芯片封装结构以及射频前端模组的制作方法

本技术属于芯片封装，特别是涉及一种芯片封装结构以及射频前端模组。

背景技术：

1、现有技术中，滤波器芯片模组封装方式主要有两种，一种是覆黑膜(厚膜)，另一种是覆白膜(薄膜)配合塑封料的方式。然而，覆黑膜的方式常存在黑膜与基板(或阻焊层)结合较差的问题，在上板过程中容易发生封装基板(或阻焊层)和黑膜分离的现象。而对于覆白膜配合塑封料的方式，在塑封过程中，白膜易被击破，造成塑封料进入滤波器芯片底部，污染或破坏滤波器芯片的空腔。此外，现有的滤波器芯片的封装结构中，在塑封填充过程中，滤波器芯片会受到塑封料所造成的压力，容易导致滤波器芯片发生形变或是导致滤波器芯片的焊接凸块受力破裂，最后使芯片损坏。

技术实现思路

1、本实用新型所要解决的技术问题是：针对现有的滤波器芯片的封装结构中，滤波器芯片的空腔易受污染以及芯片易损坏的技术问题，提供一种芯片封装结构以及射频前端模组。

2、为解决上述技术问题，一方面，本实用新型实施例提供了一种芯片封装结构，包括封装基板、阻焊层、第一滤波器芯片、塑封层、点胶部以及第一围坝，所述阻焊层设置在所述封装基板上，所述阻焊层具有第一开窗，所述第一滤波器芯片与所述封装基板露出于所述第一开窗的位置相接，所述第一围坝设置在所述阻焊层上，所述第一围坝在所述封装基板上的正投影与所述第一滤波器芯片在所述封装基板上的正投影至少部分重叠，所述点胶部围绕所述第一围坝的外周设置在所述阻焊层上，且所述点胶部与所述第一滤波器芯片的侧面及所述第一围坝相接；

3、所述第一滤波器芯片、所述点胶部、所述第一围坝、所述阻焊层与所述封装基板之间形成第一空腔；

4、所述塑封层覆盖所述阻焊层、所述第一滤波器芯片、所述点胶部及所述封装基板。

5、根据本实用新型实施例的芯片封装结构，在封装基板上形成围绕第一滤波器芯片的第一围坝，并使所述第一围坝在所述封装基板上的正投影与所述第一滤波器芯片在所述封装基板上的正投影至少部分重叠，即，使所述第一围坝至少部分设置在第一滤波器芯片与阻焊层之间的间隙内，从而使第一围坝可在所述第一滤波器芯片在所述阻焊层之间形成支撑，防止第一滤波器芯片受力形变，以及缓解塑封层形成时对第一滤波器芯片所施加的压力，还可对塑封层的塑封料进行阻挡，避免塑封料进入第一滤波器芯片的底部，污染或破坏第一滤波器芯片的第一空腔。此外，该芯片封装结构还在第一滤波器芯片四周点胶形成点胶部，且所述点胶部与所述第一滤波器芯片的侧面及所述第一围坝相接，从而通过第一围坝与点胶部的配合，更好地实现对塑封层的塑封料的阻挡，使塑封料难以进入第一空腔。

6、可选地，沿所述封装基板的厚度方向，所述第一围坝的高度为10微米～80微米。

7、可选地，沿所述封装基板的延伸方向，所述第一围坝的横向宽度为30微米～150微米。

8、可选地，所述第一围坝部分与所述第一滤波器芯片朝向所述封装基板的一侧表面相接。

9、可选地，所述第一滤波器芯片朝向所述封装基板的一侧表面上设置有第一挡块，所述第一挡块在所述封装基板上的正投影与所述第一围坝在所述封装基板上的正投影至少部分重叠；

10、所述点胶部还与所述第一挡块相接。

11、可选地，沿所述封装基板的厚度方向，所述第一挡块的高度为5微米～20微米。

12、可选地，所述第一围坝在所述封装基板的正投影与所述第一滤波器芯片在所述封装基板上的正投影重叠；

13、或，所述第一围坝在所述封装基板上的正投影与所述第一滤波器芯片在所述封装基板上的正投影部分重叠。

14、可选地，所述第一滤波器芯片包括工作区以及非工作区，所述第一围坝在所述封装基板上的正投影与所述工作区在所述封装基板上的正投影不重叠，所述第一围坝在所述封装基板上的正投影与所述非工作区在所述封装基板上的正投影至少部分重叠。

15、可选地，所述阻焊层包括内阻焊层以及外阻焊层，所述内阻焊层与所述外阻焊层之间形成所述第一开窗，所述内阻焊层在所述封装基板上的正投影与所述工作区在所述封装基板上的正投影重叠，所述外阻焊层在所述封装基板上的正投影与所述非工作区在所述封装基板上的正投影部分重叠；

