一种6oz厚铜板小间距图形的制作方法与流程

本发明属于厚铜板制作，尤其涉及一种6oz厚铜板小间距图形的制作方法。

背景技术：

1、厚铜板广泛用于功放、充电、逆变器、车灯等大电流、高电压产品上；其看似一个图形简单，但制作难度极大的产品，保证良好的蚀刻加工性，压合填充和可靠性，钻孔的机械磨损以及阻焊加工的油墨量控制等超难点与传统pcb制程有较大差异；在蚀刻方面，传统工艺都是在铜面上贴干膜，通过曝光显影实现图形转移，进一步通过药水与裸露出的铜反应掉。而考虑干膜与余下铜面结合力，蚀刻喷淋压力一般小于3.5kgf，传统产线的长度不足一般通过蚀刻2次或更多次蚀刻来减少水池效应，即便如此，蚀刻对间距大小有严格要求，其中，6oz铜厚电镀板（是一种具有特定厚度铜层的电路板，适用于高功率电子设备，如大功率放大器、变频器和电源模块等，能够满足这些设备对电流承载能力和散热性能的高要求）的图形线路ic pad位置的间距要≥20mil，才能保证成品的ic顶部位置满足规格。

2、目前6oz厚铜电镀板采用传统酸蚀或者碱蚀工艺，在蚀刻制作时，在纵向蚀刻的同时，侧面也会同步咬蚀，铜厚度越大，制作图形蚀刻，其侧边蚀刻量也越大，其制作精细图形的难度越大。传统蚀刻能力来看，6oz厚铜线路板上贴件ic pad最小间距能力只能做到20mil。

3、而ic位置的焊盘尺寸取决于芯片引脚；厚铜板的开发主要考虑载流能力，芯片的集成化需要更小的间距，自然催生了小间距ic厚铜技术，一种10mil小间距ic厚铜制作技术需求出现了。因此，针对以上现状，迫切需要开发一种6oz厚铜板小间距图形的制作方法，以克服当前实际应用中的不足。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种6oz厚铜板小间距图形的制作方法，旨在解决上述背景技术中提到的问题。

2、本发明是这样实现的，一种6oz厚铜板小间距图形的制作方法，包括以下步骤：

3、步骤1、前处理；

4、步骤2、第一次图形转移

5、一次贴膜、一次图形转移、一次显影、酸性蚀刻、一次退膜；

6、步骤3、第二次图形转移

7、二次贴膜、二次图形转移、二次显影、图形电镀、电锡、二次退膜、碱性蚀刻、退锡；

8、步骤4、后工序。

9、进一步的技术方案，在步骤1中，前处理包括有钻孔。

10、进一步的技术方案，在步骤2中，第一次图形转移采用负片流程酸性蚀刻，资料把最小间距位置开窗设为2mil，其他位置全部干膜保护。

11、进一步的技术方案，酸性蚀刻采用蚀刻线速2m/min的参数蚀刻，正反面放置蚀刻两次，保证开窗顶部间距在11±1mil内，底部间距≥6mil。

12、进一步的技术方案，在步骤3中，第二次图形转移采用正片碱性蚀刻制作，工程资料最小间距位置开干膜通窗，其他位置按照正常的正片资料制作图形。

13、进一步的技术方案，图形电镀为镀0.5oz铜厚。

14、进一步的技术方案，碱性蚀刻采用蚀刻线速6m/min的参数蚀刻。

15、本发明提供的一种6oz厚铜板小间距图形的制作方法，具有以下有益效果：

16、本发明主要通过负片预蚀刻出10mil小间距+正片图形电镀电锡保护好小间距位置+碱性蚀刻出普通图形线路的方法，制作出6oz铜厚10mil小间距产品，即通过酸蚀小间距开窗，碱蚀时用电锡对小间距位置保护，并同时蚀刻出其他位置线路的办法，可以把最小间距能力缩小到10mil，能够大大提高厚铜精细线路的蚀刻能力。

技术特征：

1.一种6oz厚铜板小间距图形的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的6oz厚铜板小间距图形的制作方法，其特征在于，在步骤1中，前处理包括有钻孔。

3.根据权利要求1所述的6oz厚铜板小间距图形的制作方法，其特征在于，在步骤2中，第一次图形转移采用负片流程酸性蚀刻，资料把最小间距位置开窗设为2mil，其他位置全部干膜保护。

4.根据权利要求3所述的6oz厚铜板小间距图形的制作方法，其特征在于，酸性蚀刻采用蚀刻线速2m/min的参数蚀刻，正反面放置蚀刻两次，保证开窗顶部间距在11±1mil内，底部间距≥6mil。

5.根据权利要求1所述的6oz厚铜板小间距图形的制作方法，其特征在于，在步骤3中，第二次图形转移采用正片碱性蚀刻制作，工程资料最小间距位置开干膜通窗，其他位置按照正常的正片资料制作图形。

6.根据权利要求5所述的6oz厚铜板小间距图形的制作方法，其特征在于，图形电镀为镀0.5oz铜厚。

7.根据权利要求5所述的6oz厚铜板小间距图形的制作方法，其特征在于，碱性蚀刻采用蚀刻线速6m/min的参数蚀刻。

技术总结本发明适用于厚铜板制作技术领域，提供了一种6oz厚铜板小间距图形的制作方法，包括以下步骤：步骤1、前处理；步骤2、第一次图形转移：一次贴膜、一次图形转移、一次显影、酸性蚀刻、一次退膜；步骤3、第二次图形转移：二次贴膜、二次图形转移、二次显影、图形电镀、电锡、二次退膜、碱性蚀刻、退锡；步骤4、后工序。本发明通过酸蚀小间距开窗，碱蚀时用电锡对小间距位置保护，并同时蚀刻出其他位置线路的办法，可以把最小间距能力缩小到10mil，能够大大提高厚铜精细线路的蚀刻能力。技术研发人员：张震,范红,程涌受保护的技术使用者：奥士康科技股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/8/20