电容器结构和包括该电容器结构的半导体装置的制作方法

实施例涉及一种电容器结构和包括该电容器结构的半导体装置

背景技术：

1、动态随机存取存储器(dram)装置中的电容器可以包括顺序地堆叠的下电极、介电层和上电极。

技术实现思路

1、实施例可以通过提供一种电容器结构来实现，所述电容器结构包括：下电极；介电图案，在下电极的侧壁上；以及上电极结构，上电极结构包括顺序地堆叠在介电图案的侧壁上的第一上电极和第二上电极，其中，第一上电极和第二上电极中的每个包括金属氮化物，包括在第一上电极中的金属氮化物具有与包括在第二上电极中的金属氮化物的晶体取向不同的晶体取向，并且第一上电极的逸出功大于第二上电极的逸出功。

2、实施例可以通过提供一种电容器结构来实现，所述电容器结构包括：下电极；介电图案，在下电极的侧壁上；以及上电极结构，上电极结构包括顺序地堆叠在介电图案的侧壁上的第一上电极和第二上电极，其中，第一上电极和第二上电极中的每个包括金属氮化物，第一上电极的氮化钛的主要晶体取向是[111]，并且第二上电极的氮化钛的主要晶体取向是[200]。

3、实施例可以通过提供一种半导体装置来实现，所述半导体装置包括：基底；有源图案，在基底上；栅极结构，在第一方向上延伸穿过有源图案的上部，第一方向基本平行于基底的上表面；位线结构，在有源图案的中心部分上，位线结构在基本平行于基底的上表面并且基本垂直于第一方向的第二方向上延伸；接触插塞结构，在有源图案的相对的边缘部分中的每个上；以及电容器结构，在接触插塞结构上，其中，电容器结构包括：下电极；介电图案，在下电极的侧壁上；以及上电极结构，上电极结构包括顺序地堆叠在介电图案的侧壁上的第一上电极和第二上电极，第一上电极和第二上电极中的每个包括金属氮化物，包括在第一上电极中的金属氮化物具有与包括在第二上电极中的金属氮化物的晶体取向不同的晶体取向，并且第一上电极的逸出功大于第二上电极的逸出功。

技术特征：

1.一种电容器结构，所述电容器结构包括：

2.根据权利要求1所述的电容器结构，其中，金属氮化物包括氮化钛。

3.根据权利要求2所述的电容器结构，其中，

4.根据权利要求2所述的电容器结构，其中，所述第二上电极的电阻低于所述第一上电极的电阻。

5.根据权利要求1所述的电容器结构，其中，包括在所述第二上电极中的金属氮化物的晶粒尺寸大于包括在所述第一上电极中的金属氮化物的晶粒尺寸。

6.根据权利要求1所述的电容器结构，其中，所述第二上电极还包括15族元素或16族元素。

7.根据权利要求1所述的电容器结构，其中，

8.根据权利要求1所述的电容器结构，其中，所述第一上电极的体积在所述上电极结构的体积的10％至50％的范围内。

9.根据权利要求1所述的电容器结构，所述电容器结构还包括在所述介电图案与所述第一上电极之间的界面氧化层。

10.一种电容器结构，所述电容器结构包括：

11.根据权利要求10所述的电容器结构，其中，

12.根据权利要求10所述的电容器结构，其中，所述第一上电极的体积在所述上电极结构的体积的10％至50％的范围内。

13.根据权利要求10所述的电容器结构，其中，所述第二上电极还包括15族元素或16族元素。

14.根据权利要求10所述的电容器结构，其中，所述第二上电极的电阻低于所述第一上电极的电阻。

15.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

16.根据权利要求15所述的半导体装置，其中，金属氮化物包括氮化钛。

17.根据权利要求16所述的半导体装置，其中，

18.根据权利要求15所述的半导体装置，其中，所述第二上电极的电阻低于所述第一上电极的电阻。

19.根据权利要求15所述的半导体装置，其中，包括在所述第二上电极中的金属氮化物的晶粒尺寸大于包括在所述第一上电极中的金属氮化物的晶粒尺寸。

20.根据权利要求15所述的半导体装置，其中，所述第二上电极还包括15族元素或16族元素。

技术总结提供了一种电容器结构和包括该电容器结构的半导体装置。所述电容器结构包括：下电极；介电图案，在下电极的侧壁上；以及上电极结构，上电极结构包括顺序地堆叠在介电图案的侧壁上的第一上电极和第二上电极，其中，第一上电极和第二上电极中的每个包括金属氮化物，包括在第一上电极中的金属氮化物具有与包括在第二上电极中的金属氮化物的晶体取向不同的晶体取向，并且第一上电极的逸出功大于第二上电极的逸出功。技术研发人员：李珍秀,姜政佑,韩东旭,金荷怜,林义郎受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/7/25