一种金手指蚀刻方法及PCB与流程

本申请涉及pcb领域，特别是一种金手指蚀刻方法及pcb。

背景技术：

1、数据中心网卡类的电子产品发展较为迅速，如智能网卡、高端扩展卡等，这一类产品多为金手指设计，产品间信号传输都是通过金手指进行，金手指是关系此类产品性能的最重要部位之一，因此，产品的金手指设计要求越来越严格。

2、金手指镀镍金之后需要去除引线，相关技术中一般是通过蚀刻方式去除，蚀刻引线后的悬镍金长度和引线残留长度是金手指的重要性能指标。最理想的结果是金手指蚀刻引线后既无悬镍金又无蚀刻引线残留，但相关技术中，受蚀刻侧蚀的影响，难以在蚀刻时同时实现无悬镍金和无蚀刻引线残留。

技术实现思路

1、本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本申请提出一种金手指蚀刻方法及pcb，金手指蚀刻方法能够对侧蚀进行控制，从而减少金手指蚀刻引线后的悬镍金长度，同时减少蚀刻引线残留。

2、根据本申请提供的金手指蚀刻方法，包括：提供母板，所述母板包括金手指以及连接金手指的引线；形成湿膜，所述湿膜覆盖所述金手指以及所述引线连接所述金手指的一端，所述湿膜覆盖所述引线的长度等于设定距离；形成干膜，所述干膜覆盖所述母板中除去所述金手指和待蚀刻的所述引线之外的其它区域；根据设定参数过度蚀刻去除所述引线；去除所述干膜和所述湿膜。

3、根据本申请提供的金手指蚀刻方法，至少具有如下技术效果：通过使用湿膜覆盖引线的上表面和两侧表面，从而在湿膜覆盖区域模拟出与金手指类似的蚀刻环境，使湿膜下的引线蚀刻时受到的蚀刻效果和金手指下的铜层保持一致，这样在特定的设定参数下进行过度蚀刻时，蚀刻液对湿膜下方的引线进行蚀刻，能够产生湿膜悬空但是无侧蚀的蚀刻效果，通过将湿膜的覆盖距离设计为设定距离，能够控制蚀刻的停止位置与金手指和引线的交界位置接近甚至重合，使得去除湿膜后悬镍金或引线长度满足设计要求；金手指蚀刻方法能够对侧蚀进行控制，从而减少金手指蚀刻引线后的悬镍金长度，同时减少蚀刻引线残留。

4、根据本申请的一些实施例，金手指蚀刻方法还包括，实验确定所述设定距离以及所述设定参数。

5、根据本申请的一些实施例，实验确定所述设定距离以及所述设定参数，包括，在所述母板未盖所述湿膜的情况下蚀刻去除所述引线，通过调整蚀刻参数得到无侧蚀的所述金手指，以这一状态下的蚀刻参数作为所述设定参数，以这一状态下的悬镍金长度作为设定距离。

6、根据本申请的一些实施例，所述引线的铜厚为40μm-50μm，所述设定距离为70μm-120μm。

7、根据本申请的一些实施例，所述引线包括连接段，所述连接段与所述金手指的头部连接。

8、根据本申请的一些实施例，所述连接段的宽度与所述金手指的宽度相同，所述连接段与所述金手指平行延伸。

9、根据本申请的一些实施例，金手指蚀刻方法还包括，所述连接段的长度大于或等于所述设定距离。

10、根据本申请的一些实施例，使用挡点网丝印所述湿膜。

11、根据本申请的一些实施例，碱性蚀刻所述引线。

12、根据本申请提供的pcb，通过本申请提供的金手指蚀刻方法制作获得。

13、本申请提供的pcb相应具有本申请的金手指蚀刻方法所提供的有益效果，在此不再赘述。

技术特征：

1.一种金手指蚀刻方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的金手指蚀刻方法，其特征在于，金手指蚀刻方法还包括，实验确定所述设定距离以及所述设定参数。

3.根据权利要求2所述的金手指蚀刻方法，其特征在于，实验确定所述设定距离以及所述设定参数，包括，在所述母板未盖所述湿膜的情况下蚀刻去除所述引线，通过调整蚀刻参数得到无侧蚀的所述金手指，以这一状态下的蚀刻参数作为所述设定参数，以这一状态下的悬镍金长度作为设定距离。

4.根据权利要求3所述的金手指蚀刻方法，其特征在于，所述引线的铜厚为40μm-50μm，所述设定距离为70μm-120μm。

5.根据权利要求1所述的金手指蚀刻方法，其特征在于，所述引线包括连接段，所述连接段与所述金手指的头部连接。

6.根据权利要求5所述的金手指蚀刻方法，其特征在于，所述连接段的宽度与所述金手指的宽度相同，所述连接段与所述金手指平行延伸。

7.根据权利要求6所述的金手指蚀刻方法，其特征在于，所述连接段的长度大于或等于所述设定距离。

8.根据权利要求1所述的金手指蚀刻方法，其特征在于，使用挡点网丝印所述湿膜。

9.根据权利要求1所述的金手指蚀刻方法，其特征在于，碱性蚀刻所述引线。

10.一种pcb，其特征在于，pcb通过权利要求1至9任一项所述的金手指蚀刻方法制作获得。

技术总结本申请提出一种金手指蚀刻方法及PCB，金手指蚀刻方法包括：提供母板，母板包括金手指以及连接金手指的引线；形成湿膜，湿膜覆盖金手指以及引线连接金手指的一端，湿膜覆盖引线的长度等于设定距离；形成干膜，干膜覆盖母板中除去金手指和待蚀刻的引线之外的其它区域；根据设定参数过度蚀刻去除引线；去除干膜和湿膜。湿膜覆盖引线的上表面和两侧表面，使湿膜下的引线蚀刻时受到的蚀刻效果和金手指下的铜层保持一致，这样在特定的设定参数下能够产生湿膜悬空但是无侧蚀的蚀刻效果，通过将湿膜的覆盖距离设计为设定距离，能够使得悬镍金或引线长度满足设计要求；金手指蚀刻方法能够减少金手指蚀刻引线后的悬镍金长度，同时减少蚀刻引线残留。技术研发人员：谢泉彬,金平,杨海云,何罗生,黄少佳受保护的技术使用者：生益电子股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/23