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一种埋置电路板及其制备方法与流程

  • 国知局
  • 2024-08-02 15:30:52

本发明涉及印刷电路板领域,特别涉及一种埋置电路板及其制备方法。

背景技术:

1、随着便携电子产品和高速收发信息数字产品的骤增,电路板高密度封装技术越来越显示出其重要性,电路板高密度封装技术的持续发展使得复杂的电子产品小型、轻量、薄型及高性能、高功能化。为了不断满足这一发展趋势的需求,电子元件更加趋向于超小型和超薄型,印制电路板更加趋向于高精密图形和薄型多层化。但是,在这样的印制电路板板面上布置安装大量的元件也变得越来越困难。因此,把大量可埋入的无源元件埋入到印制电路板内部中,就可以缩短元件相互之间的线路长度、改善电气特性、提高有效的印制电路板封装面积,减少大量的印制电路板板面的焊接点,从而提高封装的可靠性,并降低成本。所以线路板内埋元件是非常理想的一种安装形式和技术。

2、芯片埋置电路因为具备分布电感小、集成度高等优点,在新能源领域,例如新能源汽车等应用中,具有很好的应用前景。现有的芯片埋置电路的方式通常为使用流动性较好的耐热高分子塑胶材料作为sic芯片的封装材料,但是,耐热性优良的封装材料其流动性不佳,容易在埋置区的形成空腔,导致电路板暴板隐患,流动性好的封装材料虽然不会在埋置区的形成空腔,但其难以耐受较高的温度。

3、而且,新能源领域的应用通常为大功率电路,因此,对新能源埋置电路中一个重要的问题就是材料的耐高温问题,这个问题在sic元件埋置应用领域尤为突出,目前,硅芯片的的最高耐热温度达到225摄氏度,在这个温度条件下,现有内埋硅芯片的的线路板的封装材料是abf作为封装材料,在该温度下,早已达到abf的玻璃化温度,整个线路板的封装外层早已软化。封装线路板的材料可耐受温度太低,很难适应sic元件的可耐高温能力,也难以适用于其他应用在线路板上的大功率器件。

技术实现思路

1、基于此,有必要提供一种的可耐高温的埋置电路板及其制备方法。

2、为解决上述技术问题,本发明提供一种埋置电路板及其制备方法,包括步骤:

3、s1、在基板上开设埋置槽;

4、s2、将待埋置的埋置器件固定于所述埋置槽内;

5、s3、使用流动的第一浆液填充所述埋置槽内壁与所述埋置器件外表面之间的间隙,使得所述间隙内填满所述第一浆液;

6、s4、对所述间隙内填充的所述第一浆液进行烘烤,使得流质状的所述第一浆液凝结为固体;

7、s5、使用所述第二浆液封装所述埋置槽的槽口,使得所述第二浆液完成所述埋置槽内的所述埋置器件的封装;

8、所述第一浆液的流动性大于所述第二浆液的流动性。

9、优选地,在步骤s1中,基板上开设的埋置槽有若干个,所述埋置槽的尺寸根据需要嵌入的所述埋置器件的尺寸确定,使得所述埋置槽的形状与需要嵌入的所述埋置器件的形状相匹配,所述基板通过蚀刻开设埋置槽。

10、优选地,在步骤s2中,所述埋置器件包括铜基座和器件本体,所述铜基座固定在所述埋置槽内,所述器件本体固定在所述铜基座上。

11、优选地,所述器件本体为sic芯片或sic半导体器件。

12、优选地,在步骤s2中,所述第一浆液在所述间隙中的填充液高度低于所述铜基座的边沿高度。

13、优选地,所述第一浆液为银浆或铜浆;所述埋置槽顶部填充的第二浆液为pi胶。

14、一种埋置电路板,包括基板和埋置器件,所述基板上开设有埋置槽,所述埋置器件固定在所述埋置槽的槽底,所述埋置槽内壁与所述埋置器件外表面之间形成有间隙,所述间隙内填满第一材料,所述埋置槽和所述埋置器件的顶部填充封装有所述第二材料。

15、优选地,所述基板上开设的埋置槽有若干个,所述埋置槽的形状与需要嵌入的所述埋置器件的形状相匹配。

16、优选地,所述埋置器件包括铜基座和器件本体,所述铜基座固定在所述埋置槽内,所述器件本体固定在所述铜基座上;所述器件本体为sic芯片或sic半导体器件。

17、优选地,所述第一材料为金或银;所述第二材料为pi胶凝固体。

18、本发明的有益效果:通过对埋置器件的线路板的结构和封装方法的改进,可以实现埋置线路板的良好的长期耐高温工作能力,充分发挥高耐热功率器件的潜能,避免线路板封装材料耐温能力不足限制线路板耐温能力的提升。

技术特征:

1.一种埋置电路板的制备方法,其特征在于,包括步骤:

2.如权利要求1所述的埋置电路板的制备方法,其特征在于,在步骤s1中,基板上开设的埋置槽有若干个,所述埋置槽的尺寸根据需要嵌入的所述埋置器件的尺寸确定,使得所述埋置槽的形状与需要嵌入的所述埋置器件的形状相匹配,所述基板通过蚀刻开设埋置槽。

3.如权利要求2所述的埋置电路板的制备方法,其特征在于,在步骤s2中,所述埋置器件包括铜基座和器件本体,所述铜基座固定在所述埋置槽内,所述器件本体固定在所述铜基座上。

4.如权利要求3所述的埋置电路板的制备方法,其特征在于,所述器件本体为sic芯片或sic半导体器件。

5.如权利要求1所述的埋置电路板的制备方法,其特征在于,在步骤s2中,所述第一浆液在所述间隙中的填充液高度低于所述铜基座的边沿高度。

6.如权利要求1所述的埋置电路板的制备方法,其特征在于,所述第一浆液为银浆或铜浆;所述埋置槽顶部填充的第二浆液为pi胶。

7.一种埋置电路板,其特征在于,包括基板和埋置器件,所述基板上开设有埋置槽,所述埋置器件固定在所述埋置槽的槽底,所述埋置槽内壁与所述埋置器件外表面之间形成有间隙,所述间隙内填满第一材料,所述埋置槽和所述埋置器件的顶部填充封装有所述第二材料。

8.如权利要求7所述的埋置电路板,其特征在于,所述基板上开设的埋置槽有若干个,所述埋置槽的形状与需要嵌入的所述埋置器件的形状相匹配。

9.如权利要求8所述的埋置电路板,其特征在于,所述埋置器件包括铜基座和器件本体,所述铜基座固定在所述埋置槽内,所述器件本体固定在所述铜基座上;所述器件本体为sic芯片或sic半导体器件。

10.如权利要求1所述的埋置电路板,其特征在于,所述第一材料为金或银;所述第二材料为pi胶凝固体。

技术总结本发明提供一种埋置电路板及其制备方法,包括步骤:S1、在基板上开设埋置槽;S2、将待埋置的埋置器件固定于所述埋置槽内;S3、使用流动的第一浆液填充所述埋置槽内壁与所述埋置器件外表面之间的间隙,使得所述间隙内填满所述第一浆液;S4、对所述间隙内填充的所述第一浆液进行烘烤,使得流质状的所述第一浆液凝结为固体;S5、使用所述第二浆液封装所述埋置槽的槽口,使得所述第二浆液完成所述埋置槽内的所述埋置器件的封装;所述第一浆液的流动性大于所述第二浆液的流动性。技术研发人员:齐伟,何晓贞,陈栋弟,刘意,白杨受保护的技术使用者:安捷利(番禺)电子实业有限公司技术研发日:技术公布日:2024/7/23

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