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发光元件和包括其的电子装置的制作方法

  • 国知局
  • 2024-08-02 15:41:24

一个或更多个实施例的方面涉及发光器件和包括该发光器件的电子装置。

背景技术:

1、发光器件是自发射器件,与现有技术的器件相比,自发射器件具有宽视角、高对比度、短响应时间以及在亮度、驱动电压和响应速度方面优异的特性。

2、有机发光器件(oled)可以包括在基底上的第一电极(或第二电极)以及顺序地堆叠在第一电极(或第二电极)上的空穴传输区域、发射层、电子传输区域和第二电极(或第一电极)。从第一电极(或第二电极)提供的空穴可以通过空穴传输区域朝向发射层移动,并且从第二电极(或第一电极)提供的电子可以通过电子传输区域朝向发射层移动。诸如空穴和电子的载流子在发射层中复合以产生光。

技术实现思路

1、技术问题

2、本公开的一个或更多个实施例的方面涉及具有改善(增大)的效率的器件等。

3、技术方案

4、根据一个或更多个实施例,发光器件包括:

5、第一电极;

6、第二电极,面对第一电极;以及

7、中间层,在第一电极与第二电极之间并且包括发射层,其中,

8、电子传输层在发射层与第一电极之间,

9、电子传输层包括包含无机氧化物的第一电子传输层和包含有机材料的第二电子传输层,并且

10、第一电极是反射电极。

11、根据一个或更多个实施例,

12、电子装置包括该发光器件。

13、根据一个或更多个实施例,

14、制造发光器件的方法包括以下步骤:通过喷墨第一喷墨组合物形成第一电子传输层;以及

15、通过在第一电子传输层上喷墨第二喷墨组合物来形成第二电子传输层。

16、有益效果

17、如上所述,根据一个或更多个实施例,与现有技术中的器件相比,发光器件可以表现出改善的性能。

技术特征:

1.一种发光器件,所述发光器件包括:

2.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述第一电极包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锡(sno2)、氧化锌(zno)或它们的任何组合。

3.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述第一电极包括镁(mg)、银(ag)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)或它们的任何组合。

4.根据权利要求1所述的发光器件,其中,

5.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述第一电子传输层与所述第二电子传输层直接接触。

6.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述第一电子传输层与所述第一电极直接接触。

7.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述第二电子传输层与所述发射层直接接触。

8.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述第一电子传输层的所述无机氧化物包括ti、zn、mg、al、sn的氧化物或它们的任何组合,并且其中,所述zn的氧化物不是zno。

9.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述第一电子传输层的所述无机氧化物包括tio2、znmgo、znalo、sno2或它们的任何组合。

10.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述第二电子传输层的所述有机材料包括氧化膦化合物。

11.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述第二电子传输层的所述有机材料是以下化合物中的一种或更多种:

12.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述第一电子传输层比所述第二电子传输层厚。

13.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述第一电子传输层的厚度为约至约

14.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述第二电子传输层的厚度为约至约

15.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述第一电子传输层和所述第二电子传输层通过喷墨形成。

16.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述发射层包括:主体和掺杂剂;或者量子点。

17.根据权利要求1所述的发光器件,其中,

18.一种电子装置,所述电子装置包括根据权利要求1所述的发光器件。

19.根据权利要求18所述的电子装置,所述电子装置还包括薄膜晶体管,其中,

20.一种制造发光器件的方法,所述方法包括以下步骤:

21.根据权利要求20所述的方法,其中,所述第一喷墨组合物包括:ti、zn、mg、al、sn的氧化物或它们的任何组合,并且其中,所述zn的氧化物不是zno;以及溶剂。

22.根据权利要求20所述的方法,其中,所述第二喷墨组合物包括氧化膦化合物和溶剂。

23.根据权利要求22所述的方法,其中,所述氧化膦化合物是以下化合物中的一种或更多种:

24.根据权利要求20所述的方法,其中,所述发光器件包括:

技术总结公开了发光元件,所述发光元件包括中间层,中间层设置在第一电极与第二电极之间并且包括光发射层,其中,电子传输层位于光发射层与第一电极之间;电子传输层包括包含无机氧化物的第一电子传输层和包含有机材料的第二电子传输层;第一电极是反射电极。技术研发人员:金兴奎,金世勳,朴洺禛,朴修贤,宋垠澔,李龙汉,李昌熙,林正焕,河在国受保护的技术使用者:三星显示有限公司技术研发日:技术公布日:2024/7/25

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