多层配线基板的制造方法以及多层配线基板与流程

本发明涉及多层配线基板的制造方法以及多层配线基板。

背景技术：

1、近年来，在电子仪器的高功能化以及小型化发展的过程中，对于以搭载于电子仪器的中介层为代表的多层配线基板，也追求进一步的高精度化。

2、特别地，对于最近的多层配线基板，采用玻璃基板，在玻璃基板形成贯通孔并设置有贯通电极。而且，采用在玻璃基板的两面按顺序层叠有导体层、绝缘树脂层、导体层的多层配线基板。

3、然而，如果玻璃基板的玻璃厚度为100μm左右，则在多层配线基板的制造工序中容易在玻璃基板产生断裂等障碍。

4、因此，在专利文献1中，为了防止这种断裂，采用如下工序，

5、即，经由剥离层将支撑体粘接于玻璃基板，在形成配线之后将支撑体剥离去除。

6、具体而言，采用如下工序：在玻璃基板的第1面上进行第1配线的形成的工序；利用支撑体对形成有该第1配线的玻璃基板的第1配线侧进行支撑的工序；针对上述玻璃基板，利用从上述第1面的相反侧的面照射的激光形成激光改性部的工序，该激光改性部作为形成贯通孔的起点；从上述玻璃基板的第1面的相反侧的面朝向第1面，利用氟化氢蚀刻液实施蚀刻，进行玻璃基板的薄板化且形成贯通孔的贯通孔形成工序；在上述贯通孔形成工序之后，在上述贯通孔的内部形成贯通电极，并且在上述玻璃基板的上述第1面的相反侧的面形成第2配线，经由贯通电极而将上述第1配线和上述第2配线连接的工序；在形成上述第2配线之后从上述玻璃基板将上述支撑体拆下的工序。

7、专利文献1：国际公开第2019/235617号

技术实现思路

1、然而，能够通过激光照射在玻璃基板的一部分形成激光改性部，但在玻璃基板的内部局部地形成改性层的情况下，难以控制改性深度。因此，有时在改性部的深度方向上产生波动。

2、其结果，在基于蚀刻的贯通孔的形成中，有时贯通孔的直径产生波动。

3、本发明就是鉴于上述问题而提出的，其目的在于，提供在如下多层配线基板的制造方法中高精度地形成贯通孔的技术，即，在多层配线基板的芯材形成激光改性部，然后通过蚀刻形成贯通孔。

4、本发明的代表性的玻璃多层配线基板的制造方法之一是在具有第1面以及第2面的玻璃基板形成贯通孔的多层配线基板的制造方法，其中，具有如下工序：

5、将支撑体粘接于所述玻璃基板的所述第2面的第1工序；

6、在所述玻璃基板以及支撑体这两者通过激光照射形成改性部的第2工序；

7、将所述支撑体剥离去除的第3工序；以及

8、在所述玻璃基板通过蚀刻处理而形成贯通孔的第4工序。

9、发明的效果

10、根据本发明，通过在芯材以及第1支撑体这两者形成改性部，从而能够在玻璃基板均匀地形成改性部。然后，通过进行蚀刻处理而能够高精度地形成贯通孔。

11、关于上述以外的问题、结构以及效果，通过下面的实施方式的说明而变得明确。

技术特征：

1.一种多层配线基板的制造方法，该多层配线基板在具有第1面以及第2面的玻璃基板形成贯通孔，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的多层配线基板的制造方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的多层配线基板的制造方法，其特征在于，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的多层配线基板的制造方法，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的多层配线基板的制造方法，其特征在于，

6.一种多层配线基板，其特征在于，

7.一种多层配线基板，其包含具有第1面及第2面并且具有以将所述第1面和所述第2面连结的方式贯通的孔的玻璃基板，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的多层配线基板，其特征在于，

9.根据权利要求8所述的多层配线基板，其特征在于，

技术总结在通过激光照射在玻璃基板的内部局部地形成改性层的情况下，非常难以控制改性深度。因此，如果对改性部进行蚀刻而形成贯通孔，则有可能在深度方向、径向上产生波动。本发明是在具有第1面以及第2面的玻璃基板形成贯通孔的多层配线基板的制造方法，其中，具有如下工序：将支撑体粘接于所述玻璃基板的所述第2面的第1工序；在所述玻璃基板以及支撑体这两者通过激光照射形成改性部的第2工序；将所述支撑体剥离去除的第3工序；以及在所述玻璃基板通过蚀刻处理而形成贯通孔的第4工序。技术研发人员：泽田石将士受保护的技术使用者：凸版控股株式会社技术研发日：技术公布日：2024/7/25