16、所述第一围坝设置在所述外阻焊层上。

17、可选地，所述芯片封装结构还包括第二滤波器芯片以及第二围坝，所述阻焊层还具有第二开窗，所述第二滤波器芯片与所述封装基板露出于所述第二开窗的位置相接，所述第二围坝围绕所述第二滤波器芯片的外周设置在所述阻焊层上，所述第二滤波器芯片朝向所述阻焊层的一侧表面上设置有第二挡块，所述第二围坝与所述第二挡块抵接；

18、所述第二滤波器芯片、所述第二挡块、所述第二围坝、所述阻焊层与所述封装基板之间形成第二空腔；

19、所述塑封层还覆盖所述第二滤波器芯片及所述第二围坝。

20、可选地，所述芯片封装结构还包括非滤波器芯片，所述非滤波器芯片安装在所述封装基板上；

21、所述塑封层还覆盖所述非滤波器芯片。

22、另一方面，本实用新型实施例提供了一种射频前端模组，其包括上述的芯片封装结构。

技术特征：

1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括封装基板、阻焊层、第一滤波器芯片、塑封层、点胶部以及第一围坝，所述阻焊层设置在所述封装基板上，所述阻焊层具有第一开窗，所述第一滤波器芯片与所述封装基板露出于所述第一开窗的位置相接，所述第一围坝设置在所述阻焊层上，所述第一围坝在所述封装基板上的正投影与所述第一滤波器芯片在所述封装基板上的正投影至少部分重叠，所述点胶部围绕所述第一围坝的外周设置在所述阻焊层上，且所述点胶部与所述第一滤波器芯片的侧面及所述第一围坝相接；

2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，沿所述封装基板的厚度方向，所述第一围坝的高度为10微米～80微米。

3.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，沿所述封装基板的延伸方向，所述第一围坝的横向宽度为30微米～150微米。

4.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一围坝部分与所述第一滤波器芯片朝向所述封装基板的一侧表面相接。

5.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一滤波器芯片朝向所述封装基板的一侧表面上设置有第一挡块，所述第一挡块在所述封装基板上的正投影与所述第一围坝在所述封装基板上的正投影至少部分重叠；

6.根据权利要求5所述的芯片封装结构，其特征在于，沿所述封装基板的厚度方向，所述第一挡块的高度为5微米～20微米。

7.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一围坝在所述封装基板的正投影与所述第一滤波器芯片在所述封装基板上的正投影重叠；

8.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一滤波器芯片包括工作区以及非工作区，所述第一围坝在所述封装基板上的正投影与所述工作区在所述封装基板上的正投影不重叠，所述第一围坝在所述封装基板上的正投影与所述非工作区在所述封装基板上的正投影至少部分重叠。

9.根据权利要求8所述的芯片封装结构，其特征在于，所述阻焊层包括内阻焊层以及外阻焊层，所述内阻焊层与所述外阻焊层之间形成所述第一开窗，所述内阻焊层在所述封装基板上的正投影与所述工作区在所述封装基板上的正投影重叠，所述外阻焊层在所述封装基板上的正投影与所述非工作区在所述封装基板上的正投影部分重叠；

10.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构还包括第二滤波器芯片以及第二围坝，所述阻焊层还具有第二开窗，所述第二滤波器芯片与所述封装基板露出于所述第二开窗的位置相接，所述第二围坝围绕所述第二滤波器芯片的外周设置在所述阻焊层上，所述第二滤波器芯片朝向所述阻焊层的一侧表面上设置有第二挡块，所述第二围坝与所述第二挡块抵接；

11.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构还包括非滤波器芯片，所述非滤波器芯片安装在所述封装基板上；

12.一种射频前端模组，其特征在于，包括如权利要求1-11中任一项所述的芯片封装结构。

技术总结本技术属于芯片封装技术领域，涉及一种芯片封装结构以及射频前端模组。该芯片封装结构包括封装基板、阻焊层、第一滤波器芯片、塑封层、点胶部以及第一围坝，阻焊层设置在封装基板上，阻焊层具有第一开窗，第一滤波器芯片与封装基板相接，第一围坝设置在阻焊层上，第一围坝在封装基板上的正投影与第一滤波器芯片在封装基板上的正投影至少部分重叠，点胶部围绕第一围坝的外周设置在阻焊层上，且点胶部与第一滤波器芯片的侧面及第一围坝相接；第一滤波器芯片、阻焊层、点胶部、第一围坝与封装基板之间形成第一空腔；塑封层覆盖阻焊层、第一滤波器芯片、点胶部及封装基板。该芯片封装结构可对第一滤波器芯片进行支撑。技术研发人员：黄浈,史海涛,倪建兴,陈建,徐杰,周佳炜受保护的技术使用者：锐石创芯（重庆）科技有限公司技术研发日：20230928技术公布日：2024/7/25