第1电压变为第2电压时，第1晶体管的栅极的电荷通过第1开关部以及第1电阻被诱导至所述直流电压源，开启第2开关部，第2晶体管的基极的电荷通过第2电阻以及第2开关部被诱导至所述直流电压源。

14、优选，提供一种半导体电路，所述驱动电路还具有第1电阻，第1电阻连接于所述直流电压源以及第1开关部，所述电荷诱导部具有诱导二极管，所述诱导二极管的阳极连接于第2晶体管的基极，所述诱导二极管的阴极连接于第1晶体管的栅极，当所述输入信号从第1电压变为第2电压时，第1晶体管的栅极的电荷通过第1开关部以及第1电阻被诱导至所述直流电压源，第2晶体管的基极的电荷通过所述诱导二极管以及第1开关部被诱导至所述直流电压源。

技术特征：

1.一种半导体开关，其具备第1以及第2晶体管，

2.根据权利要求1所述的半导体开关，

3.根据权利要求1或2所述的半导体开关，

4.根据权利要求3所述的半导体开关，

5.一种半导体电路，具备半导体开关以及驱动电路，

6.根据权利要求5所述的半导体电路，

7.根据权利要求6所述的半导体电路，

8.根据权利要求6所述的半导体电路，

技术总结本发明的目的在于提供一种提高便利性的半导体开关以及半导体电路。本发明提供一种半导体开关，其具备第1以及第2晶体管，第1晶体管为场效应晶体管，第2晶体管为超级结双极晶体管，第1以及第2晶体管以使前级为第1晶体管的方式达林顿连接。技术研发人员：矢野浩司受保护的技术使用者：国立大学法人山梨大学技术研发日：技术公布日：2024/7/15