存储器装置的制作方法

本申请案主张美国第18/097,338号专利申请案的优先权(即优先权日为“2023年1月16日”)，其内容以全文引用的方式并入本文中。本公开是关于一种存储器装置及其制造方法。特别是关于一种具有绝缘层和与绝缘层相应的导电层以形成通道式p-n接面的存储器装置及该存储器装置的制造方法。

背景技术：

1、动态随机存取存储器(dram)是一种将数据位元存储在集成电路(ic)的个别电容中的半导体布局。dram的形成通常是以沟槽电容dram单元的形式。一种制造埋置栅极电极的先进方法涉及在包括浅沟槽隔离(sti)结构的主动区(aa)的沟槽中建造晶体管的栅极电极和字元线。

2、过去的几十年内，随着半导体制造技术持续地改良，电子装置的尺寸也相应地缩小。当p-n接面的尺寸缩小到长度为几个纳米时，p-n接面内不期望的传导可能显著地降低dram的效能。因此，希望能避免p-n接面的漏电流。

技术实现思路

1、本公开的一层面提供一种存储器装置。该存储器装置包含一半导体基底，具有一第一表面，且在该第一表面下定义一主动区；一栅极结构，相邻于该主动区且自该第一表面凹入该半导体基底内；一掺杂构件，延伸进入该半导体基底且由该主动区环绕；一导电层，包含自该第一表面延伸进入该半导体基底的一第一部分，以及设置在该掺杂构件上且与该第一部分耦接的一第二部分；以及一第一绝缘层，设置为与该导电层的该第一部分相邻，且在该掺杂构件与该半导体基底的该主动区之间，其中该导电层的该第一部分是设置在该栅极结构与该掺杂构件之间。

2、本公开的另一层面提供一种存储器装置。该存储器装置包含一半导体基底，具有一第一表面，且在该第一表面下定义一主动区；一栅极结构，相邻于该主动区且自该第一表面凹入该半导体基底内；一绝缘层，设置在该主动区内；以及一导电层，包含延伸进入该主动区的一第一部分，以及设置在该绝缘层和该主动区上的一第二部分，其中该第一部分耦接至该第二部分，且该第一部分自该第二部分延伸，以及该第一部分接触该绝缘层和该主动区。

3、本公开的另一层面提供一种存储器装置的制造方法。该方法包含的步骤为提供有定义一主动区的一半导体基底，其中该半导体基底包含相邻于该主动区的一栅极结构，以及环绕该主动区和该栅极结构的一隔离结构；形成延伸进入该半导体基底且在该主动区内的一凹陷；以及形成与该凹陷共形的一绝缘层。该方法更包含移除该绝缘层的一部分以暴露出该凹陷的一第一侧，其中该凹陷的该第一侧相邻于该栅极结构；在该凹陷的该第一侧上形成一导电层的一第一部分；在该凹陷内并在该绝缘层和该导电层的该第一部分上形成一掺杂构件；以及在该掺杂构件上形成该导电层的一第二部分，且该导电层的该第二部分耦接至该导电层的该第一部分。

4、总结而言，由于设置在掺杂构件与半导体基底的主动区之间的绝缘层耦接至与栅极结构相邻且在掺杂构件上的导电层，可避免p-n接面的漏电流。因此，可改善存储器装置的整体效能和制造存储器的过程。

5、上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属技术领域中具有通常知识者应了解，可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或制程而实现与本公开相同的目的。本公开所属技术领域中具有通常知识者亦应了解，这类等效建构无法脱离后附的权利要求所界定的本公开的精神和范围。

技术特征：

1.一种存储器装置，包括：

2.如权利要求1所述的存储器装置，其中该导电层的该第一部分接触该掺杂构件。

3.如权利要求1所述的存储器装置，其中该导电层是设置在该主动区上。

4.如权利要求1所述的存储器装置，其中该导电层的该第一部分耦接至该第一绝缘层。

5.如权利要求1所述的存储器装置，其中该掺杂构件是设置在该第一绝缘层与该导电层的该第二部分之间。

6.如权利要求1所述的存储器装置，其中该掺杂构件由该第一绝缘层和该导电层环绕。

7.如权利要求1所述的存储器装置，其中该导电层的该第一部分实质上垂直于该导电层的该第二部分。

8.如权利要求1所述的存储器装置，其中该第一绝缘层包含氧化物。

9.如权利要求1所述的存储器装置，其中该导电层覆盖该掺杂构件。

10.如权利要求1所述的存储器装置，其中该掺杂构件包含多晶硅。

11.如权利要求1所述的存储器装置，其中该栅极结构包含一栅极电极和环绕该栅极电极的一栅极氧化物。

12.如权利要求1所述的存储器装置，更包括：

13.如权利要求12所述的存储器装置，其中该第一绝缘层的厚度低于或等于该第二绝缘层的厚度；

14.一种存储器装置，包括：

15.如权利要求14所述的存储器装置，其中该绝缘层是设置在该主动区环绕的一掺杂构件下。

16.如权利要求15所述的存储器装置，其中该导电层的该第一部分是设置在该掺杂构件与该栅极结构之间。

17.如权利要求15所述的存储器装置，其中该掺杂构件由该导电层和该绝缘层环绕。

18.如权利要求14所述的存储器装置，其中该导电层的该第一部分的长度小于该绝缘层的长度。

19.如权利要求14所述的存储器装置，其中该导电层包含钴。

20.如权利要求14所述的存储器装置，更包括：

技术总结本申请提供一存储器装置，包含一半导体基底，具有一第一表面，且在该第一表面下定义一主动区；一栅极结构，相邻于该主动区且自该第一表面凹入该半导体基底内；一掺杂构件，延伸进入该半导体基底且由该主动区环绕；一导电层，包含自该第一表面延伸进入该半导体基底的一第一部分，以及设置在该掺杂构件上且与该第一部分耦接的一第二部分；以及一第一绝缘层，设置为与该导电层的该第一部分相邻，且在该掺杂构件与该半导体基底的该主动区之间，其中该导电层的该第一部分是设置在该栅极结构与该掺杂构件之间。本发明也公开一存储器装置的制造方法。技术研发人员：丘世仰受保护的技术使用者：南亚科技股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/18