用于在晶片间接合中的裸片裂缝检测的系统和方法与流程

背景技术：

1、为了增加电路密度而不增加封装大小，裸片可以直接附接或接合到另一裸片。为了高效组装，各自具有许多裸片的两个晶片可以使用晶片间接合技术接合在一起，且可稍后从接合晶片切割接合裸片。举例来说，含有存储器或nand裸片的晶片可接合到具有控制裸片的晶片，所述控制裸片可以由互补金属氧化物半导体(cmos)电路制造。所得结构被称作cmos接合阵列(cba)。结构中的裂缝(例如，由晶片中的一个或两个中的翘曲、热应力或分切复杂性产生)可导致不起作用的裸片。

技术实现思路

技术特征：

1.一种集成电路，其包括：

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中交叉指型电容器对位于所述边缘密封件的所述内部部分的每一侧上。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述多个交叉指型电容器竖直地定位。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述多个交叉指型电容器水平地定位。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述多个交叉指型电容器位于所述存储器裸片中。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述多个交叉指型电容器位于所述控制裸片中。

7.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述多个交叉指型电容器位于所述存储器裸片和所述控制裸片中。

8.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述控制电路系统包括互补金属氧化物半导体(cmos)电路系统。

9.一种用于检测存储器裸片与包括用于所述存储器裸片的控制电路系统的控制裸片之间的接合界面中的不连续性的方法，所述方法包括：

10.根据权利要求9所述的方法，其中平行指型电容器对位于所述边缘密封件的所述内部部分的每一侧上。

11.根据权利要求9所述的方法，其中所述多个平行指型电容器竖直地定位。

12.根据权利要求9所述的方法，其中所述多个平行指型电容器水平地定位。

13.根据权利要求9所述的方法，其中所述多个平行指型电容器位于所述存储器裸片中。

14.根据权利要求9所述的方法，其中所述多个平行指型电容器位于所述控制裸片中。

15.根据权利要求9所述的方法，其中所述多个平行指型电容器位于所述存储器裸片和所述控制裸片中。

16.根据权利要求9所述的方法，其中检测所述不连续性包括比较顺时针检测与逆时针检测之间的电学差异。

17.根据权利要求9所述的方法，其中检测所述不连续性包括检测在随时间作出的多个比较中观测到的电学移位是否超过阈值。

18.根据权利要求9所述的方法，其中检测所述不连续性包括检测集成电路的具有类似阻抗的部分组件之间的导电性差异。

19.一种集成电路，其包括：

20.根据权利要求19所述的集成电路，其中所述用于检测的构件包括位于所述边缘密封件的内部部分中的多个交叉指型电容器，其中所述多个交叉指型电容器被配置成检测所述第一裸片和所述第二裸片之间的所述接合界面中的不连续性。

技术总结在晶片间接合中，第一裸片在接合界面处接合到第二裸片。沿着接合裸片的边缘密封件的内部部分放置电容器的各种配置以检测所述接合界面中的不连续性。这些配置包含可水平或竖直定向的交叉指型电容器、平行指型电容器，以及形成围绕所述裸片的参数的柱，其中导电部分从所述柱偏移且在所述裸片内延伸。可以使用其它配置。技术研发人员：J·帕查穆图,K·佩里亚南,D·J·林恩,S·斯卡拉受保护的技术使用者：西部数据技术公司技术研发日：技术公布日：2024/7/29