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一种容性耦合等离子体发生装置的制作方法

  • 国知局
  • 2024-08-02 15:40:09

本发明涉及等离子体,尤其涉及一种容性耦合等离子体发生装置。

背景技术:

1、现有技术中,等离子体均匀性在工业领域、医疗领域、能源领域、环保领域等诸多领域中具有重要的作用。例如,等离子体中的带电粒子通过相互作用,具有性状活跃等特性,这使得等离子体能够实现各种材料表面的工艺处理。等离子体均匀性直接影响材料表面的处理效果。例如,在物体表面的杀菌消毒以及多种材料表面的改性过程中,等离子体的均匀性可以确保处理效果的一致性和稳定性,等离子体中的多种活性粒子对材料表面的电性能、湿润性(如亲水性、疏水性)、以及表面粗糙程度等具有显著的改善作用,这些性能的改善往往依赖于等离子体的均匀性,以确保处理效果的均匀和一致,总之,等离子体均匀性在材料处理、性能改善、处理效率以及降低成本等方面都发挥着重要作用。但是在等离子体处理的过程中随着腔体的尺寸的增大,等离子体的均匀性也会变差。即在电极板的中心区域等离子体的密度较大,在电极板周边区域的等离子体的密度较小。因此需要一种使得等离子体均匀的装置。

技术实现思路

1、本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本发明提出一种容性耦合等离子体发生装置,可以使得上极板和下极板之间的间隔中的等离子体的密度更加的均匀。

2、根据本发明的第一方面实施例的容性耦合等离子体发生装置,用于产生等离子体,其特征在于,所述容性耦合等离子体发生装置包括:腔体,所述腔体限制处密封腔室;上极板和下极板,所述上极板和所述下极板间隔设置在所述密封腔室内,所述上极板和所述下极板之间具有电势差,以使所述上极板和所述下极板之间产生所述等离子体;磁铁盘,所述磁铁盘设置在所述上极板和/或所述下极板的外侧边缘,所述磁铁盘上设置有磁场,以使所述等离子体被束缚在所述磁场。

3、根据本发明第一实施例的容性耦合等离子体发生装置,至少具有如下有益效果:通过在上极板和/或下极板的外侧边缘设置可以形成磁场的磁铁盘,并通过磁铁盘所形成的磁场对溢出的等离子体进行束缚,即本将会从上极板和下极板之间的间隔中溢出的等离子体在运动到磁场鞥多位置时被磁场束缚,从而增加上极板和下极板边缘位置的等离子体的密度,使得上极板和下极板之间的间隔中的等离子体的密度更加的均匀。

4、根据本发明的一些实施例,所述上极板和所述下极板在第一方向上的投影均为正方形,所述第一方向为所述上极板和所述下极板间隔设置的方向,所述上极板上的磁铁盘设置在正方形的四个角上,所述下极板上的磁铁盘设置在正方形的四个角上。

5、根据本发明的一些实施例,所述磁铁盘上设置有安装面,所述安装面的法向与所述第一方向平行,所述安装面上设置有磁体以形成磁场。

6、根据本发明的一些实施例,所述安装面上阵列设置有安装槽,所述磁体设置在所述安装槽内。

7、根据本发明的一些实施例,所述安装面上设置有中心区,所述中心区内设置有第一磁体,所述中心区外围设有第二磁体,所述第一磁体与所述第二磁体的磁极相反,以使所述等离子体在所述第一磁体与所述第二磁体之间绕所述中心区运动。

8、根据本发明的一些实施例,当所述上极板和所述下极板上均设置所述磁铁盘时,所述上极板上的第一磁体与所述下极板上的第一磁体沿所述第一方向一一对应,所述上极板上的第一磁体的磁极与所述下极板上的第一磁体的磁极相同。

9、根据本发明的一些实施例,所述第一磁体沿第一轨迹设置在所述中心区内,所述第一轨迹靠近所述上极板或所述下极板的中心位置的一侧向靠近所述上极板或所述下极板的边缘的一侧凹陷。

