一种声表面波谐振器、滤波器及电子设备的制作方法

本申请涉及半导体结构，尤其涉及一种声表面波谐振器、滤波器及电子设备。

背景技术：

1、saw（surface acoustic wave，声表面波）谐振器是声表面波谐振器的简称，是一种利用其压电效应和声表面波传播的物理特性而制成的一种滤波专用器件，广泛应用于各种各样的领域中，例如射频领域。其中声表面波是一种能量集中在表面附近的弹性波。

2、在目前的声表面波产品设计中，由于声表面波谐振器横向传播的声波导致的声表面波谐振器会出现横向谐振模，即出现在通带内及通带附近的杂波，该杂波会增大声表面波谐振器的损耗，使q值出现大幅度波动，降低声表面波谐振器的性能。

3、那么，如何抑制杂模干扰、提高q值、提升声表面波谐振器的性能，就是现今谐振器设计中的重中之重。

技术实现思路

1、鉴于上述问题，本申请提供了一种声表面波谐振器、滤波器及电子设备，以实现抑制杂模干扰、提高q值、提升声表面波谐振器性能的目的。具体方案如下：

2、本申请第一方面提供一种声表面波谐振器，所述声表面波谐振器包括：

3、压电衬底；

4、位于所述压电衬底一侧的叉指电极；其中，所述叉指电极包括汇流条和电极指条，所述汇流条包括在第一方向上相对设置的第一汇流条和第二汇流条，所述电极指条包括位于所述第一汇流条上的第一电极指条和位于所述第二汇流条上的第二电极指条；所述第一汇流条和所述第二汇流条的长度延伸方向相同，均沿第二方向延伸，所述第一方向和所述第二方向平行于所述压电衬底所在平面，且所述第一方向和所述第二方向相交；

5、所述电极指条还包括活塞结构和匹配结构，所述活塞结构位于所述电极指条远离该电极指条对应连接的汇流条的一端，其中在所述第二方向上相邻两条所述电极指条中其中一条电极指条上的活塞结构与另一条电极指条上的匹配结构相对设置；

6、所述电极指条还包括横向假指，所述横向假指包括至少两条第一横向假指，所述至少两条第一横向假指的长度延伸方向与所述第二方向平行，目标电极指条上的至少两条第一横向假指位于所述目标电极指条上的匹配结构和目标汇流条之间，所述目标电极指条与所述目标汇流条连接。

7、在一种可能的实现中，所述至少两条第一横向假指在所述第二方向上的长度相同。

8、在一种可能的实现中，所述至少两条第一横向假指中至少有两条第一横向假指在所述第二方向上的长度不同。

9、在一种可能的实现中，位于所述第一电极指条上的第一横向假指在所述第二方向上的长度与位于所述第二电极指条上的第一横向假指在所述第二方向上的长度不同。

10、在一种可能的实现中，位于所述第一电极指条上的第一横向假指的条数与位于所述第二电极指条上的第一横向假指的条数不同。

11、在一种可能的实现中，一部分所述第一电极指条上的第一横向假指在所述第二方向上的长度与另一部分所述第一电极指条上的第一横向假指在所述第二方向上的长度不同。

12、在一种可能的实现中，一部分所述第二电极指条上的第一横向假指在所述第二方向上的长度与另一部分所述第二电极指条上的第一横向假指在所述第二方向上的长度不同。

13、在一种可能的实现中，所述横向假指还包括至少两条第二横向假指，所述至少两条第二横向假指的长度延伸方向与所述第二方向平行，位于同一所述电极指条上的第一横向假指和第二横向假指分别位于该电极指条的两侧，所述目标电极指条上的至少两条第二横向假指位于所述目标电极指条上的匹配结构和所述目标汇流条之间。

14、在一种可能的实现中，所述至少两条第二横向假指在所述第二方向上的长度相同。

15、在一种可能的实现中，所述至少两条第二横向假指中至少有两条第二横向假指在所述第二方向上的长度不同。

16、在一种可能的实现中，位于所述第一电极指条上的第二横向假指在所述第二方向上的长度与位于所述第二电极指条上的第二横向假指在所述第二方向上的长度不同。

17、在一种可能的实现中，位于所述第一电极指条上的第二横向假指的条数与位于所述第二电极指条上的第二横向假指的条数不同。

18、在一种可能的实现中，一部分所述第一电极指条上的第二横向假指在所述第二方向上的长度与另一部分所述第一电极指条上的第二横向假指在所述第二方向上的长度不同。

19、在一种可能的实现中，一部分所述第二电极指条上的第二横向假指在所述第二方向上的长度与另一部分所述第二电极指条上的第二横向假指在所述第二方向上的长度不同。

20、在一种可能的实现中，当所述第一横向假指在所述第二方向上的长度与所述第二横向假指在所述第二方向上的长度相同时，所述第一横向假指在所述第二方向上的长度小于p，p由所述声表面波谐振器的谐振频率所决定。

