半导体装置及其制造方法与流程

各示例实施例涉及一种半导体装置及其制造方法。

背景技术：

1、半导体装置因其小尺寸、多功能特征和/或低制造成本而广泛用于电子工业中。半导体装置可分类为下列中的任何一种或多种：用于存储逻辑数据的半导体存储器装置；用于处理逻辑数据的半导体逻辑装置；以及具有半导体存储器装置的功能和半导体逻辑装置的功能的混合半导体装置。

2、期望或需要高速低电压的半导体装置，以满足包括半导体装置的电子装置的特性(例如，高速和/或低功耗)。半导体装置已高度集成以至少部分地符合这些需要。然而，半导体装置的电特性和/或可靠性会由于半导体装置的高集成密度而劣化。因此，对用于提高半导体装置的电特性和可靠性的技术进行了各种研究。

技术实现思路

1、各示例实施例可提供一种具有提高的电特性和可靠性的半导体装置和/或其制造方法。

2、替代地或附加地，各示例实施例还可提供一种具有提高的生产率的半导体装置及其制造方法。

3、在一些示例实施例中，一种半导体装置可包括：沿着第一方向延伸的有源图案以及第一字线和第二字线，第一字线和第二字线限定为与有源图案交叉。有源图案可包括在第一字线与第二字线之间的中心有源部分。中心有源部分可包括：中心部分，其从第一字线延伸至第二字线；第一中心突起，其在与第一方向交叉的第二方向上从中心部分的一个侧表面突出；以及第二中心突起，其在第二方向的反方向上从中心部分的另一个侧表面突出。第一中心突起可从第一字线沿着第一方向延伸。第二中心突起可从第二字线沿着第一方向的反方向延伸。

4、替代地或附加地，根据一些示例实施例，一种半导体装置可包括：有源图案，所述有源图案中的每一个沿着第一方向延伸；以及器件隔离图案，其包围有源图案中的每一个。有源图案可包括：第一有源图案；第二有源图案，其与第一有源图案在第一方向上间隔开；第三有源图案，其与第一有源图案和第二有源图案在与第一方向交叉的第二方向上间隔开；以及第四有源图案，其与第一有源图案和第二有源图案在第二方向的反方向上间隔开。器件隔离图案可包括：第一器件隔离图案，其在第一有源图案与第三有源图案之间以及第二有源图案与第四有源图案之间；以及第二器件隔离图案，其在第一有源图案与第四有源图案之间以及第二有源图案与第三有源图案之间。第一器件隔离图案和第二器件隔离图案中的每一个可从相邻的有源图案的侧表面朝着相邻的有源图案的内部突出。

5、替代地或附加地，根据一些示例实施例，一种半导体装置可包括：衬底；有源图案，其在衬底上，并且沿着平行于衬底的底表面的第一方向延伸，有源图案包括第一边缘有源部分、第二边缘有源部分、以及第一边缘有源部分与第二边缘有源部分之间的中心有源部分；包围有源图案的器件隔离图案；第一字线，其在第一边缘有源部分与中心有源部分之间与有源图案交叉；第二字线，其在第二边缘有源部分与中心有源部分之间与有源图案交叉；位线，其在有源图案上延伸并且电连接至中心有源部分；储存节点接触件，其分别电连接至第一边缘有源部分和第二边缘有源部分；以及数据储存图案，其分别电连接至储存节点接触件。中心有源部分可包括：中心部分；第一中心突起，其在平行于衬底的底表面并且与第一方向交叉的第二方向上从中心部分突出；以及第二中心突起，其在第二方向的反方向上从中心部分突出。第一中心突起可沿着第一方向从第一字线延伸。第二中心突起可沿着第一方向的反方向从第二字线延伸。

6、替代地或附加地，根据一些示例实施例，一种制造半导体装置的方法可包括：蚀刻衬底以形成沿着第一方向延伸的有源图案和有源图案之间的有源沟槽区，有源沟槽区具有窄沟槽区和宽沟槽区；形成覆盖有源图案和有源沟槽区的内表面的牺牲层；去除宽沟槽区中的牺牲层，以暴露出有源图案的一些部分；以及在有源图案的暴露的部分上形成突起。牺牲层可在形成牺牲层的处理中完全填充窄沟槽区。

技术特征：

1.一种半导体装置，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述中心部分在所述第一方向上的长度大于所述第一中心突起在所述第一方向上的长度，并且大于所述第二中心突起在所述第一方向上的长度。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述中心部分、所述第一中心突起和所述第二中心突起在它们之间没有界面的情况下彼此连接。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述有源图案还包括：

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述有源图案还包括：

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述有源图案的第一侧表面和第二侧表面中的每一个的轮廓具有不平的形状。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

13.一种半导体装置，包括：

14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，所述第一器件隔离图案中的每一个在所述第一方向上的长度大于所述第二器件隔离图案中的每一个在所述第一方向上的长度。

15.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，所述第一器件隔离图案和所述第二器件隔离图案中的每一个包括氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化镧、氮化铝或氧氮化硅中的至少一种。

16.根据权利要求13所述的半导体装置，还包括：

17.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，

18.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，

19.一种半导体装置，包括：

20.根据权利要求19所述的半导体装置，其中，

技术总结一种半导体装置包括：沿着第一方向延伸的有源图案；以及与有源图案交叉的第一字线和第二字线。有源图案包括在第一字线与第二字线之间的中心有源部分。中心有源部分包括：中心部分，其从第一字线延伸至第二字线；第一中心突起，其在与第一方向交叉的第二方向上从中心部分的一个侧表面突出；以及第二中心突起，其在第二方向的反方向上从中心部分的另一个侧表面突出。第一中心突起从第一字线沿着第一方向延伸。第二中心突起从第二字线沿着第一方向的反方向延伸。技术研发人员：李泰润,金俊秀,文大炫受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/7/23