10、根据本发明的一些实施例,所述第二磁体沿第二轨迹围设在所述中心区外侧,所述第二轨迹靠近所述上极板或所述下极板的中心位置的一侧向靠近所述上极板或所述下极板的边缘的一侧凹陷。

11、根据本发明的一些实施例,所述第一磁体与所述第二磁体之间的磁场强度不小于10高斯。

12、根据本发明的一些实施例,当所述磁铁盘设置在所述上极板上时,所述磁铁盘设置在所述上极板远离所述下极板的一侧;当所述磁铁盘设置在所述下极板上时,所述磁铁盘设置在所述下极板远离所述上极板的一侧。

13、本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本发明的实践了解到。

技术特征:

1.一种容性耦合等离子体发生装置,用于产生等离子体,其特征在于,所述容性耦合等离子体发生装置包括:

2.根据权利要求1所述的一种容性耦合等离子体发生装置,其特征在于,所述上极板和所述下极板在第一方向上的投影均为正方形,所述第一方向为所述上极板和所述下极板间隔设置的方向,所述上极板上的磁铁盘设置在正方形的四个角上,所述下极板上的磁铁盘设置在正方形的四个角上。

3.根据权利要求2所述的一种容性耦合等离子体发生装置,其特征在于,所述磁铁盘上设置有安装面,所述安装面的法向与所述第一方向平行,所述安装面上设置有磁体以形成磁场。

4.根据权利要求3所述的一种容性耦合等离子体发生装置,其特征在于,所述安装面上阵列设置有安装槽,所述磁体设置在所述安装槽内。

5.根据权利要求3所述的一种容性耦合等离子体发生装置,其特征在于,所述安装面上设置有中心区,所述中心区内设置有第一磁体,所述中心区外围设有第二磁体,所述第一磁体与所述第二磁体的磁极相反,以使所述等离子体在所述第一磁体与所述第二磁体之间绕所述中心区运动。

6.根据权利要求5所述的一种容性耦合等离子体发生装置,其特征在于,当所述上极板和所述下极板上均设置所述磁铁盘时,所述上极板上的第一磁体与所述下极板上的第一磁体沿所述第一方向一一对应,所述上极板上的第一磁体的磁极与所述下极板上的第一磁体的磁极相同。

7.根据权利要求5所述的一种容性耦合等离子体发生装置,其特征在于,所述第一磁体沿第一轨迹设置在所述中心区内,所述第一轨迹靠近所述上极板或所述下极板的中心位置的一侧向靠近所述上极板或所述下极板的边缘的一侧凹陷。

8.根据权利要求4所述的一种容性耦合等离子体发生装置,其特征在于,所述第二磁体沿第二轨迹围设在所述中心区外侧,所述第二轨迹靠近所述上极板或所述下极板的中心位置的一侧向靠近所述上极板或所述下极板的边缘的一侧凹陷。

9.根据权利要求5所述的一种容性耦合等离子体发生装置,其特征在于,所述第一磁体与所述第二磁体之间的磁场强度不小于10高斯。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的一种容性耦合等离子体发生装置,其特征在于,当所述磁铁盘设置在所述上极板上时,所述磁铁盘设置在所述上极板远离所述下极板的一侧;当所述磁铁盘设置在所述下极板上时,所述磁铁盘设置在所述下极板远离所述上极板的一侧。

技术总结本发明提供了一种容性耦合等离子体发生装置,用于产生等离子体,其特征在于,所述容性耦合等离子体发生装置包括:腔体,所述腔体限制处密封腔室;上极板和下极板,所述上极板和所述下极板间隔设置在所述密封腔室内,所述上极板和所述下极板之间具有电势差,以使所述上极板和所述下极板之间产生所述等离子体;磁铁盘,所述磁铁盘设置在所述上极板和/或所述下极板的外侧边缘,所述磁铁盘上设置有磁场,以使所述等离子体被束缚在所述磁场。本发明的容性耦合等离子体发生装置可以使得上极板和下极板之间的间隔中的等离子体的密度更加的均匀。技术研发人员:夏慧,邵寿潜,张晓军,胡小波,冯俊杰,谢明辉受保护的技术使用者:深圳市矩阵多元科技有限公司技术研发日:技术公布日:2024/7/25

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