桥式D类射频放大电路的制作方法

背景技术：

1、d类放大器通过以高于模拟输出信号中的频率的频率接通和断开一个或多个功率开关装置(如功率金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet))来产生模拟输出信号，以产生数字调制信号(例如脉宽调制(pwm)信号或脉冲频率调制(pfm)信号)。数字调制信号然后被滤波(例如通过使用低通滤波器)以产生模拟输出信号。

2、d类放大器可以包括驱动装置，其向功率开关装置的控制端提供各自的控制信号。驱动装置和功率开关装置之间的连接会产生寄生电感和电阻。

3、驱动装置和功率开关装置之间连接的寄生电感和电阻可能限制功率开关装置的开关频率，这可能限制模拟输出信号的最大频率。

技术实现思路

1、实施例涉及射频(rf)放大器，特别的涉及一种d类rf放大器，包括使用高带隙半导体功率器件的全桥d类rf放大器。

2、在一实施例中，d类放大器电路包括电路板、第一放大器输出和第二放大器输出。第一功率器件设置在电路板上，并包括左控制端、右控制端、第一导通端和第二导通端。第二、第三和第四功率器件也设置在电路板上，并且每个包括各自的第一导通端和第二导通端。第一左驱动装置设置在与第一功率器件的左相邻，并与第一功率器件的左控制端耦合。第一右驱动装置设置在第一功率器件的右侧相邻，并与第一功率器件的右控制端耦合，第一功率器件的第一导通端和第三功率器件的第一导通端耦合至第一电源电压。所述第一功率器件的第二导通端和所述第二功率器件的第一导通端耦合至所述第一放大器输出。所述第二功率器件的第二导通端和所述第四功率器件的第二导通端耦合至第二电源电压。所述第三功率器件的第二导通端和所述第四功率器件的第一导通端耦合至所述第二放大器输出。

技术特征：

1.一种d类放大器电路，包括：

2.根据权利要求1所述的放大器电路，其中所述第一功率器件为多盒功率器件，包括：

3.根据权利要求2所述的放大器电路；

4.根据权利要求3所述的放大器电路，其中，所述第一功率器件的每个左源极触点分别连接到所述第一左驱动装置的对应开尔文源极连接。

5.根据权利要求2所述的放大器电路，

6.根据权利要求5所述的放大器电路，其中，所述第一功率器件的每个所述左栅极触点分别连接到所述第一左驱动装置的对应栅极输出。

7.根据权利要求5所述的放大器电路，其中所述第一左驱动装置包括多个子驱动器，所述多个子驱动器分别产生所述第一左驱动装置的栅极输出，以及

8.根据权利要求2所述的放大器电路，

9.根据权利要求8所述的放大器电路，其中在所述第一功率器件内：

10.根据权利要求9所述的放大器电路，其中所述第一功率器件包括金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)，和

11.根据权利要求10所述的放大器电路，其中所述mosfet为垂直mosfet。

12.根据权利要求10所述的放大器电路，其中所述左有源区域和所述右有源区域中的每一个包括肖特基势垒二极管(sbd)。

13.根据权利要求12所述的放大器电路，其中所述sbd是位于它们各自有源区域的mosfet的单元内部的单片集成sbd。

14.根据权利要求12所述的放大器电路，其中所述sbd位于它们各自有源区域的mosfet的单元的外部。

15.根据权利要求8所述的放大器电路，

16.根据权利要求15所述的放大器电路，

17.根据权利要求1所述的放大器电路，还包括耦合到所述第一放大器输出的低通滤波电路。

18.根据权利要求1所述的放大器电路，

19.根据权利要求18所述的放大器电路，还包括控制器电路，其包括：

20.根据权利要求1所述的放大器电路，还包括耦合到所述第一放大器输出和所述第二放大器输出的低通滤波电路。

21.根据权利要求1所述的放大器电路，包括：

技术总结全桥D类放大电路包括第一至第四功率器件。所述第一、第三功率器件的第一导通端耦合至第一电源电压，所述第二、第四功率器件的第二导通端耦合至第二电源电压。所述第一功率器件的第二导通端和所述第二功率器件的第一导通端耦合到第一放大器输出。第三功率器件的第二导通端和第四功率器件的第一导通端耦合到第二放大器输出。分别设置在第一功率器件左、右两侧相邻的左、右驱动装置具有分别耦合到设置在第一功率器件左、右两侧的左、右控制端的输出。技术研发人员：大智山姆诚一郎,D·G·斯德鲁拉,W·A·顾,高田哲也,让原逸男,米山知宏,细山田佑受保护的技术使用者：模拟电力转换有限责任公司技术研发日：技术公布日：2024/7/15