解复用电路、解复用电路结构以及制作方法、显示面板与流程

本申请属于显示面板，更具体地说，是涉及一种解复用电路、解复用电路结构以及制作方法、显示面板。

背景技术：

1、随着手游越来越受欢迎，使用者对手机的屏幕要求也越来越高；1、手机屏幕的有效显示占比要求越来越高；2、手机屏的刷新高频率。目前高端手机基本上采用120hz作为刷新频率，由于频率高，导致屏幕功耗一直高；为了降低功耗，目前市面上电子产品的显示屏幕一般采用低温多晶氧化物（ltpo）显示面板。

2、其次，ltpo显示面板包括有效显示区（aa区）和边框，如图1所示；边框包括ic、扇出走线（fanout）以及解复用电路（demux电路），目前demux电路用于把一个信号通道分解为多个信号通道；如图2所示，一条数据（data）讯号经过demux 电路变成三条数据（data）讯号线输入到面内，这样就会直接将fanout的data线数目会变成1/3。但是由于要对aa区的data讯号线充放电；因此demux 电路中的tft会比较大，这样会导致功耗上升，以及demux电路的面积增加，不利于窄边框的设计。

技术实现思路

1、本申请实施例的目的在于提供一种解复用电路结构，该解复用电路结构可以有效降低功耗。

2、为实现上述目的，本申请采用的技术方案是：提供一种解复用电路结构，包括：

3、一种解复用电路，包括：

4、数据总线；

5、n组数据线，每组数据线包括3条数据线；；

6、开关单元，与每组数据线的数据线一一对应设置；

7、n组信号线，每组信号线包括3对信号线，每对信号线包括一个主信号线和一个副信号线；

8、每个开关单元包括两个薄膜晶体管，分别为p型薄膜晶体管和n型薄膜晶体管；

9、其中一个薄膜晶体管的栅极与其中一组信号线的主信号线连接，另一个薄膜晶体管的栅极与该组信号线的副信号线连接；两个薄膜晶体管的源极均与数据总线电性连接；两个薄膜晶体管的漏极均与对应的其中一个数据线连接；

10、每对信号线的主信号线、副信号线之间设有反相器。其中，n为自然数。

11、优选地，反相器包括两个薄膜晶体管，分别为p型薄膜晶体管和n型薄膜晶体管；两个薄膜晶体管的栅极均与主信号线电性连接；p型薄膜晶体管的源极与门开启电源vgh电性连接，n型薄膜晶体管的源极与门关断电源vgl电性连接，两个薄膜晶体管的漏极均与副信号线连接。

12、其包括：双薄膜晶体管（tft）结构，双薄膜晶体管结构包括：

13、依次层叠设置的p型衬底，第一绝缘层、第一栅极、第二绝缘层、半导体层以及源漏极层，还有第三绝缘层以及第二栅极；p型衬底为低温多晶硅（ltps），半导体层为铟镓锌氧化物（igzo）；

14、其中，源漏极层包括第一源极、第二源极、第一漏极以及第二漏极；第一源极、第二源极位于半导体层的一侧，第一漏极、第二漏极位于半导体层的另一侧；第一漏极与第二漏极电性连接，第二漏极与p型衬底的一端连接；

15、当第一源极电性连接于半导体层的一端，第一源极、第二源极均设置于第二绝缘层上，第二源极与第一源极、igzo半导体层间隔设置,且与p型衬底的另一端连接；第一漏极与半导体层的另一端电性连接；双tft结构构成反相器；

16、当第一源极与第二源极电性连接，第一源极与半导体层的一端电性连接；第二源极与p型衬底连接；双tft结构构成开关单元。

17、优选地，第一漏极、第二漏极集成为总漏极。

18、第一源极、第二源极通过导线分别与门开启电压vgh、门关断电压vgl连接；总漏极连接有用于对外输出电流信号的副信号线；第一栅极、第二栅极通过导线与输入信号的主信号线连接。

19、进一步地，所述第二绝缘层、第一绝缘层的两端分别设有第一过孔、第二过孔，总漏极通过第一过孔与p型衬底电性连接，第二栅极通过第二过孔与p型衬底电性连接。

20、作为上述结构的一种变形，总漏极、第一源极、第二源极均设置于第一绝缘层的上方，且被第二绝缘层覆盖，所述第一绝缘层的两端分别设有第三过孔、第四过孔，总漏极通过第三过孔与p型衬底电性连接，第二栅极通过第四过孔与p型衬底电性连接；所述第二绝缘层的两端还分别设有第五过孔、第六过孔，igzo半导体层的两端分别通过第五过孔与总漏极电性连接，第六过孔与第一源极、第二源极电性连接。

21、一种解复用电路结构制作方法，包括以下步骤：

22、提供p型衬底；p型衬底为低温多晶硅(itps)；

23、在p型衬底上形成第一绝缘层；

24、在第一绝缘层上形成第一栅极；

25、在第一栅极、第一绝缘层上形成第二绝缘层；

26、在第一绝缘层或第二绝缘层上方的两侧形成源漏极层；

27、在第二绝缘层中部上形成半导体层；半导体层为铟镓锌氧化物（igzo）；

28、在源漏极层、半导体层上形成第三绝缘层；

29、在第三绝缘层上形成第二栅极。

30、其中，当在第二绝缘层的两侧形成源漏极层时，源漏极层包括：第一源极、第二源极、第一漏极和第二漏极；第一源极与第二源极间隔设置并分别与半导体层的一端电性连接；第一漏极与第二漏极电性连接或集成为一体，第一漏极与半导体层的另一端电性连接；第二源极与p型衬底的一端电性连接，第二漏极与p型衬底的另一端电性连接。

