用于800V抗高压的电路板及电子设备的制作方法

本公开涉及电路板，特别是涉及一种用于800v抗高压的电路板及电子设备。

背景技术：

1、目前，许多汽车厂通过缩短能源补充时效来达到间接加大续航的目的，而缩短能源补充时间是从充电性能上突破，从而衍生出800v高压的充电平台，但是随着充电电压的增高，电子元件在持续高压的工作条件下容易发生离子迁移，且离子迁移在电路板上体现更加明显。

2、为了解决电路板的离子迁移问题，一般是通过以下两种方法，第一是通过高性能fr-4玻璃纤维来替换常规的树脂材料做基板，但同时也会增加成本；另一种则是如申请号为cn202021765139.2的中国专利公开的一种便于调节引脚间距的二极管，通过加大电路板的管脚间距来获得更大的离子迁移空间，但受限于基板的大小，电路板管脚之间的间距不可能无限加大，特别是针对于微型电路板来说，此方法更加不适用。

3、因此，亟需一种不增加成本的前提下，不受基板大小限制，能有效避免离子迁移的电路板。

技术实现思路

1、本公开的目的是克服现有技术中的不足之处，提供一种有效避免离子迁移且提高产品使用寿命的用于800v抗高压的电路板及电子设备。

2、本公开的目的是通过以下技术方案来实现的：

3、一种用于800v抗高压的电路板，包括：

4、基板本体，所述基板本体开设有第一分隔槽及第二分隔槽；

5、焊盘组件，所述焊盘组件设置于所述基板本体，所述焊盘组件包括焊盘及导线，所述焊盘与导线连接；

6、第一管脚，所述第一管脚设置于所述焊盘的一侧，所述第一分隔槽位于所述第一管脚及所述焊盘之间，所述第一分隔槽的长度大于所述第一管脚的长度；

7、第二管脚，所述第二管脚设置于所述焊盘的另一侧，所述第二分隔槽位于所述第二管脚及所述焊盘之间，所述第二分隔槽的长度大于所述第二管脚的长度。

8、在其中一个实施例中，所述第一管脚与所述第二管脚相对于所述焊盘对称设置。

9、在其中一个实施例中，所述第一分隔槽的宽度为0.3mm-0.5mm。

10、在其中一个实施例中，所述第二分隔槽的宽度为0.3mm-0.5mm。

11、在其中一个实施例中，所述第一分隔槽的长度为1.5mm-2mm。

12、在其中一个实施例中，所述第二分隔槽的长度为1.5mm-2mm。

13、在其中一个实施例中，所述第一分隔槽为矩形状；及/或，

14、所述第二分隔槽为矩形状。

15、在其中一个实施例中，所述第一管脚、所述焊盘及所述第二管脚位于同一竖直方向上。

16、在其中一个实施例中，所述基板本体还设有线路层，所述线路层与所述导线连接。

17、一种电子设备，包括上述任一实施例所述的用于800v抗高压的电路板。

18、与现有技术相比，本公开至少具有以下优点：

19、上述用于800v抗高压的电路板，第一管脚与第二管脚分别设置在焊盘的两侧，第一管脚与焊盘之间设置有第一分隔槽，第二管脚与焊盘之间设置有第二分隔槽，且第一分隔槽的长度大于第一管脚的长度，第二分隔槽的长度大于第二管脚的长度，如此直接阻断了第一管脚与焊盘之间的离子迁移通道，同理第二管脚与焊盘之间的离子迁移通道也被阻断，避免了电路板发生离子迁移现象，进而避免了电路板线路间的短路问题，提高了产品的使用寿命。

技术特征：

1.一种用于800v抗高压的电路板，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的用于800v抗高压的电路板，其特征在于，所述第一管脚与所述第二管脚相对于所述焊盘对称设置。

3.根据权利要求1所述的用于800v抗高压的电路板，其特征在于，所述第一分隔槽的宽度为0.3mm-0.5mm。

4.根据权利要求1所述的用于800v抗高压的电路板，其特征在于，所述第二分隔槽的宽度为0.3mm-0.5mm。

5.根据权利要求1所述的用于800v抗高压的电路板，其特征在于，所述第一分隔槽的长度为1.5mm-2mm。

6.根据权利要求1所述的用于800v抗高压的电路板，其特征在于，所述第二分隔槽的长度为1.5mm-2mm。

7.根据权利要求1所述的用于800v抗高压的电路板，其特征在于，所述第一分隔槽为矩形状；及/或，

8.根据权利要求1所述的用于800v抗高压的电路板，其特征在于，所述第一管脚、所述焊盘及所述第二管脚位于同一竖直方向上。

9.根据权利要求1所述的用于800v抗高压的电路板，其特征在于，所述基板本体还设有线路层，所述线路层与所述导线连接。

10.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1至9中任一项所述的用于800v抗高压的电路板。

技术总结本公开提供一种用于800V抗高压的电路板及电子设备。上述的用于800V抗高压的电路板包括基板本体、焊盘组件第一管脚及第二管脚，所述基板本体开设有第一分隔槽及第二分隔槽，所述焊盘组件设置于所述基板本体，所述焊盘组件包括焊盘及导线，所述焊盘与导线连接，所述第一管脚设置于所述焊盘的一侧，所述第一分隔槽位于所述第一管脚及所述焊盘之间，所述第一分隔槽的长度大于所述第一管脚的长度，所述第二管脚设置于所述焊盘的另一侧，所述第二分隔槽位于所述第二管脚及所述焊盘之间，所述第二分隔槽的长度大于所述第二管脚的长度。通过第一分隔槽直接阻断第一管脚与焊盘之间的离子迁移通道，第二分隔槽直接阻断第二管脚与焊盘之间的离子迁移通道。技术研发人员：伍海霞,王爱林,黄永健,叶志荣受保护的技术使用者：金禄电子科技股份有限公司技术研发日：20231205技术公布日：2024/7/18