21、在一种可能的实现中，所述声表面波谐振器还包括：

22、位于所述叉指电极沿所述第二方向的至少一端的反射栅。

23、在一种可能的实现中，所述声表面波谐振器还包括：

24、位于所述反射栅上的反射栅活塞结构、反射栅匹配结构以及反射栅横向假指。

25、本申请第二方面提供一种滤波器，所述滤波器包括上述任一项所述的声表面波谐振器。

26、本申请第三方面提供一种电子设备，所述电子设备包括上述所述的滤波器。

27、借由上述技术方案，本申请提供的一种声表面波谐振器、滤波器及电子设备中位于电极指条末端的活塞结构一方面可以实现光学邻近校正；另一方面通过改变声速来增大交界面的声速差，以此有助于形成piston模式。位于电极指条上的至少两条第一横向假指可以增强声波的反射效果，能够破坏横向模式的谐振条件，从而减少能量泄漏。该声表面波谐振器不再使用活塞结构结合纵向假指的方案，而是采用活塞结构结合横向假指的方案以增强对横模杂散的抑制效果，实现更大程度抑制杂模干扰、提高q值、提升声表面波谐振器性能的目的。

技术特征：

1.一种声表面波谐振器，其特征在于，所述声表面波谐振器包括：

2.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述至少两条第一横向假指在所述第二方向上的长度相同。

3.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述至少两条第一横向假指中至少有两条第一横向假指在所述第二方向上的长度不同。

4.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，位于所述第一电极指条上的第一横向假指在所述第二方向上的长度与位于所述第二电极指条上的第一横向假指在所述第二方向上的长度不同。

5.根据权利要求1或4所述的声表面波谐振器，其特征在于，位于所述第一电极指条上的第一横向假指的条数与位于所述第二电极指条上的第一横向假指的条数不同。

6.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，一部分所述第一电极指条上的第一横向假指在所述第二方向上的长度与另一部分所述第一电极指条上的第一横向假指在所述第二方向上的长度不同。

7.根据权利要求1或6所述的声表面波谐振器，其特征在于，一部分所述第二电极指条上的第一横向假指在所述第二方向上的长度与另一部分所述第二电极指条上的第一横向假指在所述第二方向上的长度不同。

8.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述横向假指还包括至少两条第二横向假指，所述至少两条第二横向假指的长度延伸方向与所述第二方向平行，位于同一所述电极指条上的第一横向假指和第二横向假指分别位于该电极指条的两侧，所述目标电极指条上的至少两条第二横向假指位于所述目标电极指条上的匹配结构和所述目标汇流条之间。

9.根据权利要求8所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述至少两条第二横向假指在所述第二方向上的长度相同。

10.根据权利要求8所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述至少两条第二横向假指中至少有两条第二横向假指在所述第二方向上的长度不同。

11.根据权利要求8所述的声表面波谐振器，其特征在于，位于所述第一电极指条上的第二横向假指在所述第二方向上的长度与位于所述第二电极指条上的第二横向假指在所述第二方向上的长度不同。

12.根据权利要求8或11所述的声表面波谐振器，其特征在于，位于所述第一电极指条上的第二横向假指的条数与位于所述第二电极指条上的第二横向假指的条数不同。

13.根据权利要求8所述的声表面波谐振器，其特征在于，一部分所述第一电极指条上的第二横向假指在所述第二方向上的长度与另一部分所述第一电极指条上的第二横向假指在所述第二方向上的长度不同。

14.根据权利要求8或13所述的声表面波谐振器，其特征在于，一部分所述第二电极指条上的第二横向假指在所述第二方向上的长度与另一部分所述第二电极指条上的第二横向假指在所述第二方向上的长度不同。

15.根据权利要求8所述的声表面波谐振器，其特征在于，当所述第一横向假指在所述第二方向上的长度与所述第二横向假指在所述第二方向上的长度相同时，所述第一横向假指在所述第二方向上的长度小于p，p由所述声表面波谐振器的谐振频率所决定。

16.根据权利要求15所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述声表面波谐振器还包括：

17.根据权利要求16所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述声表面波谐振器还包括：

18.一种滤波器，其特征在于，所述滤波器包括权利要求1-17任一项所述的声表面波谐振器。

19.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括权利要求18所述的滤波器。

技术总结本申请公开了一种声表面波谐振器、滤波器及电子设备，涉及半导体结构技术领域。在声表面波滤波器中，位于电极指条末端的活塞结构一方面可以实现光学邻近校正；另一方面通过改变声速来增大交界面的声速差，以此有助于形成piston模式。位于电极指条上的至少两条第一横向假指可以增强声波的反射效果，能够破坏横向模式的谐振条件，从而减少能量泄漏。该声表面波谐振器不再使用活塞结构结合纵向假指的方案，而是采用活塞结构结合横向假指的方案以增强对横模杂散的抑制效果，实现更大程度抑制杂模干扰、提高Q值、提升声表面波谐振器性能的目的。技术研发人员：杨明红,路晓明受保护的技术使用者：浙江星曜半导体有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/29