溅镀装置的制作方法

本公开涉及一种溅镀装置。

背景技术：

1、溅镀装置包括收容被处理物及与被处理物相向而配置的靶(target)的真空容器，且使用等离子体对靶进行溅镀而在被处理物上成膜被膜。作为此种溅镀装置，已知有下述溅镀装置，即，配置有用作穿过高频磁场的高频窗的介电体的壳体及法拉第屏蔽(faradayshield)、以及产生高频磁场的天线(antenna)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本公开专利公报“日本专利特开2012-253313号公报”

技术实现思路

1、发明所要解决的问题

2、如上所述在真空容器的外部设置有天线的溅镀装置中，不易提高靶附近的等离子体密度。对于在真空容器的外部设置有天线的溅镀装置，期望能够更有效率地提高靶附近的等离子体密度。

3、本公开是鉴于所述问题点而完成，目的在于提供一种能够提高靶附近的等离子体密度的溅镀装置。

4、解决问题的技术手段

5、为了解决所述课题，本公开的一方面的溅镀装置包括：真空容器，收容用于载置被处理物的载台；靶，具有与载置于所述载台上的被处理物相向的相向面，且配置于所述真空容器的内部；高频窗，为了在所述真空容器的内部产生等离子体，而将高频磁场导入至所述真空容器的内部，设置于所述真空容器的壁面，且包括具有狭缝的金属板及重叠于所述金属板的介电体；以及直线状天线，在所述真空容器的外部接近于所述高频窗而配置，并且产生所述高频磁场，所述高频窗以所述真空容器的内部侧的主表面自与所述相向面平行的面向所述靶的方向倾斜的方式配置。

6、发明的效果

7、通过本公开的一形态，可提供一种能够提高靶附近的等离子体密度的溅镀装置。

技术特征：

1.一种溅镀装置，包括：真空容器，收容用于载置被处理物的载台；

2.根据权利要求1所述的溅镀装置，其中所述主表面与和所述相向面平行的面所成的角度为90度以上且120度以下的角度。

3.根据权利要求1或2所述的溅镀装置，包括：多个所述高频窗；以及多个所述天线，分别接近于各个所述高频窗而配置。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的溅镀装置，其中所述壁面具有：顶面，用来设置所述靶；以及突出面，自所述顶面向所述真空容器的内部侧突出，

5.根据权利要求1至4中任一项所述的溅镀装置，其中一个所述天线以接近于两个所述高频窗的方式配置于所述多个高频窗之间。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的溅镀装置，其中在所述高频窗中，所述金属板设置于较所述介电体更靠所述真空容器的内部侧。

技术总结本发明提供一种能够提高靶附近的等离子体密度的溅镀装置。溅镀装置(1)包括：靶(Tr)，具有与载置于载台(H)上的被处理物(H1)相向的相向面(Tr1)，且配置于真空容器(2)的内部；高频窗(11)，包括具有狭缝(12a)的金属板(12)及介电体(13)，为了在真空容器(2)的内部产生等离子体，而将高频磁场导入至真空容器(2)的内部，并且设置于真空容器(2)的壁面；以及直线状天线(14)，在真空容器(2)的外部接近于高频窗(11)而配置，并且产生高频磁场。高频窗(11)以真空容器(2)的内部侧的主表面自与相向面(Tr1)平行的面向靶(Tr)的方向倾斜的方式配置。技术研发人员：松尾大辅,安东靖典受保护的技术使用者：日新电机株式会社技术研发日：技术公布日：2024/8/20