模块以及半导体复合装置的制作方法

本发明涉及模块以及半导体复合装置。

背景技术：

1、在专利文献1中公开了一种半导体装置，具有嵌入了电感器、电容器等无源元件的一部分或者全部的封装基板、以及包含开关元件等有源元件的电压调节器(电压控制装置)。在专利文献1所记载的半导体装置中，电压调节器、以及应该供给电源电压的负载安装于封装基板上。在专利文献1所记载的半导体装置中，由电压调节器调整后的直流电压由封装基板内的无源元件进行平滑化并供给到负载。

2、专利文献1：美国专利申请公开第2011/0050334号说明书

3、在专利文献1所记载的半导体装置所具有的封装基板这样的具有电容器部的模块中，例如，采用从电容器部的阴极层向电容器部的外部导出阴极用连接端子层的构造。然而，本发明者研究的结果为，在具有上述的构造的现有的模块中，若在嵌入于半导体复合装置时实施回流焊等热处理，则由于阴极层以及阴极用连接端子层的线膨胀系数等热特性的差异，存在产生翘曲以及分层这样的问题。这样的问题在一般的多层布线基板、在芯基板中嵌入了通用部件的嵌入基板等中没有被认识到，是具有上述的构造的模块所特有的问题。

技术实现思路

1、本发明是为了解决上述的问题而完成的，目的在于，提供能够抑制热处理时的翘曲以及分层的产生的模块。另外，本发明的目的在于，提供具有上述模块的半导体复合装置。

2、本发明的模块用于半导体复合装置，该半导体复合装置将由包含半导体有源元件的电压调节器调整后的直流电压供给到负载，其特征在于，具备：电容器层，具有至少一个电容器部；贯通孔导体，设置为在上述电容器层的厚度方向上贯通上述电容器部，并且用于上述电压调节器以及上述负载中的至少一方与上述电容器部的电连接；以及连接端子层，与上述贯通孔导体电连接，并且用于上述电压调节器以及上述负载中的至少一方与上述电容器部的电连接，上述电容器层具有在上述厚度方向上相对的第一主面和第二主面，上述连接端子层包含：第一阳极用连接端子层，设置在上述电容器层的上述第一主面侧；第二阳极用连接端子层，设置在上述电容器层的上述第二主面侧；第一阴极用连接端子层，设置在上述电容器层的上述第一主面侧；以及第二阴极用连接端子层，设置在上述电容器层的上述第二主面侧，上述第一阳极用连接端子层以及上述第二阳极用连接端子层分别与上述电容器部的阳极电连接，上述第一阴极用连接端子层以及上述第二阴极用连接端子层分别经由通孔导体与上述电容器部的阴极层电连接，在从上述厚度方向观察时，上述第一阳极用连接端子层以及上述第一阴极用连接端子层的整体与上述阴极层的整体以上述阴极层的整体的面积为基准，在面积换算中重叠90％以上，在从上述厚度方向观察时，上述第二阳极用连接端子层以及上述第二阴极用连接端子层的整体与上述阴极层的整体以上述阴极层的整体的面积为基准，在面积换算中重叠90％以上。

3、本发明的半导体复合装置的特征在于，具备本发明的模块、上述电压调节器、上述负载。

4、根据本发明，能够提供一种模块，能够抑制热处理时的翘曲以及分层的产生。另外，根据本发明，能够提供具有上述模块的半导体复合装置。

技术特征：

1.一种用于半导体复合装置的模块，该半导体复合装置将由包含半导体有源元件的电压调节器调整后的直流电压供给到负载，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的模块，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的模块，其特征在于，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的模块，其特征在于，

5.根据权利要求3或4所述的模块，其特征在于，

6.根据权利要求1至5中任一项所述的模块，其特征在于，

7.根据权利要求1至6中任一项所述的模块，其特征在于，

8.根据权利要求1至7中任一项所述的模块，其特征在于，

9.根据权利要求1至8中任一项所述的模块，其特征在于，

10.一种半导体复合装置，其特征在于，具备：

11.根据权利要求10所述的半导体复合装置，其特征在于，

技术总结模块(10A)用于半导体复合装置(1A)，该半导体复合装置(1A)将由包含半导体有源元件的电压调节器(20)调整后的直流电压供给到负载(30)，其中，模块(10A)具备：电容器层(11)，具有至少一个电容器部；贯通孔导体，设置为在电容器层(11)的厚度方向(T)上贯通电容器部，并且用于电压调节器(20)以及负载(30)中的至少一方与电容器部的电连接；以及连接端子层，与贯通孔导体电连接，并且用于电压调节器(20)以及负载(30)中的至少一方与电容器部的电连接，电容器层(11)具有在厚度方向(T)上相对的第一主面(11a)和第二主面(11b)，连接端子层包含：第一阳极用连接端子层(13Aa)，设置在电容器层(11)的第一主面(11a)侧；第二阳极用连接端子层(14Aa)，设置在电容器层(11)的第二主面(11b)侧；第一阴极用连接端子层(13Ba)，设置在电容器层(11)的第一主面(11a)侧；以及第二阴极用连接端子层(14Ba)，设置在电容器层(11)的第二主面(11b)侧，第一阳极用连接端子层(13Aa)以及第二阳极用连接端子层(14Aa)分别与电容器部(C1)的阳极电连接，第一阴极用连接端子层(13Ba)以及第二阴极用连接端子层(14Ba)分别经由通孔导体(82)与电容器部(C1)的阴极层(56A)电连接，在从厚度方向(T)观察时，第一阳极用连接端子层(13Aa)以及第一阴极用连接端子层(13Ba)的整体与阴极层(56A)的整体以阴极层(56A)的整体的面积为基准，在面积换算中重叠90％以上，在从厚度方向(T)观察时，第二阳极用连接端子层(14Aa)以及第二阴极用连接端子层(14Ba)的整体与阴极层(56A)的整体以阴极层(56A)的整体的面积为基准，在面积换算中重叠90％以上。技术研发人员：大谷慎士受保护的技术使用者：株式会社村田制作所技术研发日：技术公布日：2024/8/1