31、其次，在第二绝缘层的两侧形成源漏极层前，解复用电路结构制作方法，还包括：

32、在第一绝缘层、第二绝缘层的两侧分别形成第一过孔、第二过孔；

33、第二漏极通过第一过孔与p型衬底的另一端电性连接；第二源极通过第二过孔与p型衬底的一端电性连接。

34、当在第一绝缘层的两侧形成源漏极层时，源漏极层包括：第一源极、第二源极、第一漏极和第二漏极；第一源极与第二源极间隔设置并分别与半导体层的一端电性连接；第一漏极与第二漏极电性连接或集成为一体，第一漏极与半导体层的另一端电性连接；第二源极与p型衬底的一端电性连接，第二漏极与p型衬底的另一端电性连接。

35、在第一绝缘层的两侧形成源漏极层前，解复用电路结构制作方法，还包括：

36、在第一绝缘层的两侧分别形成第三过孔、第四过孔；

37、第二漏极通过第一过孔与p型衬底的另一端电性连接；第二源极通过第二过孔与p型衬底的一端电性连接。

38、在第二绝缘层的两侧分别形成第五过孔、第六过孔；

39、半导体层的两端分别通过第五过孔、第六过孔与第一漏极、第一源极电性连接。

40、一种显示面板，包括上述的解复用电路结构。

41、本申请的有益效果在于：本申请解复用电路采用层叠的cmos结构，功效相对更低，边框能够更窄。

技术特征：

1.一种解复用电路，包括：

2.根据权利要求1所述的解复用电路，其特征在于：反相器包括两个薄膜晶体管，分别为p型薄膜晶体管和n型薄膜晶体管；两个薄膜晶体管的栅极均与主信号线电性连接；p型薄膜晶体管的源极与门开启电源电性连接，n型薄膜晶体管的源极与门关断电源电性连接，两个薄膜晶体管的漏极均与副信号线连接。

3.一种解复用电路结构，其特征在于：其包括：双薄膜晶体管结构，双薄膜晶体管结构包括：

4.根据权利要求3所述的解复用电路结构，其特征在于：第一漏极、第二漏极集成为总漏极；第一源极、第二源极通过导线分别与门开启电压vgh、门关断电压vgl连接；总漏极连接有用于对外输出电流信号的副信号线；第一栅极、第二栅极通过导线与输入信号的主信号线连接。

5.根据权利要求4所述的解复用电路结构，其特征在于：所述第二绝缘层、第一绝缘层的两端分别设有第一过孔、第二过孔，总漏极通过第一过孔与p型衬底电性连接，第二栅极通过第二过孔与p型衬底电性连接。

6.根据权利要求4所述的解复用电路结构，其特征在于：总漏极、第一源极、第二源极均设置于第一绝缘层的上方，且被第二绝缘层覆盖，所述第一绝缘层的两端分别设有第三过孔、第四过孔，总漏极通过第三过孔与p型衬底电性连接，第二栅极通过第四过孔与p型衬底电性连接；所述第二绝缘层的两端还分别设有第五过孔、第六过孔，半导体层的两端分别通过第五过孔与总漏极电性连接，第六过孔与第一源极、第二源极电性连接。

7.一种解复用电路结构制作方法，其特征在于：包括以下步骤：

8.根据权利要求7所述的解复用电路结构制作方法，其特征在于：当在第二绝缘层的两侧形成源漏极层时，源漏极层包括：第一源极、第二源极、第一漏极和第二漏极；第一源极与第二源极间隔设置并分别与半导体层的一端电性连接；第一漏极与第二漏极电性连接或集成为一体，第一漏极与半导体层的另一端电性连接；第二源极与p型衬底的一端电性连接，第二漏极与p型衬底的另一端电性连接。

9.根据权利要求8所述的解复用电路结构制作方法，其特征在于：在第二绝缘层的两侧形成源漏极层前，解复用电路结构制作方法，还包括：

10.根据权利要求8所述的解复用电路结构制作方法，其特征在于：当在第一绝缘层的两侧形成源漏极层时，源漏极层包括：第一源极、第二源极、第一漏极和第二漏极；第一源极与第二源极间隔设置并分别与半导体层的一端电性连接；第一漏极与第二漏极电性连接或集成为一体，第一漏极与半导体层的另一端电性连接；第二源极与p型衬底的一端电性连接，第二漏极与p型衬底的另一端电性连接。

11.根据权利要求9所述的解复用电路结构制作方法，其特征在于：在第一绝缘层的两侧形成源漏极层前，解复用电路结构制作方法，还包括：

12.一种显示面板，包括显示驱动电路，其特征在于：显示驱动电路包括权利要求1至2中任意所述的解复用电路，解复用电路的数据线对应连接有机发光二极管；或者，显示驱动电路包括权利要求3至6中任意所述的解复用电路结构以及多个有机发光二极管，解复用电路结构通过数据线分别与对应的有机发光二极管电连接，控制有机发光二极管的发光。

技术总结本申请涉及一种解复用电路、解复用电路结构以及制作方法、显示面板。解复用电路，包括：数据总线；N组数据线；开关单元；N组信号线，每组信号线包括3对信号线，每对信号线包括一个主信号线和一个副信号线；每个开关单元包括两个薄膜晶体管，分别为P型薄膜晶体管和N型薄膜晶体管；其中一个薄膜晶体管的栅极与其中一组信号线的主信号线连接，另一个薄膜晶体管的栅极与该组信号线的副信号线连接；两个薄膜晶体管的源极均与数据总线电性连接；两个薄膜晶体管的漏极均与对应的其中一个数据线连接；每组信号线的主信号线、副信号线之间设有反相器。本申请解复用电路采用层叠的CMOS结构，功效相对更低，边框能够更窄。技术研发人员：曹尚操,袁海江受保护的技术使用者：惠科股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/15