相变存储器的制备方法与流程

本申请总体上涉及电子器件领域，并且更具体的，涉及一种相变存储器的制备方法。

背景技术：

1、目前的冯诺依曼计算架构中，需要在dram和存储ssd之间进行大量的数据读取和存储。二者存在巨大的性能鸿沟，导致目前冯诺依曼计算体系的性能提升遭遇瓶颈。目前提出以存储类存储器(storage class memory，scm)衔接dram和ssd，用以改善目前存储架构。scm需要实现速度远快于nand和良好的非易失特性。在新兴的几种scm存储技术中，最为成熟的为相变存储器，其中又以3d交叉点(3d xpoint)存储器最有前景，具有容量大、速度快、非易失、循环性能好的优点。

2、相变存储器在形成存储单元的过程中需要经过两个方向的刻蚀，其中，地址线(位线和/或字线)是在存储单元单个方向的刻蚀工艺中形成的，因此该刻蚀工艺的深度要大于或等于存储单元膜层和地址线膜层的厚度，从而刻蚀的深宽比较大，导致刻蚀难度较大。

技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种相变存储器的制备方法，旨在降低形成存储单元过程中的刻蚀难度。

2、本申请提供一种相变存储器的制备方法，包括：

3、提供基底，并在所述基底上形成第一存储叠层；

4、刻蚀所述第一存储叠层形成第一存储单元；

5、在所述第一存储单元远离所述基底的一侧形成第一地址线，所述第一地址线与所述第一存储单元在不同的工艺中形成。

6、在一些实施例中，在所述存储单元远离所述基底的一侧形成第一地址线的步骤包括：

7、在所述第一存储单元之间，以及所述第一存储单元远离所述基底的一侧形成介质层，所述介质层包括沿第一方向延伸的沟槽，所述沟槽暴露所述第一存储单元；及

8、在所述沟槽内形成与第一存储单元连接的第一地址线。

9、在一些实施例中，在所述第一存储单元之间，以及所述第一存储单元远离所述基底的一侧形成介质层的步骤包括：

10、所述第一存储单元之间填充第一介质层；

11、在所述第一介质层和所述第一存储单元远离所述基底的一侧形成第二介质层；

12、对所述第二介质层进行刻蚀，形成沿第一方向延伸并暴露所述第一存储单元的沟槽。

13、在一些实施例中，在所述沟槽内形成与第一存储单元连接的第一地址线的步骤包括：

14、在所述沟槽内沉积第一地址线。

15、在一些实施例中，在所述沟槽内形成所述第一地址线的步骤之前，所述制备方法还包括：

16、在所述沟槽内形成黏附层。

17、在一些实施例中，在刻蚀所述第一存储叠层形成第一存储单元的步骤之前，所述制备方法还包括：

18、在所述第一存储叠层远离所述基底的一侧形成初始黏附层；

19、刻蚀所述第一存储叠层形成第一存储单元的步骤包括：

20、对所述初始黏附层和所述第一存储叠层依次进行刻蚀，形成第一存储单元和沿所述第一方向延伸的黏附层。

21、在一些实施例中，在所述存储单元远离所述基底的一侧形成第一地址线的步骤包括：

22、在所述第一存储单元之间填充第一介质层；

23、在所述第一介质层和所述第一存储单元远离所述基底的一侧形成初始第一地址线；及

24、对所述初始第一地址线进行刻蚀，形成沿第一方向延伸且与所述第一存储单元连接的第一地址线。

25、在一些实施例中，在所述第一介质层和所述第一存储单元远离所述基底的一侧形成初始第一地址线的步骤之前，所述制备方法还包括：

26、在所述第一介质层和所述第一存储单元远离所述基底的一侧形成初始黏附层；

27、所述对所述初始第一地址线进行刻蚀的步骤包括：

28、对所述初始第一地址线和所述初始黏附层依次进行刻蚀，形成沿所述第一方向延伸的第一地址线和黏附层。

29、在一些实施例中，还包括：

30、在所述第一地址线远离所述第一存储单元的一侧形成第二存储单元和第二存储单元。

31、在一些实施例中，还包括：

32、形成底部地址线，所述底部地址线位于所述第一存储叠层远离所述第一地址线一侧的底部地址线，且沿第二方向延伸；

33、其中，所述底部地址线和所述第一存储叠层在同一工艺中形成，或在不同工艺中形成。

34、本申请提供的相变存储器的制备方法，先提供基底，并在所述基底上形成第一存储叠层，再刻蚀所述第一存储叠层形成第一存储单元，最后在所述第一存储单元远离所述基底的一侧形成第一地址线，所述第一地址线与所述第一存储单元在不同的工艺中形成。由于第一地址线是在单独的制备工艺中形成，因此第一存储单元的刻蚀工艺的深度减小，从而深宽比减小，进而降低刻蚀难度。

技术特征：

1.一种相变存储器的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的相变存储器的制备方法，其特征在于，在所述存储单元远离所述基底的一侧形成第一地址线的步骤包括：

3.根据权利要求2所述的相变存储器的制备方法，其特征在于，在所述第一存储单元之间，以及所述第一存储单元远离所述基底的一侧形成介质层的步骤包括：

4.根据权利要求3所述的相变存储器的制备方法，其特征在于，在所述沟槽内形成与第一存储单元连接的第一地址线的步骤包括：

5.根据权利要求2所述的相变存储器的制备方法，其特征在于，在所述沟槽内形成所述第一地址线的步骤之前，所述制备方法还包括：

6.根据权利要求2所述的相变存储器的制备方法，其特征在于，在刻蚀所述第一存储叠层形成第一存储单元的步骤之前，所述制备方法还包括：

7.根据权利要求1所述的相变存储器的制备方法，其特征在于，在所述存储单元远离所述基底的一侧形成第一地址线的步骤包括：

8.根据权利要求7所述的相变存储器的制备方法，其特征在于，在所述第一介质层和所述第一存储单元远离所述基底的一侧形成初始第一地址线的步骤之前，所述制备方法还包括：

9.根据权利要求1所述的相变存储器的制备方法，其特征在于，还包括：

10.根据权利要求1所述的相变存储器的制备方法，其特征在于，还包括：

技术总结本申请提供了一种相变存储器的制备方法和相变存储器，先提供基底，并在所述基底上形成第一存储叠层，再刻蚀所述第一存储叠层形成第一存储单元，最后在所述第一存储单元远离所述基底的一侧形成第一地址线，所述第一地址线与所述第一存储单元在不同的工艺中形成。由于第一地址线是在单独的制备工艺中形成，因此第一存储单元的刻蚀工艺的深度减小，从而深宽比减小，进而降低刻蚀难度。技术研发人员：李季,明帆,刘峻,张银剑,王海平,秦俊峰受保护的技术使用者：新存科技（武汉）有限责任公司技术研发日：技术公布日：2024/7/29